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作为基于光源波长短波长化的高密度磁光记录材料,发展前景看好的是添加Bi(铋)的石榴石膜。通过加大激光照射功率(高于磁光记录时的功率),可进行追记型光记录。石榴石材料晶化前的非晶质膜,用于磁光记录同等程度的激光功率即可进行追记型记录。线速度2.5/s、位长3μm时,可获得46dB的C/N。记录机理是光吸收产生的热引起的组成或构造上的非可塑相变。利用这些现象,可制作适用于磁光记录和追记型记录这两种记录方式的记录介质,并能充分保护记录在磁光记录介质上的信息。 相似文献
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利用TbFeCo垂直磁化膜,对激光辅助(Laser-assisted)磁记录方式的大优点-窄道记录特性进行了研究,评价了基于蓝色LD(Laser Diode;激光二极管)的辅助光束(Assisting beam)直径微小化的效果,根据热模拟和静磁特性说明了消除串扰的特性,对照无(消除)串扰特性和MFM观察图像,从宏观上对模拟记录位形状进行了定性解释,指出了作为决定光辅助磁记录的记录/读出性能的首要因素-辅助区温度分布的重要性,研究结果表明,通过介质特性和辅助激光功率的控制,有可能实现相当于光辅助光束直径(Φ0.55μm)1/2以下的窄道距(100ktpi)记录。 相似文献
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以TbFeCo为主的稀土族-过渡金属(RE-TM)合金,能够很容易地获得很大的垂直磁各向异性,适于高密度磁记录。对采用该材料的介质,应用与HDD(硬盘驱动器)同样的磁读出方式进行读出。记录方式采用基于光照射的高温消磁型热磁记录方式。该记录方式应用于磁光盘(MO)的写入。根据磁记录膜的磁特性,靠单一的磁性膜不易同时采用这些记录方式和读出方式。通过磁性膜多层化的方法解决了这个难点。磁读出方式与磁光读出方式相比,读出分辨率有很大提高,具有实现远超磁光盘记录密度的前景。 相似文献
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本文利用射频磁控溅射方法制备出AIN/TbFeCO/基片磁光薄膜,在磁光记录薄膜上覆盖一层AIN介质薄膜不仅可以防止磁光记录薄膜的氧化而且可以增强磁光克尔效应。在实验中发现AIN薄膜厚度的变化也会影响磁光记录薄膜的磁特性。 相似文献
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《信息记录材料》1997,(2)
相变型光盘是检出非晶态光痕和晶态间的光反射率的变化进行信号重放。由于这个特征,使相变型光盘和检出凹凸坑光反射率变化的只读光盘CD—ROM、DVD-ROM兼容的驱动系统成为可能。现在已制成的相变型光盘的记录密度为0.6Gbit/in2,但采用薄型盘基片,使用大数值孔径(NA=06),并采用平地/凹槽记录及PWM(脉宽调制)记录方式,其记录密度可提高到26Gbit/in2。研究表明,相变型记录膜(GeTe-Sb2Te3-Sb)的光学常数与激光波长的依存性,可以达到兰色激光的短波长响应特性。估计,将来应用这个波长,可使记录密度扩展为现在10倍以上的高记录密度(7~10Gbit/in2) 相似文献
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综述了2000~2001年间国内外磁记录材料及其应用的若干新进展,包括垂直磁记录系统、巨磁电阻磁存储器和磁传感器、合成多层膜磁记录介质、磁隧穿型磁头材料、磁光记录介质材料。 相似文献
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开发了GeSnSbTe膜。它是在传统的相变材料GeSbTe中添加Sn的新型相变材料,具有优良的快速晶化特性。该薄膜厚度即使减薄到5μm,仍可在50ns内的激光照射时间之内晶化。GeSnSbTe膜(6nm)宜用于第一记录层;GeSbTe(12nm)宜用于第二记录层。采用青紫色激光(λ=405nm,NA=0.65)。按照容量27GB、数据记录速率33Mbps的标准,试制了双层相变光盘。每个存储层都能得到50dB以上的C/N和好于30dB以上的抹除率,此时,第一和第二记录层的记录功率分别为6mw和11mw。 相似文献
