宽离子束刻蚀微透镜阵列研究

本文对宽束离子束刻蚀技术进行了研究，并运用宽离子束对微透镜阵列进行了刻蚀，表明宽离子束可进行微米、亚微米刻蚀。     

红外焦平面用面阵微透镜的氩离子束刻蚀制作

讨论了制作大面阵矩底拱面状微透镜阵列的工艺条件，给出了氩离子束刻蚀制作红外焦平面用面阵微透镜的离子束刻蚀速率的经验关系式，通过实验获得了光电材料几种常用的氩离子束刻蚀速率与氩离子束能量之间的关系曲线，用扫描电子显微镜测量了所制微透镜阵列的微结构形貌特征。     

线列混合型石英微透镜/红外探测器阵列的研究

阐述了利用离子束刻蚀技术制作线列长方状拱面石英微透镜阵列的工艺方法，对所制微光学元件的光学性能进行了测试和讨论，所制成的石英微透镜阵列器件在线列ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜红外探测器上得到了应用。实验结果表明，混合型的石英微透镜／红外探测器结构显著改善了线列ＹＢＣＯ高温超导薄膜红外探测器的光响应特性。     

离子束刻蚀制作用于红外焦平面探测器的面阵石英微透镜

面阵红外焦平面结构由于具有体积小、重量轻、功耗低、噪声小、灵敏度和可靠性高等特点而在军事及民用领域获得了应用,国外已有文献报道填充系数为４０％左右的面阵红外焦平面凝视阵列的情况,国内也已制成了填充系数为３５％的面阵肖特基势垒红外焦平面阵列。红外焦平面阵列的红外响应均匀性及空间分辨率和灵敏度是衡量其性能优劣的几项重要指标。通常情况下,空间分辨率的提高可以采取缩小像素面积,增大阵列规模来实现,但像素的     

硅微透镜阵列

采用融熔法制备球冠形的光致抗蚀剂掩膜，用离子束刻蚀实现球冠形向硅片上转和多，有效地在较低衬底温度下（低于２００℃）制备出了硅微透镜阵列，通过扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针实验证实了微透镜为球冠形。     

凹型Si微透镜阵列的制作

提出了一种新的曲率倒易法首次成功地在Si衬底上制作出64×256凹柱面折射微透镜阵列,扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹柱面阵列,表面探针测试结果显示凹微透镜阵列表面光滑、单元重复性好,其平均凹深为2.643μm,凹深非均匀性为8.45%,平均焦距为-47.08μm.     

折射微透镜制备中的离子束刻蚀过程的计算机模拟

建立氩离子束对光刻蚀胶微透镜的刻蚀模型,模拟折射微透镜制备中的离子束刻蚀工艺过程。通过模拟可以在预先获得离子束在不同倾斜入射状态下所得到的折射微透镜的截面轮廓,为优化离子束的刻蚀工艺奠定基础,同时也可以确定刻蚀过程的终点时刻。     

折射微透镜制备中离子束刻蚀过程的计算机模拟

建立氩离子束对光刻胶微透镜的刻蚀模型,模拟折射微透镜制备中的离子束刻蚀工艺过程。通过模拟可以预先获得离子束在不同倾斜入射状态下所得到的折射微透镜的截面轮廓,为优化离子束的刻蚀工艺奠定基础,同时也可以确定刻蚀过程的终点时刻。     

128×128凹型GaAs微透镜阵列器件的制作研究

提出了一种制作 12 8× 12 8球冠型GaAs凹折射微透镜阵列新的方法———曲率倒易法。扫描电子显微镜(SEM )显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹球冠面阵列 ,表面探针测试结果显示阵列表面光滑、单元重复性好 ,其凹深为 1 2 6 8μm ,焦距为 - 35 2 0 4μm。     

微透镜列阵的离子束刻蚀及衍射效率测量

采用Kaufman离子刻蚀微透镜列阵并采用实时检测系统对刻蚀深度进行了控制.提出了测量微透镜列阵衍射效率的一种方法,对测量误差进行了讨论.     

微透镜阵列的制作及其与图像传感器的集成

介绍了利用硅、熔融石英和聚酰亚胺等材料制作折射和衍射微透镜阵列的工艺和结果,以及这些微透镜阵列分别与红外、可见光图像传感器的集成应用.微透镜与红外256×256PtSiCCD的集成结果表明,微透镜填充系数提高了2.3倍,成像质量明显改善.     

玻璃微透镜阵列的制作工艺研究

对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。     

一种基于空间光调制器的微透镜阵列制备技术

提出了一种基于空间光调制器的并行光刻制备微透镜阵列的技术。采用数字微反射镜器件输入光刻图形,结合热回流技术,制作任意结构和排布的微透镜阵列。无限远校正显微微缩光学系统的长焦深保证了深纹光刻的实现,热回流法提供了良好的表面光滑度。与传统逐层并行光刻和掩模曝光技术相比,提出的技术方案更加便捷灵活,特别适合制作特征尺寸在数微米至百微米的微透镜阵列器件。得到的微透镜阵列模版经过电铸转移为金属模具,利用紫外卷对卷纳米压印技术在柔性基底上制备微透镜阵列器件,在超薄液晶显示、有机发光二极管(OLED)照明等领域有广泛应用。     

实时灰阶掩膜技术制作微透镜列阵

提出一种制作连续微结构的实时灰阶掩膜技术 ,它将液晶显示 (LCD)系统和投影光刻系统相结合 ,利用液晶显示系统实时显示一系列二值图形来获得连续的灰度记录 ,给出了原理分析。基于部分相干光成像理论 ,进行了微透镜制作的计算机模拟。建立了实验装置 ,并采用全色卤化银明胶 (Kodak131)通过酶刻蚀得到半径为 5 9 33μm ,深为 1 6 38μm的 5 6× 4 8微透镜列阵     

一种新型聚合物微透镜阵列的制造技术

提出了一种利用软模压印制备微透镜阵列的技术.采用传统的光刻胶热熔方法制备微透镜阵列母板,利用复制模具的方法在聚二甲基硅氧烷(PDMS)上得到一个和母板表面图形相反的模具,最后通过压印的方法把PDMS模具上的图形转移到涂有紫外固化胶的玻璃基片上,待紫外胶完全固化后可得到和母板一致的微透镜阵列.经过测试微透镜阵列的焦点图像和表面形貌可发现最后制备的微透镜阵列表面形貌均匀、聚焦性能良好、光忖强均匀.     

微透镜阵列的制作及其在光场成像中应用的研究进展

文章综述了微透镜阵列制备技术的最新研究进展,并将这些制备方法分为直接法和间接法进行了对比分析。回顾了微透镜在光场成像应用中的研究进展,指出目前该领域的研究重点是光场相机设计的新思路及提高分辨率的相应模型算法。     

聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究

利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。