高介电常数聚合物基复合材料研究进展

本文概述了目前高介电聚合物基复合材料的主要问题,论述了铁电陶瓷、导电颗粒(金属粒子、石墨、碳纳米管)改性高介电复合材料的国内外研究进展;重点介绍了酞菁铜、聚苯胺改性全有机高介电复合材料,探讨了存在的主要问题,并指出提高介电常数、储能密度,减小介电损耗,降低制备成本是未来发展的方向。     

高介电常数聚合物基复合材料的研究进展

具有良好加工性能和机械性能的高介电常数聚合物基复合材料正受到世界的极大关注,其在电气工程、微电子和生物工程领域有着广阔的应用前景.复合材料的介电性能主要由功能体的种类和组合形式所决定,因此高介电常数聚合物基复合材料的发展主要表现为功能体的发展.从功能体的发展出发,综述了高介电常数聚合物基复合材料近期的研究进展,并指出了其发展方向.     

低介电常数聚合物研究进展

本文介绍了降低聚合物介电常数的方法,原理.对有机和杂化聚合物在低介电常数材料方面的应用作了分类介绍.对各类聚合物列举了合成实例,并简要介绍了聚合物的介电常数和热性能.     

高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料研究进展

高介电常数聚合物电介质材料作为当今信息功能材料的研究热点,具有实际的应用价值和前景。综述了聚合物基复合电介质材料的分类及优缺点,以及从材料微观结构设计和填料界面修饰出发(如三元杂化或设计核壳和三明治结构),来获得高介电常数、低介电损耗聚合物复合电介质材料的研究状况和应用前景,以期对高介电、低损耗聚合物基电介质材料有一个更直观全面的了解,进一步拓展该类材料在电气和生物工程领域的研究和应用。     

低介电常数聚合物材料的研究进展

综述了低介电常数(low-k)材料研究的基本情况,以及可用于微电子领域的低介电常数聚合物材料,包括材料的化学结构和基本物理性质。并着重介绍了带有纳米孔的超低介电常数材料的研究进展。同时,对低介电常数材料的制备工艺也进行了简要的总结。     

基于纳米多孔性聚合物低介电常数材料的研究进展

综述了纳米多孔性聚合物基低介电常数材料研究工作的基本情况。着重介绍了以聚酰亚胺、聚硅氧烷和环氧树脂为基体的纳米多孔低介电常数材料的研究进展,并对研究前景做了展望。     

高介电聚合物/无机复合材料研究进展

随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势.采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/(K),使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域.高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚合物材料两相复合材料结合了两相各自的优势,比如聚合物相的低温(200℃)可加工性与机械强度以及陶瓷相的高介电性,成为高介电复合材料的研究热点之一.综述了高K聚合物/无机复合材料的研究进展,介绍了其高介电理论、材料制备方法及发展动向.     

铝电解电容器用高介电常数复合氧化膜的制备

用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,通过XPS分析Al-Ti复合氧化膜的成分及各元素的相对含量.监测铝电极箔恒电流阳极氧化过程中的升压曲线,对复合氧化膜的介电常数进行理论计算,并测试铝电解电容器的容量及耐久性.结果表明:铝电极箔在含钛无机盐溶液中的最佳处理时间为10min,处理后的铝电极箔阳极氧化速率高于纯铝电极箔,Al-Ti复合氧化膜中的高介电常数相为TiO2.对16V/1000μF规格的铝电解电容器,形成Al-Ti复合氧化膜的样品,容量提高率为23%,且耐久性良好,复合氧化膜介电常数的理论计算值与实验结果较为一致.     

高介电常数栅极电介质材料的研究进展

随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的MOSFET的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小.然而,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO2将失去介电性能,致使器件无法正常工作.因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它.目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一.主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景.     

