用正电子寿命方法研究Fe-Ni-Co合金中氢损伤

铁镍铬合金(型号4J29)是能和玻璃封接的定膨胀合金,主要用于晶体管、集成电路外引 线等。由于存在延迟断裂问题,影响了元件的可靠性。本文用正电子湮没方法对4J29合金中氢损伤行为进行了探讨。     

用正电子湮没寿命方法研究高能碳离子辐照纯镍的损伤分布

用42.5MeV/A的C~( 6)离子对叠层纯Ni样品进行辐照,剂量为1.33×10~(15)ions/cm~2。用正电子湮没寿命方法对辐照后的样品以4片为一组依次做测量,获得了样品中沿束流入射方向的损伤分布。实验所得到的损伤峰位置与理论计算结果基本符合。     

用正电子湮没研究12Cr1MoV钢蠕变损伤

采用正电子寿命测量研究了12Cr1MoV钢的蠕变损伤。寿命谱按三分量自由拟合进行分析。正电子平均寿命τ、缺陷寿命τ_2及其强度I_2随着蠕变损伤率的增加而增加。与形变和疲劳的研究结果不同,正电子寿命参数并未出现饱和现象。此外,当蠕变损伤率D>1％时,τ_2和τ_3增加很快,I_3可达到10％。这些特征有力地说明了在蠕变过程中空位导致空位团的生成,最后形成微孔洞。     

用正电子湮没寿命方法研究高能碳离子辐照纯镍的损伤分布

用42.SMeV/A的C~( 6)离子对叠层纯Ni样品进行辐照,剂量为1.33×10~(15)ions/cm~2。用正电子湮没寿命方法对辐照后的样品以4片为一组依次做测量,获得了样品中沿束流入射方向的损伤分布。实验所得到的损伤峰位置与理论计算结果基本符合。     

45钢热处理的正电子寿命谱分析

本文测定了45钢试样从820℃淬火并经200℃、400℃、600℃和740℃保温1小时后炉冷的正电子寿命谱。实验在一般的快慢符合正电子谱仪上进行。~(22)Na放射源的强度约为20μCi,仪器分辨率300ps左右,总计数约3×10~5。寿命谱的数据处理在微型计算机上进行,程序在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理,所得结果如图1所示。由图1可见,对于淬火试样,τ_1和τ_2的数值比减接近,I_2>I_1。随着回火温度的增加,τ_1减少I_1增加,τ_2增加I_2减少,这与回火温度增加位错密度和点阵静畸变减少以及空位集中形成空位团相关。     

充氢变形铁的变温正电子寿命谱研究

选用两对纯度为99.99％的退火铁样品1号和2号,将1号拉伸6.3％,2号拉伸10％,然后将1号样品用电解充氢法充氢两小时,充氢电流密度为64mA/cm~2,将两组样品分别从室温逐步升温至250℃,测量各温度下样品的正电子寿命谱。测量结果用positronfit程序进行三寿命分量的分解。     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

用正电子湮没寿命方法研究低温镀铁层的结构和晶粒

低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。 在45号钢上用无刻蚀镀铁工艺产生0.5mm厚的镀铁层,经100～1200℃和10～420分钟的不同退火温度和退火时间热处理,平均寿命τ_m的变化见图1、2。     

40CrNiMo钢中的氢扩散及正电子湮没

本文采用电化学渗透法测定40CrNiMo钢840℃淬火、不同温度回火(100—700℃保温1小时空冷)对氢扩散系数D、表面溶解度C及正电子湮没多谱勒展宽线型参数S的影响,论证了正电子湮没参量与氢扩散行为间的关系。试料于840℃淬火,再进行不同温度(100—700℃)保温1小时空冷回火处理。实验观察到D、C及S随回火温度变化有对应关系,D较小时C较大,S也较大。淬火马氏作D值较低,C较大,S也较大,这是由于淬火组织主要是板条状位错缠结马氏体和部分片状孪晶马氏体,并包含较多淬火空位,这些点阵缺陷会捕获氢和正电子所造成的。100℃、200℃回火,D、C及S的变化不明显;300℃回火时D升高而C及S降低,300℃回火与材料回火脆性区对应。这表明S参数对伴随回火脆性的显微结构变化较     

