在CdSxSe1—x半导体微晶中激子的能量分裂及其光学非线性增强

制备了微晶平均尺寸不同的两种ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ半导体微晶限域玻璃。实验研究表明；对微晶尺寸小于激子的玻耳半径的样品，能观察到激子的室温吸收和荧光发射，并且激子共振吸收使三阶光学非线性增强；而对尺寸较大的样品其光学性质类似于体相半导体。     

在CdSxSe1—x半导体微晶中激子弛豫过程的动力学研究

运用速率方程和非相干光时延四波混频对ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ半导体量子限域玻璃中激子的动力学过程研究表明：由激子复合速率决定的三阶光学非线性时间仅２．５皮秒，而表面陷阱俘获电子一空穴对所需时间长达几百皮秒。     

半导体纳米材料的光学性能及研究进展

本文综述了近年来半导体纳米材料光学性能方面的研究进展情况，着重介绍了半导体纳米材料的光吸收、光致发光和三阶非线性光学特性。     

镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态

介绍了有关镶嵌于介质半导体钠米颗粒非线性光学性质的研究动态，这种材料具准零维量子点特征，其三阶光学非线性系数大，响应快，功耗低，在光开关，光存储及全光逻辑运算等领域具有广阔的应用前景。     

各向异性半导体掺杂复合材料的光学非线性增强特性

本文研究了半导体掺杂复合材料微结构的各向异性对材料的光学非线性增强的影响。利用Stroud-Hui的表达式,我们给出了半导体掺杂复合材料的有效三阶光学非线性极化率的频率响应。结果表明,复合材料微结构的各向异性能够使得整体复合材料的非线性光学增强达1－2个量级。     

Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.4）中的Nx和NГ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中的Ｎｘ和ＮГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮГ→Ｎｘ的带间能量转移现象。从变温光致发光谱得到在温度Ｔ〈５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（Ｎｘ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ〉５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）     

改进了的光场—boson元激发非线性耦合的激光模型

在我们最近提出的光场Ｂ－ｂｏｓｏｎ元激发耦合激光模型的基础上，通过附加一个抽运系统的速率方程，将原先的激光动力学加以改进，以图整个系统的运作趋于更完备的远离平衡自组织。经过这样改动以后，改进后激光动力系统的速率方程组和描述光场与二能级原子相互作用的麦克斯韦－布洛赫方程组在形式上也有其更加相似之处；两者的自由变量与外控参量都有一一对应关系。     

GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和反应气体浓度分布的变化。计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳＩ外延层中Ｓｉ，Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系。     

Si1—x—yGexCy材料的外延生长方法

本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。     

半导体激光器的非线性失真特性及预失真补偿研究

在大气激光通信中,半导体激光器是最为常见的光源器件,它的特性指标对整个系统的性能影响较大。首先对激光器的非线性进行建模,然后详细讨论了半导体激光器的线性化方法和映射函数的建立过程, 最后根据激光器的现有工作状态进行实际测量,得到实际的激光器的I-V特性曲线。基于Volterra 级数理论建立半导体激光器的非线性模型并进行曲线拟合得到三次多项式系数,设计预失真补偿法方法对激光器的非线性效应进行校正,并通过实验验证了该方法的有效性。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xTe的巨法拉第旋转和激子能量

在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系．还研究了法拉第旋转随温度的变化，得到激子能量的温度系数为－７．３×１０－６ｅＶ／Ｋ（ｘ＝０．３），首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度．     

GexSi1—x／Si异质结器件的研制现状

介绍了应变层GexSi1-x/Si异质结构的生长，材料特性及其在异质结双极晶体管（HBT），双极反型沟道场效应晶体管（BICFET），调制掺杂场效应晶体管（MODFET），谐振隧道二极管，负阻效应晶体管（NERFET），毫米波混合隧道雪崩渡越时间（MITATT）二极管入和光电探测器等器件中的应用状况，并指出了其发展前景。     

直接调制1.3μmDC—PBH珐珀半导体激光器的非线性动力学研究

本文从理论上研究了半导体激光器的非线性动力学性质，并对国产１．３μｍＤＣ－ＰＢＨ型法珀半导体激光器的非线性特性进行了系统的测试，两者得结果吻合。     

Mg_xZn_(1-x)O纳米材料的研究进展

近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。