高介电性能聚合物基复合材料研究进展

为了顺应轻量化和微型电子设备的发展趋势,开发具有高能量存储密度的介电材料在科学界和工业界具有重要意义。近年来,高介电性能的复合材料因在电子电气工程领域中的广泛应用而备受关注。介电材料是能量存储设备的关键组件,具有重要的应用前景。总结了近年来介电复合材料的研究进展,并重点分析了陶瓷、金属粒子和碳材料对复合材料的介电常数和损耗因子的影响。同时,从填料的种类、形貌和结构特征及界面性能等方面分析了填料对复合材料的介电性能影响。最后对介电复合材料目前存在的一些问题进行总结,并对介电复合材料的应用进行了展望。     

低介电常数微波介质陶瓷研究进展

随着微波通信技术向毫米波段延伸,低介电常数微波介质陶瓷的开发成为介质材料的研究热点。概述了Al2O3系、硅酸盐系、AAl2O4系(A=Zn、Mg)、钨酸盐系、磷酸盐系及石榴石结构化合物体系等低介电常数微波陶瓷材料体系的研究进展,并指出了低介电常数微波介质陶瓷目前存在的问题及发展趋势。     

超高介电常数钛酸钡/乙炔黑复相材料的制备研究

研究了乙炔黑／钛酸钡复合材料的烧结条件和介电性能，利用XRD、SEM和介电性能测试仪对材料的物相结构、微观形貌和介电性能进行了观察测定。分析结果表明，这种材料在空气中烧结时，其乙炔黑极易氧化挥发，难以形成钛酸钡／乙炔黑复相体系，但在烧结过程中，乙炔黑的分解挥发会在一定程度上增加液相的出现，促进陶瓷的烧结；在氮气保护下，乙炔黑可以完好地分布于钛酸钡陶瓷体中，获得结构致密的钛酸钡／乙炔黑复相陶瓷．较好的烧结温度范围为1200-1250℃，在渗流阈值附近，钛酸钡／乙炔黑复相材料介电常数值大大提高，当乙炔黑含量在0．8-2．0wt％范围内时，其介电常数达到35000以上，比纯钛酸钡提高约12倍，介电损耗可以控制在0．2-0．7之间，具有一定的使用价值。     

低介电常数聚酰亚胺基多孔复合材料的研究进展

随着微电子工业的迅速发展,对层间绝缘材料提出了更高的要求。聚酰亚胺因其良好的热稳定性和较低的介电常数被广泛应用于大规模集成电路的层间绝缘材料。本文主要对低介电常数聚酰亚胺基复合材料的制备方法进行了综述,着重介绍了笼型倍半硅氧烷(POSS)、多孔SiO_2、蒙脱石、多金属氧酸盐(POMs)、石墨烯衍生物的引入在降低聚酰亚胺介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺的发展前景进行了展望。     

BaTiO3/环氧高介电常数复合材料

以BaTiO3、CYD128型环氧树脂、丁腈橡胶和4,4-二氨基二苯基砜为原料,采用共混法制备了具有高介电常数和低介电损耗性能的BaTiO3/环氧复合材料.实验结果表明,环氧树脂中添加BaTiO3后,介电常数从4提高到25,介电损耗从0.4%提高到0.7%.丁腈橡胶的加入使复合材料的介电常数进一步提高到41,介电损耗提高到1.7%,体积电阻率降低到1×1011Ω,击穿强度保持在8kV/mm.Lichtenecker模型计算表明,环氧树脂中BaTiO3的有效介电常数为343,丁腈橡胶为138.     

高频多层片式电感器介质材料的研究

研究了低温烧结Ｂ_２Ｏ_３－Ｐ_２Ｏ_５－ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２体系的微晶玻璃,及其析晶温度和析晶相特性,实验结果表明：该材料具有低的介电常数和电介质损耗,这种介质能在低于１０００℃的温度下与Ａｕ,Ａｇ／Ｐｂ,Ｃｕ等电极共烧,是一种较理想的高频多层片式电感器介质材料．     

几种高功率微波介质窗材料的研究综述

高功率微波介质窗的击穿问题已成为高功率微波武器发展的一个技术瓶颈,选择适当的介质材料、提高窗的抗击穿能力是解决此问题的一条重要途径.总结了国内外主要研究机构使用的高功率微波介质窗材料类型及特性,对各自优缺点进行比较分析,并给出了分析结论.