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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 189 毫秒
1.
该文结合耦合带滤波器的微波传输原理和铁氧体/压电层合磁电材料的铁磁共振效应,设计了一款应用在2-10GHz频段范围的磁电双可调双通带滤波器.分析了其工作机理,通过HFSS平台进行模拟仿真,结果表明滤波器通带部分的插入损耗约为-3dB,阻带部分最大插入损耗达到-20dB,同时验证了其磁电可调的有效性.  相似文献   

2.
基于信号干扰理论,提出了一种差分宽带带通滤波器结构。由于该滤波器结构具有互补对称性,使该滤波器在差模激励时表现为带通滤波器,在共模激励时表现为带阻滤波器。另外,共模激励时,输入/输出端口之间有两条电长度不同的传输路径,使得共模信号在整个通带范围内得到很好的抑制。试验结果表明:差模通带中心频率f0为7.85GHz;最大回波损耗低于-25dB;3dB相对带宽为61%(5.5~10.2GHz);通带内插入损耗最小可达0.2dB。在差模通带内,共模抑制最小可达-20dB,其中-20dB抑制共模阻带带宽可覆盖5.5~10.2GHz,实测结果与仿真结果吻合。  相似文献   

3.
研究了多层复合左右手传输线结构微波滤波器的滤波特性.用有限时域差分法对结构滤波特性进行了数值模拟和优化,结果表明结构的几何参数得到优化匹配时,在带内衰减-10 dB处左手通带带宽0.46 GHz,插入损耗-0.38 dB,带内没有波纹等滤波特性.表明结构的几何参数得到优化匹配时,可得到通带带宽更宽,插入损耗降低,带内平坦度提高的滤波特性.  相似文献   

4.
为实现无线通信领域对滤波器的小型化要求,基于微带平面结构易于集成的特点,设计了一款应用于无线局域网(WLAN)的双频带微波滤波器,其中心频率为2.4/5.2 GHz.首先,利用矩形环形微带谐振器自身存在的两个模态相互耦合形成通带,以缩小滤波器体积,并且在通带两边各形成一个零点,以提高滤波器的选择性.然后,对矩形环形谐振器进行压缩,以进一步缩小滤波器体积.最后,采用IE3D仿真软件对所设计滤波器的性能进行仿真测试.实验结果显示:在2.4/5.2 GHz时,滤波器通带内的插入损耗分别为-3.0 dB和-2.5 dB,回波损耗均小于-15 dB,且整个电路尺寸为18 mm ×18 mm.这表明,该方案设计的滤波器达到了性能指标,且实现了小型化.  相似文献   

5.
基于基片集成波导具有高通传输特性,而光子带隙结构具有带阻特性,构建了一种新型结构的基片集成波导带通滤波器。为了验证该想法,设计了一个中心频率为5.0 GHz,分数带宽为60%的滤波器。电磁仿真结果表明:该滤波器在频率为3.5~6.5 GHz时具有明显的通带特性,带内最大插入损耗约为0.6 dB。  相似文献   

6.
本文设计了一种基于带有两个半波长短路调谐枝节的双模环形谐振器的新型宽带滤波器。该滤波器能够在通带两侧各产生一个传输零点,使得滤波器的插入损耗在通带外的衰减非常迅速,从而提高了滤波器的频率选择特性。利用"奇、偶模理论"对双模环形谐振器进行了分析,并给出了传输零点的计算公式。结合传输零点公式和仿真软件设计出了一个中心频率为4.25GHz、3dB相对带宽为45%的宽带环形滤波器。仿真结果表明,该滤波器具有低插入损耗和良好的频率选择性等优点。  相似文献   

7.
基于双U形缺陷地结构设计了一种低通滤波器。首先利用三维电磁场仿真软件分析了双U形DGS结构的S参数频响特性,然后利用该DGS结构加工制作了DGS结构低通滤波器,实验室测得该滤波器3 dB截止频率为3.26 GHz,通带范围内波纹最大是0.4 dB。插入损耗大于20 dB的阻带宽度为5.2 GHz。  相似文献   

8.
为了简化窄带光学滤波器的结构,需要寻求更高折射率的膜层材料.采用宽束冷阴极离子源的离子束辅助沉积工艺实验,分析了工艺参数与硅膜层折射率之间的关系,获得了对波长1550 nm折射率在3.45~3.46之间、消光系数小于10-6的硅膜层.使用实验得到的硅膜层和二氧化硅组合,设计了有71层膜层、信道间隔为200GHz的光学滤波器,峰值插入损耗0.18 dB,0.5 dB处的波长带宽为0.86 nm,0.25 dB处的波长带宽为1.91 nm,通带波纹系数ξ=0.12 dB,满足国际通信联盟(ITU)对密集波分复用系统(DWDM)用窄带滤波器的要求.  相似文献   

9.
为了解决传统无线局域网(WLAN)滤波器体积大和插入损耗高的问题,本文利用半模基片集成波导(HMSIW)的高通特性与缝隙的带阻特性,提出了体积小、插入损耗低以及带外抑制度高的带通滤波器.通过对HMSIW滤波器结构分析和仿真优化,结果表明:该带通滤波器其中心频率为2.445 0GHz,3dB频带宽度为0.119 6GHz.带内插入损耗优于传统WLAN带通滤波器,比传统WLAN带通滤波器的插损小了20.45%;带内回波损耗小于-26.945 8dB,比传统WLAN带通滤波器的回损提高了54%.在2.15GHz和2.733 5GHz处的带外抑制度分别达到-22.483 0dB和-31.808 3dB,尺寸仅为24mm×28mm,比传统WLAN带通滤波器的体积减小了74.99%.  相似文献   

