SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET

日前,Vishay宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190V n通道功率MOSFET-SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0．75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封装的SiA850DJ还是在18V VGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。     

Si$443DN／SiSS27DN：MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件,扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4．5V栅极驱动下具有较低的导通电阻,是-40VP沟道GenIII器件;SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。     

SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

具有极小占位面积的20V N通道功率MOSFET＋肖特基二极管

SiB800EDK将具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与在1．5V VGS时具有0．96Q低导通电阻的MOSFET结合在PowerPAK SC-75封装中。当便携式电子设备变得越来越小时,元器件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积,SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36％,     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

SiE726DF：30V单片功率MOSFET/肖特基二极管

Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar-PAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。     

SiA975DJ：P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。     

Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP

日前,威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。     

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的优化设计

SiC floating junction Schottky barrier diodes were simulated with software MEDICI 4.0 and their device structures were optimized based on forward and reverse electrical characteristics. Compared with the conventional power Schottky barrier diode, the device structure is featured by a highly doped drift region and embedded floating junction region, which can ensure high breakdown voltage while keeping lower specific on-state resistance, solved the contradiction between forward voltage drop and breakdown voltage. The simulation results show that with opti- mized structure parameter, the breakdown voltage can reach 4 kV and the specific on-resistance is 8.3 mΩ·cm2.     

结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管,具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC）,占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件,用以驱动串联白光LED,为智能电话的显示屏（以及按键,如果有键盘）提供照明。该解决方案对各种动态特性做出仔细精确的优化,实现很低的开关损耗,从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。     

用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管

在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。