毫米波CMOS集成电路收发机前端研究进展北大核心CSCD

对毫米波CMOS集成电路收发机前端技术进行了综述。介绍了毫米波CMOS集成电路收发机的研究背景,分别对毫米波CMOS集成电路收发机前端各个子模块进行了详细介绍和比较,并展望了毫米波CMOS集成电路的未来发展方向。     

CMOS射频集成电路的最新进展和应用

本文介绍RF(射频)CMOS集成电路的最新进展和应用.着重于深亚微米CMOS技术在实现高端射频(几十GHz频带)集成系统方面的潜能.首先,综述CMOS技术的主要特点,继而介绍CMOS射频集成电路的最新进展.其中有63GHz的毫米波段的CMOS压控振荡器,数据速率达50Gb/s的2:1多路复用器,40GHzCMOS低功耗注入锁定分频器,24GHzCMOS射频前端和17GHzISM/WLAN的CMOS射频前端等.同时,介绍CMOS射频集成电路的几种主要应用,如无线局域网和射频识别等.     

毫米波CMOS集成电路的现状与趋势

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能.简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势.     

CMOS射频集成电路的研究进展

近年来，射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展，CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨，着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案；分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展；展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。     

单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态

论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点.同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势.     

高速宽带应用的毫米波CMOS集成电路

近年来,随着可应用于几个Gb/s无线通信的非许可60GHz频段的开放,低成本的毫米波单片集成电路已成为研究和开发的热点。论文简述了CMOS射频集成电路的发展历史,介绍了IEEE 802.15.3工作组提出的60GHzISM毫米波工作频段的特性,阐述了毫米波CMOS集成电路设计的若干关键技术。     

CMOS射频集成电路的现状与进展

随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能.本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题.首先介绍各种收发器的体系结构,对它们的优缺点进行比较,指出在设计中要考虑的一些问题.其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器.对各单元模块在设计中的技术指标,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论.此外,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法.最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法.     

应用于智能驾驶的77GHz毫米波汽车雷达收发机芯片

针对未来智能驾驶和无人驾驶对毫米波传感器多模式、多场景感知需求,设计并实现了一种77GHz多模毫米波雷达收发机芯片。芯片采用65nm CMOS工艺,集成了3路雷达发射机和4路接收机、调频连续波（FMCW）波形发生器、模数转换器以及高速数据接口等电路。利用交叉耦合中和电容技术提升了CMOS工艺上毫米波低噪声放大器、毫米波片上功放等电路性能,采用两点调制锁相环技术提升了FMCW信号带宽和调制速率。收发机的发射功率、波形样式、接收增益和带宽等参数具有较好的可配置性,满足未来多模式、小型化和低成本汽车雷达传感器需求。芯片测试结果显示,在76～81GHz频率范围内,接收机实现50dB的增益控制,最小噪声系数11dB,FMCW信号调频带宽达4.2GHz,调制速率达233MHz/μs,线性度优于0.1%,－45～+125℃全温范围内发射机典型输出功率大于13dBm。     

绞合线对上工作的全双工数字收发机模拟前端

已经研制成适合回波对消的绞合线对上工作的全双工数字收发机模拟前端CMOS芯片。这个芯片包括发射、接收、平衡、均衡等滤波器以及12位6μs的自校准A/D转换器。此芯片与数字信号信息处理机接口,执行收发机其余的功能,例如回波对消,自适应平衡,定时恢复等。     

CMOS毫米波亚毫米波集成电路研究进展

近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段.在未来10年内,硅基工艺将具备覆盖毫米波频段的能力,并在部分器件与系统上实现到亚毫米波频段或太赫兹的跨越.我国在该领域起步稍晚,但在国家重点基础研究发展计划("973"计划)、国家高技术研究发展计划("863"计划)和自然科学基金等的支持下,已快速开展研究并取得进展.文中概要介绍了国际上在硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统方面的研究背景和我国特别是东南大学毫米波国家重点实验室在CMOS毫米波亚毫米波集成电路方面的最新研究进展.