外电场中钾原子共振三光子电离

本文报道了在外电场中钾原子里德堡态16＜n＜31的共振增强多光子（2＋1）电离谱，观测了4s－up态的二光子禁戒跃迁以及电离信号与外电场之间的关系．同时讨论了空间电荷效应对信号测量的影响。估算了多光电离中间态的共振增强阈值。实验结果与理论分析一致．当原子处于很高激发     

NO分子H2∑ 态共振增强多光子离化谱

利用皮秒Nd：YAG激光器三倍频(355nm)输出泵浦的光学参量发生／放大器作激发源，获得了NO分子在585～645nm波长范围内的共振增强多光子离化(REMPI)谱。离化信号随激光强度的近5次方变化关系表明．NO分子吸收5个光子而离化，根据计算可以确定存此波长范围内NO分子通过中间共振态H^2∑^态而离化，离化通道为NO（X^2Ⅱ)→4hvNO(H^2∑^)→1hvNO^ e。由实验数据计算了H^2∑^态的基振动频率和振动力常数，并讨论了NO分子在4 1离化过程中所表现出的特殊跃迁选择定则。     

激光质谱法对氯代乙烯的痕量快速检测研究

获得了在超声分子束条件下，305.0～325.0nm波长范围内三氯乙烯及四氯乙烯的（2＋1）共振增强多光子电离／飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。在此波段，三氯乙烯分子通过双光子跃迁至3d里德堡态再吸收一个光子电离而后解离成CCl^-等碎片离子，四氯乙烯分子则经历了π到3p德堡态的（2＋1）多光子过程。实验分别获得两种氯代乙烯分子电离解离后产生的碎片离子CCl^-的分质量光谱及光强指数。研究表明，该波长范围内三氯乙烯的最佳检测波长为310．8nm，四氯乙烯的最佳检测波长为322.5nm。根据CCl^-信号强度与样品浓度的线性关系，实现了这两种环境污染物的低浓度探测，探测限可达到μg／L量级。     

480nm激光器的双光子DAVLL谱稳频

480nm激光的稳频对于实现铷原子从基态双光子相干激发到里德堡态必不可少。本工作基于梯形构型下的电磁诱导透明现象,一种新的480nm激光器稳频技术采用偏振谱稳频的780nm激光作为探测光而480nm激光则作为耦合光,在外加偏置磁场作用下产生的双光子双色原子气体激光锁频（DAVLL）谱方法,将该谱信号通过比例-积分-微分电路后反馈回480nm激光器即可实现稳频。在频率锁定后,480nm激光器和780nm激光器长时间稳频的总线宽为1MHz左右。     

Cs（7DJ）＋Cs（6S1／2）间的碰撞能量转移

脉冲激光双光子激发Cs（6S1／2）到Cs（7Dj）态,在样品池条件下,利用原子荧光光谱方法研究了Cs（7Dj）＋Cs（6S1／2）的碰撞能量转移过程。利用三能级模型的速率方程分析,在不同的Cs（6S1／2）密度下,通过对直接荧光和转移荧光的时间积分荧光强度测量,得到了7D5／2→7D3／2精细结构转移截面为σ=（2．9±0．7）×10^-14cm^2。而碰撞转移到7Dj以外的猝灭截面分别为（7．4±2．1）×10^-14cm^2（对J=5／2）和（6．6±1．8）×10^-14cm^2（对J=3／2）。结合已有的实验结果,得到7DJ转移到8P态的截面分别为（0．6±0．3）×10^-14cm^2（对J=5／2）与（0．8±0．4）×10^-14cm^2（对J=3／2）。7D态主要是通过碰撞能量合并的逆过程[即7Dj＋6S→5D＋6P）猝灭。     

NO分子通过C~2π、F~2Δ等共振中间能级的多光子电离

共振增强多光子电离(REMPI)的信号中带有共振中间能级的信息。在364～370nm和475～487nm两个波长范围内的NO分子多光子电离光谱分别对应于NO的(2+1)和(3+1)REMPI过程。 我们对光谱作了分析。并得到了其它电子态的高振动激发态的信息。     