10.
介绍了左手材料概念及其电磁特性,利用左右手传输线的基本理论,在厚度为0.8 mm的微带介质基板的正反两面分别腐刻出不同形状,组成相互耦合的十字交叉型结构.利用HFSS仿真软件.设计一款介电常数为2.55的基于左手材料十字交叉耦合型超宽带(UWB)滤波器,并研究了不同参数对滤波器性能的影响.通过对UWB滤波器参数的优化,最终得到该滤波器的通带范围为3.1 GHz~10.6 GHz,通带内插入损耗小于0.49 dB,尺寸为7.2 mm×15.8 mm,实现了基于左手材料十字交叉耦合型UWB滤波器结构简单、高增益、小型化的设计.  相似文献   

11.
该文利用LTCC技术设计微型多层带通滤波器.为了在带外获得陡峭的衰减,通过并联反馈电容,引入了传输零点.然后利用毕奥-萨法尔定律来计算带通滤波器相应的多层结构的各微带线尺寸.结合HFSS电磁仿真,利用MIM电容尺寸与值的关系来优化滤波器的尺寸.最后设计了一个中心频率为2.45GHz,插入损耗小于2dB,阻带衰减大于30dB,尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm的带通滤波器.  相似文献   

12.
Q波段(33~50 GHz)比Ka波段(26.5~40 GHz)频率更高,对这一波段国内研究较少。该文设计了一种Q波段宽带四倍频放大组件,该组件包含两级二倍频器、两级之间的带通滤波器和一级毫米波功率放大器,最后通过微带到波导过渡输出。设计宽带带通滤波器的目的是为了抑制基波和三次谐波。测试结果表明,在33~50 GHz的输出频率范围内,输出功率大于10.5 dB,谐波抑制大于31.6 dBc。该倍频放大组件具有输出频带宽、体积小、输出功率高以及谐波抑制度高的特点。  相似文献   

13.
为了抑制数字通信系统的噪声,利用ADS软件进行建模、优化仿真设计、制造了中心频率为2.4 GHz,带宽120 MHz的平行耦合微带线带通滤波器,并进行了测试,测试的S参数与优化仿真结果、设计指标吻合较好,带内衰减3 dB。在设计过程中同时采用了HFSS仿真设计。本设计的滤波器具有带内插损较小、价格低、易于实现等特点,实际应用效果良好。  相似文献   

14.
低温共烧陶瓷滤波器具有体积小、插损小和衰减大的特性,在移动通信、数字化家电等产品中已得到广泛应用。该文在对带状线的传输理论、耦合系数K及滤波器的终端外部品质因数Q进行阐述的基础上,给出多层陶瓷微波滤波器的设计方法。最后设计了一个中心频率f0为2.45GHz的带通滤波器,以及给出了相应的模型仿真结果。  相似文献   

15.
针对广泛应用于宽带码分多址(WCDMA)中带通滤波器体积大且性能低的问题,提出一种新型交叉宽面耦合-发夹型多层微带线带通滤波器。分析了发夹型谐振器不同耦合结构组成的滤波器,并用Momentum矩量法仿真其3D模型。仿真结果表明,新型滤波器拥有较好的通带和阻带特性,通带内插入损耗低于0.33 dB,回波损耗低于-21.710 dB,其中心频率及附近达到-50.973 dB,阻带衰减低于-80 dB;采用多层微带线结构,体积减小约1/3;引入交叉耦合,在低频阻带内产生2个传输零点,矩形系数减小,频率选择性优越;电路加工精度较易满足。  相似文献   

16.
设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5~20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0~31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm.  相似文献   

17.
设计了一种可以低损耗的通过47GHz信号同时抑制94GHz谐波信号的矩形波导滤波器,滤波器采用宽边开槽结构,仿真结果与测试结果表明滤波器在47GHz时的插入损耗小于0.5dB,而对W波段的谐波信号的抑制大于40dB,测试结果和仿真结果吻合良好。  相似文献   

18.
针对射频前端收发系统中衰减结构宽带性能不稳定的问题,提出具有双重电容补偿的新型开关内嵌式衰减结构。该结构基于容性校正网络,在节约核心电路面积的同时通过调节零、极点对频率响应的影响,达到拓展衰减单元工作频带的目的,以满足跨频段、宽频域射频通信收发前端的设计需求. 基于HHNEC 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,采用新型电容补偿结构设计6位步进式数字衰减电路,该衰减器通过6位数控开关实现64种衰减状态,衰减步进0.5 dB,衰减范围0~31.5 dB. 仿真结果表明,在0~21 GHz工作频带内衰减误差均方根小于0.23 dB,附加相移均方根小于4.38°,插入损耗最大为?11.05 dB,最小为?4 dB,中心频率处1 dB压缩点17.3 dBm,核心电路版图面积0.86 mm×0.2 mm.  相似文献   

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