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了＾３２Ｎａ源的正电子在不同厚度Ｍｙｌａｒ膜,Ｎｉ膜衬底中的湮没几率,得出Ｓｉ,Ｆｅ、ＰＥ,ＰＰ４种样品在不同Ｍｙｌａｒ膜厚度下的衬底效应。结果,对ＰＥ、ＰＰ样品衬底铲应较Ｓｉ、Ｆｅ等样品强,表明用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法计算衬底效应是可行的。     

用正电子湮灭多普勒增宽技术研究稀土钢

包头钢铁公司利用加入微量稀土试制成功抗氢脆钢40MnNbR(含Mn 1.25％,Nb 0.04％,R代表稀土),但抗氢脆性能的机理尚有待进一步研究。本文通过测量各种热处理的40MnNbR和16MnR(含Mn1.25％)钢样的多普勒增宽线形参数随稀土含量的变化,研究加入稀土对钢的微观结构的影响,研究正电子在Fe和稀土之间的亲合性,以探索稀土钢的抗氢脆机理。     

纯铁中的氢致微观缺陷和氢-缺陷系统的正电子寿命

几十年来,人们对金属的氢致损伤问题的研究主要集中于金属的宏观力学性能和半微观性能。本文用正电子湮没技术研究氢对金属中小到原子尺度的微观结构的影响。 选用纯度99.99％的铁样品八对,经840℃、1.5小时真空退火后电解充氢,充氢电流密度分别为0、2、4、8、16、32、64、256(mA/cm~2),放置19小时后在室温下测量各样品的正电子寿命谱,实验结果用Positronfit程序进行三寿命分量的自由拟合,结果发现,所有充氢样品的平均正电子寿命τ_M和第二寿命成份的相对强度I_2都大于未充氢样品,并且随着充氢电流密度的增大而增大,说明铁中的氢可以引起微观缺陷浓度的显著增大。根据第二寿命成份的寿命值I_2(230～270ps),可以推知新增加的缺陷主要是各种空位,位错和微孔洞。     

用正电子湮没方法研究有机导体

本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。     

正电子和反氢

从正电子出发,综述了近三年多来人们在物质和反氢方面的研究进展。     

正电子湮没寿命谱仪

本文介绍正电子湮没寿命潜仪的方法、原理和类型,描述其主要电路,讨论其性能及影响因素。     

用正电子寿命谱研究铋系超导体的结构不稳定性

室温下测量下铋系２２１２相超导体的正电子寿命参数随时间的变化，发现正电子寿命，平均寿命和体寿命都随着时间的延长而减小，直到１３０天以后各个正电子寿命参数才稳定，这就明氧化物超导即使在室温下也是不稳定的，对由这种结构不稳定性经起的样品的电子结构，氧含量和空穴浓度等的变化进行了讨论。     

用正电子技术研究氢在Al、Cu中的行为

用阴极充氢方法对1000℃退火Cu、1000℃淬火Cu、600℃淬火Al进行充氢,分别测量了 充氢前后各组样品的寿命谱,用Positronfit程序解谱。结果表明充氢前后,与缺陷浓度相对应的正电子寿命参数I_2随充氢电流密度的增加而有所起伏。     

一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法

在Manninen等人的理论计算的基础上,根据无逃逸模型(即正电子被单空位捕获后一般不能逃逸)提出了一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法。 我们注意到Manninen的理论计算值和实验值偏离较大,认为产生这种偏离的主要原因是他们把均匀电子气中的Brandt公式运用到非均匀电子气中。考虑到正电子的湮没率λ(其倒数为寿命τ)应直接从λ=∫|ψ+(r)|~2n(r)γ(n)dr计算。式中,ψ(r)为正电子波函数,n(r)为电子密度,γ(n)为增强因子。按照无逃逸捕获模型及湮没率和单空位中电子密度的具体形式关系不大的看法,我们对Manninen利用HKS法计算所得的单空位中的正电子波函数作了球Bassel近似,对电子密度作了抛物线近似,同时取增强因子γ(n)≈γ((0)),其中n(0)为r=0处的电子密度。对于简单金属,我们得到如下公式