基于ISFET 的克咳敏传感器的研究

本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 .     

半导体场效晶体管型pCO2传感器研究

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。     

基于壳聚糖膜的ISFET 麻黄碱传感器的研究

以硅钨酸为电活性物质 ,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯 (PVC)作为成膜物质 ,制成药物敏感膜。将其与离子敏感场效应晶体管 (ISFET)相结合 ,制成药物敏感传感器。传感器对麻黄碱有良好的响应 ,能斯特范围为 5 0× 10 - 5～ 1 0× 10 - 2 mol·L- 1 ,响应的灵敏度为 5 8 3mV/pC(C的单位为mol·L- 1 ) ,适宜的pH范围是 3 5～ 8 0。利用该传感器分析麻黄碱片剂含量 ,结果和药典方法相一致     

DrugFET的研究(Ⅵ)——硅钨酸-普鲁卡因FET的研制与应用

本研究是将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药敏感膜相结合,而研制成的一种对普鲁卡因有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET).它是一种以硅钨酸为电活性物质,制成的PVC膜ISFET.对盐酸普鲁卡因响应的线性范围是1.0×10~(-1)—3.0×10~(-5)mol/L,斜率为57.5mV/pC(C:mol/L),检测下限为1.0×10~(5)mol/L.适宜pH范围为3.0~8.0.利用该传感器分析盐酸普鲁卡因注射液的含量分析结果和药典方法相一致.     

氟离子敏场效应管的研制

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。     

DrugFET的研究(VI) 硅钨酸一普鲁卡因FET的研制与应用

本研究是将离子敏感场效应晶体管??& ? () ? % 与药敏感膜相结合, 而研制成的一种对 普鲁卡因有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器?? + , ?. ( ) ? % 它是一种以硅鸽酸为电 活性物质, 制成的/0 1 膜2? () ? 对盐酸普鲁卡因响应的线性范围是? ? 只?? 3 ‘一4 5 6 ?? 一7 8 9 &: 2沪, 料率为; ! ; 8 0 : < 1 ?? 1 = 8 9 &: 2> % , 检测下限为& 9 ? ?? ; 8 9 &: 2泌 适宜< ? 范围为 4 ? 一Α ? 利用该传感器分析盐酸普鲁卡因注射液的含量分析结果和药典方法相一致     

铜离子传感器

离子敏感场效应晶体管是将电化学敏感材料的电化学特性与电子器件场效应晶体管(FET)的表面场效应特性二者结合而成的一种化学敏感器件,其制备方法大多采用微电子技术直接镀膜。在前文的基础上,本文采用双管FET与高温粉末反应的CuS—Ag_2S直接制备组成Φ2mm的铜离子传感器。实验表明,该传感器性能良好、稳定性较     

国外半导体微生物传感器的发展动态

<正> 一、半导体微生物传感器发展概况及特点 自从1970年Bergveld提出利用普通MOSFET将其金属栅去掉,对溶液中的离子能起敏感作用,故把这种场效应晶体管叫做离子敏场效应晶体管(ISFET)。     

丁卡因涂丝场效应管的研制

离子敏感场效应管传感器(ISFET)是一种微电子化学敏感器件,它既具有离子选择电极对敏感离子的响应功能,又保留场效应晶体管的性能,是离子选择电极的制造工艺和半导体微电子技术相结合的产物。ISFET是全固态器件,体积小,易于微型化和多功能化。它本身具有高阻抗转换和放大功能,集敏感器件与电子元件于一体,因而简化了测试仪表和电路。又因其响应迅速,故适用于临床监测和药物生理的动态研究。1975年,Moss等人利用缬氨霉素PVC敏感膜制成K~+-SFET。我们以含丁卡因的离子缔合物为活性物     

一种适合离子敏感场效应晶体管的流动注射分析装置的研制

本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。     

一次通用型局麻药FET 传感器的研制与应用

报道了一种用四苯硼钠作为电活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯作为增塑剂的通用型局麻药 (普鲁卡因、丁卡因、利多卡因 )场效应晶体管传感器 (局麻药FET) .该传感器全固态化 ,体积小 ,易微型化 ,集成化和多功能化 .利用半导体工艺可以批量生产 ,价格便宜 ,可作为一次性使用 .用传感器分析局麻药品注射液的含量 ,结果和药典方法相一致     

场效应晶体管通用二维分析程序

登记号 880088 开发单位电子部55所功能简介本程序可用于分析砷化镓单栅、双栅肖特基势垒场效应晶体管,也用于分析埋栅型硅结型场效应晶体管。用户只要将器件的结构参数、材料参数,外加偏置条件输入计算     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

化学量传感器

<正> (一)离子敏场效应晶体管发展的历史概况 离子敏场效应晶体管是七十年代初出现并迅速发展起来的一种微型化学敏感器件,是电化学与微电子学相结合的产物。它既具有离子选择电极的功能,又具有场效应晶体管的特性,是一种与传统的离子选择电极截然不同的新型离子敏感器件。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

场效应功率管在提高开关电源工作频率中的应用

一、前言场效应功率管以其独特的性能和优势,同双极性功率晶体管相抗衡,使脉宽调制型的开关电源面临新的突破。开关工作频率可以从目前的25～50 K Hz提高到200 K Hz甚至500 K Hz。由于电源的高频化,大大缩小了电源的体积,这对于紧缩电子设备的体积和适用于高密度集成化的电路是必不可少的。近几年来美国、日本先后研制了场效应功率管,有的甚至已经制成了500 KHz的开关电源。本文对用场效应功率管作开关管的高频化开关电源的有关问题作了介绍。     

离子选择性场效应晶体管的新发展

离子选择性场效应晶体管作为一种新型的化学传感器,面对目前向信息社会转变的历史潮流及信息技术对信息采集、传输及处理的需要,在国内外日益得到愈来愈多的重视及发展。众所周知,在我们研究ISFET的过程中,以及ISFET的应用领域已不再局限于仅仅能对离子有响应,而对分子、大分子、甚至对生物物质有响应,而被称作Chem FET及BioFET。本文将综述近年来国内外在以场效应晶体管为基础的化学传感器的发展。     

第四届化学传感器国际会议(IMCS-4)1992年9月13日在日本东京召开

IMCS-4是继1983年7月日本春日(IMCS-1),1986年7月法国Bordeaux(IMCS-2)和1990年9月美国俄亥俄州克里夫兰(IMCS-3)之后,在化学传感器领域世界规模的第四次盛会。 IMCS-4征文第一次通知已经发出,征文主要内容包括下列十个方面:气敏、生物敏、离子敏、电化学敏、离子场效应晶体管和化学场效应晶体管、光敏、表面声波器件、新方法和新材料、传感器生产技术、传感器系统。     

固态pH传感器原理与应用

本文以美国奥立龙（ＯＲＩＯＮ）公司６１５７００型离子选择性场效应晶体管固态ｐＨ电极为例，介绍最新一代ｐＨ传感器的原理与应用。     

结型场效应晶体管低电平转换开关

本文主要讨论了利用结型场效应晶体管作低电平电压转换开关的优越性和尚待解决的一些问题,并对用这种元件制成的256点低电平电压转换装置的速度、精度和共模抑制能力进行了分析。