增强型功率MOSFET系列

近几年来,各公司越来越多地采用贴片式元器件(SMD)和表面贴装(SMT)来开发、生产各种新型电子产品,特别是便携式电子产品。为了适应这种发展趋势的需要,本刊从1998年第1期起,陆续介绍各种新型贴片式元器件,并由泉州市新新电子器材公司供货。     

功率MOSFET发展趋势

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。     

全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。     

用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性

负温偏不稳定性是ＭＯＳ顺件最重要的可靠问题之一。本文实验上发现ＭＯＳＦＥＴ的Ａ／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。     

功率MOSFET晶体管的导通电阻显著降低

STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为MultipleDrain Mesh(MDmesh),与该公司的已经获得专利保护的MeshOverlay horizontal layout相结合构成了新颖的漏极构造。 漏极分成许多小区,由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。 该公司还宣称,此种技术还具有     

利用新一代功率MOSFET——QFET改进开关电源的性能

新型功率MOSFET——QFET带有低通态电阻和栅极电荷。利用MOSFET——QEFT开关能够提高开关电源的效率。     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

150kHz的IGBT可取代MOSFET功率管

IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原因有二:首先是IGBT的速度还不够快,不足以应付许多应用;其次,尽管有迹象表明IGBT系统的成本应当更低,但实际上并不那么经济实惠——尤其是与MOSFET的极低价格相比更是如此.MOSFET能胜任许多应用,其价格在过去几年里已下降得很低.     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ,ＶＤＭＯＳ）的发展概况,叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能,特点与ＢＪＴ进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。     

功率MOSFET在开关电源中的应用

开关电源具有小型、高效、轻量等特点,广泛应用于工业类和消费类产品中,表1给出了其应用领域。 表1 开关电源应用领域     

功率MOSFET的数值模拟

功率UMOS结构相对于功率VDMOS结构的电压限制,通过对源漏沟道区掺杂不均匀的器件进行二维和两种载流子的数值模拟进行了比较;还对两种器件表面和体内的电场分布进行了比较;预估了UMOS由Si/SiO_2界面附近高电场强度引起的碰撞电离所导致的击穿电压下降现象。