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MAMMOS(MagneticAmplifyingMagneto-OpticalSystem)是磁光盘高密度读出的有效方法。由于记录层的磁畴在读出层得以扩大,所以在短磁畴的读出中也能得到与长磁畴读出时同等大小的信号。确认在0.04μm磁畴的读出中也能获得足够大的信号。在0.2μm的连续记录畴(标记)读出中,其CNR在50dB以上,BER为10-4左右。应用交变磁场的MAMMOS(MFM-MAMMOS)方法实现了高分辨率及大振幅信号的读出。 相似文献
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本论文包括两部分内容 ,第一部分是光信息记录材料介质的研究 ,第二部分是纳米物理显影核的研究与表征 ,两者均属于信息记录材料领域研究的热门课题 .1 为进一步研究新一代短波长超高密度可录型光盘 (HDDVD R) ,深入研究可作为记录材料介质的菁染料薄膜的光学特性十分迫切与必要 .本部分工作从光记录机理的角度出发 ,系统、深入地研究了用于光信息记录存储介质的吲哚类菁染料薄膜的光学特性及溶剂对其性质的影响 ,得到了不少有意义的结果 .1 1 对染料薄膜的光学常数进行了模拟计算 ,建立了一种简便的光学模拟方法 ,找到了适合短波长记… 相似文献
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再生信号的急剧衰减是高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案,提出了磁畴扩大再生技术──再生时将微小磁畴扩大,增加再生信号的幅度。例如,利用现行光头(波长680nm,物镜数值孔径NA=0.55),对0.2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场,可将再生信号的振幅扩大至饱和程度,实现了磁畴扩大再生。并且,即使通常的不采用交变磁场的再生,也可实现0.2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样,磁畴扩大再生技术可能成为利用现行光头使磁光盘的面记录密度超过10Gbit/in2。 相似文献
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为实现面记录密度10Gbit/in2以上的高密度磁光记录/读出,提出了磁超分辨和磁畴扩大盘的解决方案。这种盘需要多层结构,各层间的相互作用至关重要。研究了磁超分辨(MSR)及磁畴扩大(MAMMOS)盘因各层特性及层间相互作用而引起的读出功率、记录功率、读出信号输出、读出磁场等特性的变化。综合各层与特性的关系,提示了实际磁光盘设计所需的各层膜厚及组成等主要条件。结果得知,热流、交换结合力、静磁结合力、矫顽力及中间非磁性层的膜厚等是主要因素。 相似文献
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本文利用射频磁控溅射方法制备出AIN/TbFeCo/基片磁光薄膜,在磁光记录薄膜上覆盖一层AIN介质薄膜不仅可以防止磁光记录薄膜的氧化而且可以增强磁光克尔效应。在实验中发现AIN薄膜厚度的变化也会影响磁光记录薄膜的磁特性。当AIN厚度从0开始增加时,薄膜的矫顽力随着AIN膜厚的增加而增加,在一定AIN厚度时达到最大值。然后随着AIN膜厚的增加,矫顽力逐渐减小。垂直各向异性常数随AIN膜厚的变化有着同样的规律。研究清楚这一现象对制备实用化磁光盘有着重要的意义,应用应力机制对此现象作出了圆满的解释 相似文献
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通过采用近场光记录用的、应用固体浸没透镜(SIL)的光头(NA=1.5)及静电容,使光盘和SIL间的气隙保持在50nm以下。由于建立了这种控制方法,所以能够很容易地对相变记录介质进行近场光记录/读出实验。NA=1.5的光头和蓝色激光组合。可实现50Gb/in^2的记录密度。介绍了采用SIL的NA=1.5的光头和近场光记录用相变光盘,以及记录密度挑战50Gb/in^2的实验结果。 相似文献