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1.
该文结合耦合带滤波器的微波传输原理和铁氧体/压电层合磁电材料的铁磁共振效应,设计了一款应用在2-10GHz频段范围的磁电双可调双通带滤波器.分析了其工作机理,通过HFSS平台进行模拟仿真,结果表明滤波器通带部分的插入损耗约为-3dB,阻带部分最大插入损耗达到-20dB,同时验证了其磁电可调的有效性. 相似文献
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《吉林大学学报(工学版)》2017,(3):1003-1008
基于信号干扰理论,提出了一种差分宽带带通滤波器结构。由于该滤波器结构具有互补对称性,使该滤波器在差模激励时表现为带通滤波器,在共模激励时表现为带阻滤波器。另外,共模激励时,输入/输出端口之间有两条电长度不同的传输路径,使得共模信号在整个通带范围内得到很好的抑制。试验结果表明:差模通带中心频率f0为7.85GHz;最大回波损耗低于-25dB;3dB相对带宽为61%(5.5~10.2GHz);通带内插入损耗最小可达0.2dB。在差模通带内,共模抑制最小可达-20dB,其中-20dB抑制共模阻带带宽可覆盖5.5~10.2GHz,实测结果与仿真结果吻合。 相似文献
3.
研究了多层复合左右手传输线结构微波滤波器的滤波特性.用有限时域差分法对结构滤波特性进行了数值模拟和优化,结果表明结构的几何参数得到优化匹配时,在带内衰减-10 dB处左手通带带宽0.46 GHz,插入损耗-0.38 dB,带内没有波纹等滤波特性.表明结构的几何参数得到优化匹配时,可得到通带带宽更宽,插入损耗降低,带内平坦度提高的滤波特性. 相似文献
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为实现无线通信领域对滤波器的小型化要求,基于微带平面结构易于集成的特点,设计了一款应用于无线局域网(WLAN)的双频带微波滤波器,其中心频率为2.4/5.2 GHz.首先,利用矩形环形微带谐振器自身存在的两个模态相互耦合形成通带,以缩小滤波器体积,并且在通带两边各形成一个零点,以提高滤波器的选择性.然后,对矩形环形谐振器进行压缩,以进一步缩小滤波器体积.最后,采用IE3D仿真软件对所设计滤波器的性能进行仿真测试.实验结果显示:在2.4/5.2 GHz时,滤波器通带内的插入损耗分别为-3.0 dB和-2.5 dB,回波损耗均小于-15 dB,且整个电路尺寸为18 mm ×18 mm.这表明,该方案设计的滤波器达到了性能指标,且实现了小型化. 相似文献
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田树林 《重庆理工大学学报(自然科学版)》2010,(6):52-55
基于基片集成波导具有高通传输特性,而光子带隙结构具有带阻特性,构建了一种新型结构的基片集成波导带通滤波器。为了验证该想法,设计了一个中心频率为5.0 GHz,分数带宽为60%的滤波器。电磁仿真结果表明:该滤波器在频率为3.5~6.5 GHz时具有明显的通带特性,带内最大插入损耗约为0.6 dB。 相似文献
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基于双U形缺陷地结构设计了一种低通滤波器。首先利用三维电磁场仿真软件分析了双U形DGS结构的S参数频响特性,然后利用该DGS结构加工制作了DGS结构低通滤波器,实验室测得该滤波器3 dB截止频率为3.26 GHz,通带范围内波纹最大是0.4 dB。插入损耗大于20 dB的阻带宽度为5.2 GHz。 相似文献
8.
