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介绍了集成光隔离器近年来的研究成果,并对其原理作了讨论,同时还讨论了光隔离器与半导体材料实现集成的途径。 相似文献
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简要评述硅基光波导的结构,工艺及其器件,包括低损耗的硅基光波导,电光波导器件,红外波导探测器,氧化硅光回路等。 相似文献
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光隔离器原理的数学描述 总被引:4,自引:2,他引:4
利用琼斯矢量及琼斯矩阵、描述了光隔离器的原理,并分析了法拉第旋光器旋光角的精度以及两只偏光镜相对方位角的精度对光隔离器插入损耗的隔离度的影响。 相似文献
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综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分还停留在各构建单元器件性能提高的阶段,例如Si基发光、Si波导、Si波导耦合器、Si基调制器及光开关、Si基探测器以及用于光波导器件阵列的WDM技术。此外,还对Si基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光子器件的热稳定性提出了看法。总之,随着各种构建单元器件的综合性能、CMOS工艺兼容度、制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破,光互连最终会成为现实,并引发微电子技术和IC行业的下一场革命。 相似文献
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Marris-Morini D. Vivien L. Rasigade G. Fedeli J.-M. Cassan E. Le Roux X. Crozat P. Maine S. Lupu A. Lyan P. Rivallin P. Halbwax M. Laval S. 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》2009,97(7):1199-1215
The evolution of silicon optical modulators is recalled, from the first effect demonstrations to the characterization of high-performance devices integrated in optical waveguides. Among possibilities to achieve optical modulation in silicon-based materials, the carrier depletion effect has demonstrated good capacities. Carrier depletion in Si and SiGe/Si structures has been theoretically and experimentally investigated. Large phase modulation efficiency, low optical loss, and large cutoff frequency are obtained by considering simultaneously optical and electrical structure performances. Integrated Mach-Zehnder interferometers and resonators are compared to convert phase modulation into intensity modulation. Finally, recent results on high-speed and low-loss silicon optical modulator using an asymmetric Mach-Zehnder interferometer are presented. It is based on a p-doped slit embedded in the intrinsic region of a lateral pin diode integrated in a silicon-on-insulator waveguide. This design allows a good overlap between the optical mode and carrier density variations. An insertion loss of 5 dB has been measured with a -3 dB bandwidth of 15 GHz. 相似文献
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详细介绍了在线式偏振无关光隔离器和微型化偏振相关光隔离器的工作原理,以及两种隔离器系列的各项性能指标。其主要性能指标达到国内先进水平,并达到了90年代国外同类光隔离器的水平。 相似文献
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ZHOU Peigen CHEN Jixin TANG Siyuan YU Jiayang WANG Chen LI Huanbo LU Haiyan YAN Pinpin HOU Debin CHEN Zhe HONG Wei 《电子学报:英文版》2022,(3):516-533
With the increasing number of users and emerging new applications, the demand for mobile data traffic is growing rapidly. The limited spectrum resources of the traditional microwave and millimeter-wave frequency bands can no longer support the future wireless communication systems with higher system capacity and data throughput. The terahertz(THz) frequency bands have abundant spectrum resources, which can provide sufficient bandwidth to expand channel capacity and increase transmission data rat... 相似文献
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柔性电子技术在近些年得到了快速发展,越来越多的柔性电子系统需要柔性、高性能的集成电路来实现数据处理和通信。通过减薄硅基芯片可以获得高性能的柔性集成电路,但是硅基芯片减薄之后的性能有可能发生变化,并且在制备、转移、封装的过程中极易产生缺陷或者破碎,导致芯片性能退化甚至失效。因此,超薄硅基芯片的制备工艺和柔性封装技术对于制备高可靠性的柔性硅基芯片十分关键。在此背景下,文章综述了柔性硅基芯片的力学和电学特性研究进展,介绍了几种超薄硅基芯片的减薄工艺和柔性封装前沿技术,并对超薄硅基芯片在柔性电子领域的应用和发展进行了总结和展望,为柔性硅基芯片技术的进一步研究提供参考。 相似文献
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基于Giles模型,研究了980nm和1480nm泵浦的两段EDFA中光隔离器的最佳位置随泵浦功率和信号功率的变化关系。光隔离器的最佳位置在距EDFA信号输入端约1/3处。 相似文献