薄膜均匀性的有限元算法

应用有限元方法模拟计算了镀膜系统平行平面转盘在不同转速以及不同的镀膜时间下波分复用(DWDM)系统介质滤光片的成膜均匀性。结果表明,针对不同的膜料,合理选择转速和控制镀膜时间能够提高薄膜成膜的均匀性。     

金属封装外壳电镀层均匀性研究

本文研究了金属外壳的镀镍层均匀性以及和电镀挂具、电镀参数的关系,并提出了改进措施。研究结果表明,电镀层存在着较严重的厚度不均匀性,高电流密度区如引线、封口处厚度明显高于内腔,影响金属外壳引线的弯曲性能及封盖性能。通过电镀挂具的优化、改进,能改善电镀层的分布,提高电镀层均匀性,外壳的防护性及功能性均得到提高;通过运用多波形电镀技术也能提高镀层的均匀性．     

球面离子注入均匀性的计算机模拟

<正> 近几年来,金属材料的真空处理技术飞速发展,从原来的真空热处理,发展到今天的真空镀膜和在金属中的离子注入技术。无论是金属表面的镀膜还是在金属中注入离子,均可改善金属材料的机械性能。     

聚酰亚胺薄膜厚度均匀性分析

聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film),简称PI薄膜,是世界上最好的绝缘类高分子材料,本文简单论述了聚酰亚胺薄膜的生产工艺,并重点分析了厚度均匀性对薄膜力学性能、电气性能的影响以及测试和改进方法。     

GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

GaAsIC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

采用阳极屏蔽提高电镀厚度均匀性

在不改变电镀工艺参数及电镀设备的条件下,利用阳极屏蔽,提高印制板镀铜厚度均匀性。     

改善PCB阻焊膜厚度均匀性

本文介绍了PCB表面平整化和阻焊膜(剂)厚度均匀性的生产技术。     

Measurement Method of the Thickness Uniformity for Polymer Films

Several methods for investigating the thickness uniformity of polymer thin films are presented as well their measurement principles.A comparison of these experimental methods is given.The cylindrical lightwave feflection method is found to can obtain the thickness distribution along a certain direction.It is simple and suitable method to evaluate the film thickness uniformity.     

4 in硅基碲化镉的厚度均匀性研究

采用分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究。使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试。结果表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底。     

Ionic Electrodeposition Simulation of CdTe Thin Films

A modified Engelken’s kinetic model, which is based on the Butler–Volmer equation, was developed and simulated to predict the potential at which perfect stoichiometry is achieved in linear-sweep voltammetry. The simulation results were verified experimentally using electrodeposition and the following were determined: the exact potential at which intrinsic CdTe with perfect stoichiometry can be electrodeposited and the deviation from stoichiometry, which can be controlled accurately by adjustment of the electrodeposition potential. Moreover, we found that native nondegenerate p-CdTe and n-CdTe could also be deposited. In this research, the simulation parameters for Engelken’s model were established and corrected. Good agreement was found between the theoretical and experimental results, and accurate compound compositions were predicted.     

MEMS器件WLP封装温度特性的有限元模拟分析与实验

圆片级封装(WLP)技术是一种常用于微电子机械系统(MEMS)器件封装的有效方法。对于具有可动结构的MEMS器件来说,WLP的温度特性会对其性能和可靠性产生重要影响。通过对具有不同面阵列凸点分布形式的WLP封装结构进行有限元模拟,分析了封装过程中芯片有源面在温度载荷影响下的应力分布和变形情况,并通过实验对有限元模拟结果进行了修正。结果表明:对于具有3×3,6×6,9×9面阵列凸点分布形式的WLP封装结构来说,其芯片有源面变形的实际测试结果与修正后的模拟结果非常吻合,误差量分别为5.4%,4.1%和0.3%。     

提高红外器件磁控溅射沉积镀膜厚度均匀性的一种方法

介绍了一种提高红外器件磁控溅射沉积镀膜厚度均匀性的方法.这种方法被称为基片离心旋转法,是在保持磁控溅射靶不动及靶和样品台间距不变的情况下,通过样品台离心旋转的方法,补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布,是一种动态沉积法.这种方法可以在不改变磁控靶结构的情况下大大提高磁控溅射沉积镀膜的厚度均匀性.     

Cu CMP过程中背压对膜厚一致性影响

在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所受背压方面着手,研究了在不同背压参数情况下抛光后表面薄膜的一致性,得出了在工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2)时,最佳的背压参数为108 mdaN/cm2。采用此工艺参数进行抛光后得到的晶圆表面薄膜非均匀性为5.04%,即一致性可以达到94.96%,而且此时表面粗糙度为0.209 nm,从而得到了良好的抛光效果,为极大规模集成电路Cu布线化学机械平坦化的进一步发展提供了新的途径。     

扩散板表面微结构对均匀度与透光率的影响

基于Light Tools光学分析软件分析了光在球形微结构扩散板和圆锥及金字塔两种非球形微结构扩散板内的传输过程,比较了球形微结构扩散板和非球形微结构扩散板的均匀度和透光率;进一步分析了金字塔非球形微结构的顶角γ和切削量H对扩散板均匀度和透光率的影响。结果表明,金字塔非球形微结构扩散板的均匀度高于圆锥非球形微结构和球形微结构两种扩散板的均匀度,透光率介于圆锥非球形微结构扩散板和球形微结构扩散板之间。金字塔非球形微结构顶角γ越大,透光率越高,当γ=100°时,扩散板的综合光学性能最好,透光率达82.1%,均匀度达82.4%;切削量H越大,透光率越大,均匀度先增大后减小,当H=0.04mm,扩散板的综合光学性能最好,透光率为84.2%,均匀度为86.2%。     

不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究

采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性.实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性,75mm靶间距时,50 mm×60 mm及10 mm× 10 mm范围内厚度均匀性分别优于7%和1%.     

半球陀螺金属化膜层的均匀性模拟分析

该文将光学模拟技术与镀膜工艺结合,采用光线追踪程序来模拟溅射粒子在振子表面膜层的分布状态。通过模拟和相关实验验证,当设备相对角度β=10°、φ=60°时,振子表面膜层的均匀性最高,模拟值与实际测试值匹配度较好,误差在7%以内。