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本文介绍一种无线通信射频/微波组件的通用测试台。文中对几个测试实例的具体测试仪器配置进行了描述,其中包括S参数、放大器压缩点、混频器端口匹配、隔离和转换损耗以及TOI的测量。 相似文献
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磁元件中磁芯损耗和绕组损耗作为一个元器件中的两部分损耗两者本身难以分离开,目前还没有一种有效的既能测量给定励磁工况下磁元件绕组损耗,又能直接测量功率变换器中磁元件绕组损耗的测量评估方法。提出了一种可直接测量磁元件绕组损耗的方法,在磁元件中引入一个辅助绕组,通过分析被测绕组端口和辅助绕组端口之间电参数的关系,得到只体现被测绕组损耗的电参数,以获得被测绕组的损耗。最后,以空心电感作为测试对象,采用高精度的功率测量仪器对绕组损耗进行测量,通过阻抗测量法结合计算空心电感绕组损耗的方法进行验证,验证了所提方法的可行性和准确度。 相似文献
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<正> 在海底光缆的传输特性中,光纤的损耗特性和色散特性是影响中继区间长度的重要参数。海底光缆与以前的同轴海底电缆相比,传输损耗小,故可大幅度增长中继区间长度。进行系统设计势必要对中继区间内的损耗(即海底光缆的损耗)特性作高精度测量。由光源的调制频谱宽及海底光缆之色散特性所产生的模式噪声,在高度传输时影响特别大,且要影响中继区间长度,因此,对色散特性也必须像损耗特性一样作高精度测量。以往,色散特性是用脉冲延迟法(光源为固体激光器)进行测量的。该方法的测量装 相似文献
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针对目前太赫兹混频器测试方法功能单一、测试效率低等缺点,文章在基于矢网的微波混频器扫频测试方法的基础上,提出了适用于太赫兹混频器的扫频测试方法。该方法将矢网的测试频率由微波波段提高到110GHz以上的太赫兹波段,实现了太赫兹混频器的快速测试。为了证明新方法的可靠性,分别用 “信号源+频谱仪”测试方法和本文提出的测试方法对150GHz-170GHz四次谐波混频器进行实验验证。本文提出的扫频测试方法,不仅实现了太赫兹混频器的变频损耗、回波损耗等参数的快速测试,而且与“信号源+频谱仪”测试方法所测得得变频损耗结果互相吻合,对矢量网络分析仪在太赫兹频段的测试应用具有重要意义。 相似文献
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损耗、色散、非线性等是限制光信号长距离传输的主要问题,光纤拉曼放大器正是补偿损耗实现光长距离传输的有效方法。文章阐述了光纤拉曼放大器的原理及特点,提出了解决光纤长距离传输相应的技术对策。采用光纤拉曼放大器对传输光纤在损耗、色散、非线性及偏振模等方面进行优化,可以满足长距离、大容量传输系统的要求。分析了实际运用中的参数算法和相关指标要求,介绍了测试方法和结果,实现了光信号超长距离的传输。同时节约了工程建设投资,降低了通信运行维护费用,为光通信系统建设提供了参考。 相似文献
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组件生产出来,不管是生产厂家或者使用单位,都要经过严格的测试筛选,剔除不合格产品,并按组件质量的优劣进行分类,以满足不同使用条件的要求,从而避免组装出来的电子设备,不会因组件的静态、动态参数不合格,而影响其工作的稳定性和可靠性。为此,相继出现了多种类型的组件参数测试仪。例如指针式测试仪、半自动及自动分选仪、以及采用计算机或微处理器配以数据采集装置的全自动组件参数测试仪等等。指针式测试仪,结构简单、使用维修方便,但测试速度太低,况且连续测试,表头指针摆动很大,肉眼观测容易造成读数差错;虽然用计算机控制测试组件,提高了自动化水平,解决了测试速度问题,但若在一般中、小规模组件测试中使用,又感到设 相似文献
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介绍了一种应用于毫米波晶圆级集成基于Si BCB工艺的Ka波段双模带通滤波器。微带线结构的全波长谐振器具有低辐射特性,全波长环形阶跃阻抗谐振器(step impedance resonator, SIR)有两种正交谐振模式,可以减小滤波器尺寸。通过对基于环形谐振器的双模滤波器进行奇偶模分析,确定谐振器的设计参数。采用宽边耦合结构设计输入输出端口,具有高耦合度。仿真结果表明中心频率35 GHz,通带内插损1.2 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为15%。最后,采用Si BCB工艺制作滤波器并完成测试。测试结果为中心频率33.3 GHz,通带内插损1.17 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为18%。测试结果与仿真结果基本吻合。 相似文献
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碳化硅MOSFET的变温度参数建模 总被引:5,自引:0,他引:5
为在全温度范围内准确反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型。该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiC MOSFET静态特性随温度的变化,同时着重考虑了SiC MOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响。详细阐述建模原理,分析各个关键参数对SiCMOSFET静态特性及动态特性的影响,给出建模原理。搭建基于Buck变换器的SiC MOSFET测试实验样机,在不同电压点、电流点及温度点(25-125℃)下进行实验测试,并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较。比较结果高度吻合,功率损耗误差在10%以内,验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性,为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据。 相似文献
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