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在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb II类超晶格材料的能带结构.同时, 计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量, 以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算, 并与实验结果进行比较, 超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化, 带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料, 非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长. 相似文献
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四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算 总被引：1，自引：0，他引：1
在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In) Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与实验结果进行比较,超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化,带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料,非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长. 相似文献
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介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。 相似文献
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随着MBE和MOCVD生长技术的发展,已能生长出高质量超薄层的外延材料,使能带工程技术成为目前国内外的热门研究课题。该技术可使光电器件和电子器件的性能得到明显的改进和提高。本文主要论述了能带工程在半导体激光器中的应用。 相似文献
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光子晶体超晶格的能带折叠 总被引：4，自引：0，他引：4
我们分析了光子晶体超晶格的能带结构，光子晶体超晶格的能带与半导体超晶格的相同，都有能带的折叠现象。一维光子晶体超晶格的每条能带被折叠成M条，二维光子晶体超晶格的第一条能带被折叠成M^2条，M是每个维度晶格放大的倍数。显然如果是三维光子晶体超晶格，每一条能带将被折叠成M^3条。 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1999,36(2):20-21,F003
半导体激光器是现代光电子学和光通信的关键部件之一。除运转于中红外（２～２０μｍ）的半导体激光器外，从可见光到近红外（０．５～２μｍ）波长的多数工作对气体传感之类应用（如污染控制和工业、化学过程控制）都是有益的。这些较长波长的激光器主要以铅盐半导体为基... 相似文献
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ZnSe基蓝绿色半导体激光器研究进展 总被引：4，自引：0，他引：4
在全彩色显示,高密度激光存储,高速打印,高分辨图像处理和战地生化检测等强力推动下,ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器的研究近年来取得了里程碑式的研究结果。为了明确该领域的研究方向,以便分析在实用化进程中必须解决的主要问题。本文对ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器及其相关材料的研究进展进行了较全面的评述,作为比较,对ＧａＮ基蓝绿色半导体激光器的发展情况和尚待解决的问题也进行了简要评述。 相似文献
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