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研制出一种新型微桥结构的氧化钒非制冷红外焦平面探测器。该微桥结构采用列相邻像素共用桥腿的方式,极大地增加了桥腿长度,减小热导,能有效提高像元响应率并降低噪声等效温差(NETD)。同时该微桥结构采用双层工艺,增加桥面及氧化钒面积,提升填充率,进一步提升探测器性能。探测器器件阵列采用384×288,像素为12 μm,读出电路采用逐行积分、逐列输出模式,封装方式采用高可靠性的金属真空封装。测试结果表明,探测器的NETD不大于15 mK,响应率大于44 mV/K。其性能指标可以满足民用、军用等领域的应用需求。 相似文献
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热释电非制冷红外探测器具有成本低廉、无需制冷等优异特点,在红外探测和红外成像领域占有极其重要的地位.从热释电非制冷焦平面探测器的晶片制备、红外吸收结构设计、倒装互连等关键工艺的研究进行了阐述,其研究试验最终实现了320×240的成像演示. 相似文献
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对阿基米德斩波器及其工作状态进行了模拟,分析了探测器像元的曝光时间、曝光顺序、信号读出及其对后续信号均匀性处理的影响.结果表明:探测器曝光的非均匀性与信号读出模式直接影响后续信号的均匀性处理,阿基米德螺旋线的参数、探测器几何尺寸、斩波器与探测器的相对位置等均影响探测器的曝光顺序和电荷均匀性.在热成像系统总体设计以及电子处理系统设计时,必须综合考虑斩波器各参数的影响。 相似文献
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对阿基米德螺旋线调制斩波器的曝光效率进行了理论分析和数值模拟,得到斩波器曝光效率对后续信号处理的影响.曝光效率直接影响后续探测器单元的曝光时间及入射辐射信号,与探测器信号读出时刻共同影响探测器有效积累电荷的均匀性;同时应在斩波器中增加调制同步定位点,可使热像仪适宜不同曝光效率的斩波器.在热成像系统设计以及电子处理系统设计时,必须综合考虑斩波器曝光效率的影响. 相似文献
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非制冷长波红外焦平面列阵现状 总被引:4,自引:3,他引:4
文章介绍了非制冷测辐射热计和铁电陶瓷焦平面列阵的现状,包含8万个非制冷氧化钒红外探测器的焦平面列阵已制成热像仪,系统的噪声等效温差(NETD)为0.04℃,不需要制冷和机械调制入射辐射。多晶硅热敏电阻和硅p-n结温差电堆焦平面列阵的研究工作取得了进展,用溅射和化学汽相淀积技术已制成128×128元硅薄膜测辐射热计焦平面列阵,单元探测器的探测率为1×109cmHzW-1;128×128元温差电堆焦平面列阵的NETD为0.5℃。利用热释电效应和介电常数温度变化的铁电陶瓷焦平面列阵制成的热像仪,NETD已达到0.047℃。 相似文献
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采用多晶硅薄膜材料作为热敏电阻材料,以普通的IC工艺及微机械加工技术研制成功了在室温下工作的红外微测辐射热计,其多晶硅电阻温度系数为-2%℃-1,探测率D*达2×108cm·Hz1/2·W-1. 相似文献
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128元非致冷氧化钒红外探测器的制作 总被引:3,自引:5,他引:3
采用新工艺在氮化硅衬底上制备了室温时电阻温度系数为 - 0 .0 2 1K-1的氧化钒薄膜 ,以此为基础 ,利用光刻和反应离子刻蚀工艺在硅衬底上制作了 12 8元氧化钒红外探测器 .为了降低探测器敏感元与衬底间的热导 ,设计制作了自支撑的微桥结构阵列 .测试结果显示探测器的响应率和探测率在 8~ 12 μm的长波红外波段处分别达到10 4V/W和 2× 10 8cmHz1/ 2 W-1. 相似文献
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非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备 总被引:1,自引:3,他引:1
采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110)和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜.扫描电子显微镜(SEM)照片显示:薄膜表面呈针状晶粒状,而且薄膜表面光滑、致密,均匀性好.测试结果表明:氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在20℃分别为50KΩ和-0.021K^-1。 相似文献
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介绍了一种基于标准硅工艺的微悬臂梁非致冷红外探测器的设计和制作.由于氮化硅和铝的热膨胀系数相差很大,用这两种材料的薄膜做成的双材料微悬臂梁在红外辐射下温度升高并发生弯曲,微悬臂梁和衬底形成一个可变电容,通过检测电容的变化来反映微悬臂梁的弯曲,从而可以探测红外辐射的情况.利用外部测试设备对单元探测器进行测试表明,该微悬臂梁对红外辐射有很高的响应. 相似文献
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采用计算机控制和数据采集及处理技术,建立了一套热释电系数自动测量系统.实验结果表明,该系统不仅测试精度高,而且使用方便 相似文献