实现Na2b^3∑g^＋-x^3∑u^3辐射的新途径

本文报道了用共振泵浦Na（3P）态，通过Na（3P）＋Na（3S）复合而获得Na2（b^3∑g^＋）态粒子数布居的可能，以及用双光子共振泵浦Na（4D）态获得b^3∑g^＋-x^3∑u^3受激发射。     

NO分子420～495 nm波长范围的共振多光子离化谱

以皮秒Nd：YAG激光器泵浦光学参量发生，放大器(OPG/OPA)做激发源，得到了NO分子在420～495nm波长内的共振增强多光子离化(REMPI)谱，离化信号随激光强度的近4次方变化关系表明，NO分子通过吸收4个光子而离化，NO分子由基电子态X^2Ⅱ(v”=0)经过中间共振态A^2∑(v’=0．1)、F^2△(v’=0，1，2)和H^2∑(v’=0．1，2)，通过(2 2)或(3 1)过程而离化。利用最小二乘法拟合获得了NO分子A^2∑、F^2△和H^2∑态的振动常数及平衡位置的力常数，结果与文献报道基本符合。     

Zn(BTZ)2发光层厚度对白色电致发光器件发光光谱的影响

制备了结构为ITO／TPD／Zn（BTZ）2Al的有机电致发光（EL）器件，经测试发现，Zn（BTZ）2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响。当Zn（BTZ）2层厚度分别被控制在50和80nm时，EL谱中都只有1个峰，其峰值分别为580和470nm；当Zn（BTZ）2层厚度被控制在50～80nm时，EL谱同时出现470和580nm的2个峰，且它们的相对发光强度与Zn（BTZ）2层厚度也有关系，随着Zn（BTZ）2层厚度越接近80nm（或50nm）时，EL谱峰值为470nm的光就相对越强（或弱），峰值为580nm的光就相对越弱（或强）。通过调整Zn（BTZ）2层厚度，在65nm左右时得到色度较好的白光器件，其色坐标为（0．33，0．33）。为了研究器件的光致发光（PL）谱，制备结构为TPD／Zn（BTZ）2的有机薄膜，经测试发现，薄膜PL谱与Zn（BTZ）2层厚度无关，其光谱峰值在480nm处，与相关文献报道一致。对上述现象进行了分析。     

Ni(pz)_4Br_2型络合物的光、热、磁性质的理论研究

本文利用d8（D*（4h））对称性与d8（D*（2h））对称性线性叠加d8［（1－C2）D*（4h）＋C2D*（2h）］作为Ni2+离子的环境品场，借助于强场能量矩阵和全组态混合EPR理论对Ni（pz）_4Br_2型络合物的吸收光谱、肖特基（Schottky）热容量和顺碰碰化车进行了统一计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好．从而对Ni（pz）_4Br_2的光、热、磁性质作出了完整、合理的理论解释．     

Rb原子4p和5s次壳层双激发里德伯态的研究

报道了４ｐ６５ｓ２Ｓ１／２→４ｐ５ｓ（３Ｐ２，１，０，１Ｐ１）ｎｓ，ｎｄ内壳层跃迁产生双里德伯激发态的光谱，与最新实验值进行了比较，并分析了内部通道在重叠区域作用的规律。     

二能级系统共振增强多光子电离过程的理论研究

通过求解二能级系统含时密度矩阵元微分方程，对原子系统在共振和近共振情形下的激光共振增强多光子电离（REMPI）过程中的光电离几率进行了理论推导与分析，得到了光电离几率的解析表达式；研究了氧原子经共振态2p^34p（2＋1）共振增强多光子电离的电离几率与激光脉宽、激光光强及失谐量等参数的关系；给出了共振情形下电离饱和与激光脉宽和激光光强之间的关系式。计算结果表明，对于近共振情形（△较小），激光脉宽和强度一定时，电离几率随着失谐量的增加而减小；当失谐量一定时，光电离几率随光强的增加而增加，光强增加到一定程度时光电离几率出现饱和。对于共振情形（△＝0），激光光强越大，电离几率随脉宽增加的幅度越大。     

