具有极小占位面积的20V N通道功率MOSFET＋肖特基二极管

SiB800EDK将具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与在1．5V VGS时具有0．96Q低导通电阻的MOSFET结合在PowerPAK SC-75封装中。当便携式电子设备变得越来越小时,元器件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积,SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36％,     

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。     

具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管

Vishay Intertechnology,Inc．推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。     

高性能薄型MOSFET

编号为FDME和FDFME的MicroFET MOSFET产品采用超紧凑、薄型（1．6mm×1．6mm×0．55mm）封装,可满足便携产品设计人员对效率更高、外形更小更薄器件的需求。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,     

SiE726DF：30V单片功率MOSFET/肖特基二极管

Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar-PAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。     

泰克公司发布音频响度测量方案

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF．NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10V时分别拥有2毫欧（mf／）、3mΩ及5mΩ的最大导通阻抗（RDSION）值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。     

电源管理

LT3495/-1:低噪声升压型转换器Linear推出低噪声升压型转换器LT3495/-1,该器件具有集成的电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。LT3495使用650mA开关,而LT3495-1使用350mA开关。这两款器件都采用2mm×3mm DFN-10封装。2.3V至16V的宽输     

安森美半导体集成肖特基二极管的30 V MOSFET问世

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管以在大功率应用中提供高效率电源“或”和电源保持

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出0～18 V双通道理想二极管控制器LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源"或",且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降,以在二极管"或"应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管

在N型6H-SiC外延片上,通过热蒸发,制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积,进行同质外延生长,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性,该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V,室温下,反向电压VR＝200V时,反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层,作为边缘终端,二极管的击穿电压增加到约为800V．     

用自供电的运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0．8V时提供有源整流。     

具反向保护的有源整流器控制器

亚德诺半导体公司宣布推出Power by Linear?的有源整流器控制器LT8672,该器件具有至–40V的反向输入保护。其3V至42V输入电压能力非常适合汽车应用,这类应用具低至3.0V的最低输入电压和高达40V的抛载瞬变,在冷车发动和停-启情况下,必须始终保持稳定。LT8672驱动一个外部N沟道MOSFET,具20m V压差,与肖特基二极管相比,功耗可降低90%,无需昂贵的散热器。汽车应用要求在高达100k Hz范围内对AC输入纹波整流。     

Vishay Siliconix推出符合DrMOS 规定的SiC762CD新型器件

Vishay Intertechnology．Inc．宣布推出集成的DrMOS解决方案——SIC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。     

2700V4H-SiC结势垒肖特基二极管

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS).在室温下,器件反向耐压达到2700 V.正向开启电压为0.8V,在VF=2V时正向电流密度122 A/cm2,比导通电阻Ron=8.8 mΩ·cm2.得到肖特基接触势垒qφв=1.24 eV,理想因子n=1.     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

Diodes推出DIOFET器件提升负载点转换器的效率及可靠性

Diodes公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品,将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS和DMS3015SSS器件适用于同步降压负载点（PoL）转换器的低侧MOSFET位置,有助于提升效率,同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。