面阵电荷耦合摄象器件

本文介绍FT和IT结构面阵CCD的摄象工作机理、驱动要求、设计驱动电路应考虑的主要问题以及几个重要参数。     

2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件的研究

本文简要地阐述了2048位线阵电荷耦合光电二极管摄象器件(CCPD)的工作原理及器件的结构、制作特点,同时对一些主要的参数进行了研究、讨论。采用浅结低浓度的光电二极管阵列作为电荷耦合摄象器件的光敏元,取代了原来CCD器件的MOS光敏元,使光子在到达硅衬底之前减少了多层介质的光吸收和反射,大大地捷高了器件的蓝光响应,利用双重吸杂技术,使暗电流下降,器件性能明显提高。     

512×320位面阵电荷耦合摄象器件研制成功

电荷耦合器件(CCD)在摄象方面的应用是很成功的。我所继研制成功150×120位N沟三相硅交迭栅帧转移结构摄象器件之后,又于今年4月底研制出512×320位的大面积器件,采用同150×120器件同样的结构,用四次布线,八次光刻制成。器件采用P型(100)面单晶硅片,电阻率为20～30Ω.cm。芯片面积为16.1×10.4     

电荷耦合摄象器件的研制技术报告

本文讨论了与 CCD设计有关的某些参数的计算问题。选用了 N 沟二相多晶硅交迭栅结构及采用浮置扩散放大器作为信号输出方式,研制成1×128位线阵及32×32面阵帧转移电荷耦合摄象器件,并获得了一些实验结果。     

电荷耦合摄象器件的光谱响应与灵敏度

电荷耦合摄象器件(以下简称CCID),是一种用途相当广泛的器件。尤其是线阵CCID,对实时遥感系统来说是一种较理想的敏感器。本文针对我所研制的CCID,对其灵敏度与光谱响应进行了讨论,并对器件的结构做一概略介绍。     

使用电荷耦合器件线阵传感器的新型电视电影设备

1.概述目前,我国大多数电视台使用的彩色电视电影设备主要有两种,即彩色摄象机与间歇拉片放映机组合式电视电影设备和匀速拉片方式的飞点扫描(单光栅、双镜头和跳动光栅,单     

2048位线阵CCPD摄象器件性能测试

随着CCD应用领域的不断开发,CCPD的研究工作已成当务之急。到目前为止,我所继128、256、512、1024、2048位线阵CCD系列研究制成功之后,最近(84年)又研究制成功了一种性能更为优越的1024、2048位线阵CCPD摄象器件。本文报导了该器件主要特点。电荷转移原理以及主要特性测试。     

电荷耦合器件

一、引言 电荷耦合器件简称 CCD。首次发表于1970年3月,发明人是美国贝尔电话实验室的 W.S.Boyle 和 G.E.Smith。CCD 的出现是70年代电子学的一项重大进展,其工作原理和概念完全不同于过去建立在电压和电流调制理论上的所有有源器件。因此,有人认为它是电子学的第五代,即属于“分子电子学”领域的功能器件。正因为如此,它一出现就引起世界各主要国家电子科学界的普遍重视,短短几年内 CCD 便从实验室阶段进入了定型生产,并在具体应用中得到了突飞猛进的发展。用途主要有三个方面:成象、存储、模拟信号处理。由于     

固体摄象器件

固体摄象器件是指电荷耦合器件（Charge-Coupled Devices）（简称ccD）,这种器件是1970年由贝尔实验室的玻意（Boyle）和史密斯（Smith）提出来的一种新型半导体器件,在短短的几年之中就已经从实验室研制逐渐转入批量生产阶段。CCD的基本原理是在n型或p型硅衬底上生长一层厚度约1200埃的二氧化硅层,再在二氧化硅层上依一定次序淀积金属电极。通过在金属电极上施加时钟脉冲电压,在半导体     

医用摄象器件

1.医用摄象器件的发展二维摄象器件被用于医用装置的历史还很浅,近二十年来,由于光导式摄象管的相续研制与改进,加之 X 射线管及 X 射线象增强器(X 射线 I.I.)性能的提高,二维摄象器件在医疗领域中得到相当广泛的应用。我们以 X 射线电视摄象管在 X 射线诊断装置中的应用来看医用摄象器件的发展。五十年代初,光电式超正析象管(I.O.)被     

线阵CCD摄象传感器的栅氧化

线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其表面态密度一般控制在4×10~(10)/cm~2·ev左右(最低可达9.1×10~9/cm~2·ev)。本文着重叙述了氧化层参数与工艺的关系和实验中的一些做法,对TCE氧化的工艺条件进行探讨。     

特种固体摄象器件

本文介绍最近开发的几种特殊的固体摄象器件:伸缩式摄象器件、多功能摄象器件、高灵敏度摄象器件、PAN 摄象器件、摆动工作模式摄象器件。     

高性能固体摄象器件

日立制作所采用水平读出新方式研制出HE98241MOS型固体摄象器件,并于1986年2月开始商品化.这种器件在水平方向有信号读出线,每个象素都具有垂直和水平读出开关,同时在水平方向读出信号,每个水平信号线都有转换开关.因此,和以前垂直方向信号读出线相比较,     

科学电荷耦合器件

1历史、操作、性能、设计、制造和理论 1.1科学电荷耦合器件的历史 1.2操作与性能 1.2.1操作 1.2.2性能函数 1.2.3性能规范 1.3结构、设计、光刻与制造 1.3.1结构 1.3.2设计与光刻 1.3.3加工与制造     

电荷耦合摄像器件

本文列举了当前国内外常见的几种CCD摄像器件,并对其结构,性能的优缺点进行了比较。叙述了改进CCD摄像器件性能的工艺和器件像素数的突出水平。介绍了CCD彩色摄像管的几种结构。     

硅电荷耦合器件

一、引言在红外成像系统中,利用CCD的时间延迟积分(TDI)工作模式处理探测信号,可获得较高的信噪比和降低系统对探测器阵列均匀性的要求。TDI模式的简单原理如图1所示。相应视场中一点对探测器阵列作串联扫描,经延迟积分,对于几个探测器可得到     

红外电荷耦合器件

电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而     

580×392位面阵CCD电荷转移原理及其转移效率测试——用于固体摄象的电荷耦合器件

引言580×392位面阵CCD摄象器件具有动态范围大、转移效率高、灵敏度高、暗电流小、成象清晰等特点。且与光导管和其它摄象管相比,具有结构简单、性能可靠、体积小、重量轻、功耗低、寿命长等优点。本文首先报导该器件结构原理以及电荷转移原理,然后报导电荷转移效率测试原理及其测试方法。最后简要介绍器件特征和典型特性值。     

150元BCCPD线阵电荷耦合图象传感器

本文报道了150元BCCPD线阵电荷耦合图象传感器的结构特点和工作原理;分析了反型层的杂质分布、最大沟道电势与注入剂量、氧化层厚度和栅压等之间的关系。选测了BCCPD的转移效率等性能。     

高速高分辨率CCD线阵摄象器件——TCD105C和TCD103C

研制了高速高分辨率CCD线阵摄象器件TCD105C(3,648位)和TCD103C(2,592位)。这类器件由于芯片尺寸小,光敏元是高密度集成在一起的。采用P阱结构可以防止因高密度化引起光敏元之问信号隔离的变坏,因而在MTF中可得到70%(尼奎斯特极限)的高分辨率。另外,在CCD寄存器和输出电路之间设计了新的加速电极,达到了工作频率为20MHz的高速工作。