参量匹配对双色双共振多光子电离几率的影响

以寻求提高共振增强多光子电离(REMPI)几率的物 理参量为研究目的,采用光和物质相互作用的密度矩阵方程 理论,数值模拟了双色双共振多光子电离过程中泵浦和探测光的参量匹配对电离几率的影响 。结果发现,一定条件下,提高电离 几率的最佳匹配条件是:1) 两束激光强度、脉冲宽度均相等且取值较大; 2) 两束激光无 相 对延迟,输出频率和相应激发跃 迁共振。对1+1+1经探测光双光子共振吸收电离过程,电离几率对探测光更敏感。实际应用 中,若不能保证最佳匹配条件 的实现,应尽量提高探测光的强度、脉冲宽度及近共振吸收;若实验条件不能实现激光频率 和相应跃迁的共振激发,可采 用失谐量互补的两束激光同时作用于系统,通过双光子共振吸收过程提高电离几率。     

C2负离子B2∑+μ←X2∑+g激光诱导荧光激发谱

由CH4/Ar放电产生C2负离子,在超声射流条件下,观测到B←X(1-0)跃迁的激光诱导荧光激发谱.对该谱带的转动结构进行了标识,并得到X(v=0)和B(v=1)态的转动常数.另外测量了B(v=1)振动态的寿命,其寿命为80±1 ns.     

CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究

采用统计实验方法研究了利用SF6 Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。     

对氯苯酚的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验研究了气相对氯苯酚分子的共振增强多光子电离飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),获得了在275～285 nm激发波段的母体离子和主要碎片离子(C6H5O ,C5H5Cl C6H5 ,C5H 5,C4H 3,C3H 3)的(I I)REMPI激发光谱.通过质谱光谱分析,结合分子在中间激发态的能级和结构特征,对主要碎片离子的形成机理进行了研究.结果显示:各个碎片离子与对氯苯酚的母体离子具有相似的光激发谱,并且各个谱峰与S,1态的振动能级是一一对应的.说明各个碎片离子和母体离子的产生经历了相同的共振中间态.分子先吸收一个光子到达中间共振态,然后再吸收一个光子到达电离态电离.根据碎片离子光强指数的阶梯形分布和分子在S,1态的结构特点.判断各个碎片离子经历了母体离子的阶梯式离解,并给出了主要碎片离子的离解通道.     

SF_6分子V_2+V_4带高分辨二极管激光光谱的研究

给出了用LS-3二极管激光光谱仪记录的SF_(6v_2+v_4)合频带的高分辨光谱,观察到重球陀螺分子核运动角动量改变的跃迁。     

260-285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260-285 nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱(REMPI-TOFMS)。结合在266 nm激发波长下得到的C6H7N 、C5H6 、C4H3 、C3H3 、C2H4 及H2CN 离子的光强指数及不同激光能量下各离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至1B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N ,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6 、H2CN 、C6H5 ,碎片离子C6H5 继续吸收光子解离产生C4H3 、C3H3 、C2H4 ,并给出了可能的解离通道。     

在300um波段OCS分子的多光子电离谱

本文首次测定了ＯＣＳ分子在２９９～３０２ｕｍ波段的多光子电离谱。这一段的谱线被归属为Ｄ１Σ＋←Ｘ１Σ＋的跃迁。通过激光功率和离子信号强度的关系，认为ＯＣＳ分子多光子电高经历了（２＋１）三光子电离的过程。此外，还考察了ＯＣＳ的压力对离子信号强度的影响，并对此进行了讨论。     

Epitaxial graphene gas sensors on SiC substrate with high sensitivity

2D material of graphene has inspired huge interest in fabricating of solid state gas sensors.In this work,epitaxial graphene,quasi-free-standing graphene,and CVD epitaxial graphene samples on SiC substrates are used to fabricate gas sensors.Defects are introduced into graphene using SF6 plasma treatment to improve the performance of the gas sensors.The epitaxial graphene shows high sensitivity to NO2 with response of 105.1%to 4 ppm NO2 and detection limit of 1 ppb.The higher sensitivity of epitaxial graphene compared to quasi-free-standing graphene,and CVD epitaxial graphene was found to be related to the different doping types of the samples.