为了简化窄带光学滤波器的结构,需要寻求更高折射率的膜层材料.采用宽束冷阴极离子源的离子束辅助沉积工艺实验,分析了工艺参数与硅膜层折射率之间的关系,获得了对波长1550 nm折射率在3.45~3.46之间、消光系数小于10-6的硅膜层.使用实验得到的硅膜层和二氧化硅组合,设计了有71层膜层、信道间隔为200GHz的光学滤波器,峰值插入损耗0.18 dB,0.5 dB处的波长带宽为0.86 nm,0.25 dB处的波长带宽为1.91 nm,通带波纹系数ξ=0.12 dB,满足国际通信联盟(ITU)对密集波分复用系统(DWDM)用窄带滤波器的要求. 相似文献
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为了解决传统无线局域网(WLAN)滤波器体积大和插入损耗高的问题,本文利用半模基片集成波导(HMSIW)的高通特性与缝隙的带阻特性,提出了体积小、插入损耗低以及带外抑制度高的带通滤波器.通过对HMSIW滤波器结构分析和仿真优化,结果表明:该带通滤波器其中心频率为2.445 0GHz,3dB频带宽度为0.119 6GHz.带内插入损耗优于传统WLAN带通滤波器,比传统WLAN带通滤波器的插损小了20.45%;带内回波损耗小于-26.945 8dB,比传统WLAN带通滤波器的回损提高了54%.在2.15GHz和2.733 5GHz处的带外抑制度分别达到-22.483 0dB和-31.808 3dB,尺寸仅为24mm×28mm,比传统WLAN带通滤波器的体积减小了74.99%. 相似文献
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该文利用LTCC技术设计微型多层带通滤波器.为了在带外获得陡峭的衰减,通过并联反馈电容,引入了传输零点.然后利用毕奥-萨法尔定律来计算带通滤波器相应的多层结构的各微带线尺寸.结合HFSS电磁仿真,利用MIM电容尺寸与值的关系来优化滤波器的尺寸.最后设计了一个中心频率为2.45GHz,插入损耗小于2dB,阻带衰减大于30dB,尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm的带通滤波器. 相似文献
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Q波段(33~50 GHz)比Ka波段(26.5~40 GHz)频率更高,对这一波段国内研究较少。该文设计了一种Q波段宽带四倍频放大组件,该组件包含两级二倍频器、两级之间的带通滤波器和一级毫米波功率放大器,最后通过微带到波导过渡输出。设计宽带带通滤波器的目的是为了抑制基波和三次谐波。测试结果表明,在33~50 GHz的输出频率范围内,输出功率大于10.5 dB,谐波抑制大于31.6 dBc。该倍频放大组件具有输出频带宽、体积小、输出功率高以及谐波抑制度高的特点。 相似文献
13.
为了抑制数字通信系统的噪声,利用ADS软件进行建模、优化仿真设计、制造了中心频率为2.4 GHz,带宽120 MHz的平行耦合微带线带通滤波器,并进行了测试,测试的S参数与优化仿真结果、设计指标吻合较好,带内衰减3 dB。在设计过程中同时采用了HFSS仿真设计。本设计的滤波器具有带内插损较小、价格低、易于实现等特点,实际应用效果良好。 相似文献
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低温共烧陶瓷滤波器具有体积小、插损小和衰减大的特性,在移动通信、数字化家电等产品中已得到广泛应用。该文在对带状线的传输理论、耦合系数K及滤波器的终端外部品质因数Q进行阐述的基础上,给出多层陶瓷微波滤波器的设计方法。最后设计了一个中心频率f0为2.45GHz的带通滤波器,以及给出了相应的模型仿真结果。 相似文献
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针对广泛应用于宽带码分多址(WCDMA)中带通滤波器体积大且性能低的问题,提出一种新型交叉宽面耦合-发夹型多层微带线带通滤波器。分析了发夹型谐振器不同耦合结构组成的滤波器,并用Momentum矩量法仿真其3D模型。仿真结果表明,新型滤波器拥有较好的通带和阻带特性,通带内插入损耗低于0.33 dB,回波损耗低于-21.710 dB,其中心频率及附近达到-50.973 dB,阻带衰减低于-80 dB;采用多层微带线结构,体积减小约1/3;引入交叉耦合,在低频阻带内产生2个传输零点,矩形系数减小,频率选择性优越;电路加工精度较易满足。 相似文献
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设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5~20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0~31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm. 相似文献
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张建成 《军民两用技术与产品》2016,(16):130-130
设计了一种可以低损耗的通过47GHz信号同时抑制94GHz谐波信号的矩形波导滤波器,滤波器采用宽边开槽结构,仿真结果与测试结果表明滤波器在47GHz时的插入损耗小于0.5dB,而对W波段的谐波信号的抑制大于40dB,测试结果和仿真结果吻合良好。 相似文献
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针对射频前端收发系统中衰减结构宽带性能不稳定的问题,提出具有双重电容补偿的新型开关内嵌式衰减结构。该结构基于容性校正网络,在节约核心电路面积的同时通过调节零、极点对频率响应的影响,达到拓展衰减单元工作频带的目的,以满足跨频段、宽频域射频通信收发前端的设计需求. 基于HHNEC 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,采用新型电容补偿结构设计6位步进式数字衰减电路,该衰减器通过6位数控开关实现64种衰减状态,衰减步进0.5 dB,衰减范围0~31.5 dB. 仿真结果表明,在0~21 GHz工作频带内衰减误差均方根小于0.23 dB,附加相移均方根小于4.38°,插入损耗最大为?11.05 dB,最小为?4 dB,中心频率处1 dB压缩点17.3 dBm,核心电路版图面积0.86 mm×0.2 mm. 相似文献