纳米电子／光电子器件概述

概述纳米电子／光电子器件的类型，提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。     

纳米电子/光电子器件概述

概述纳米电子/光电子器件的类型,提出发展纳米电子/光电子器件的几点建议。     

纳米电子/光电子器件概述

本文主要概述了纳米电子/光电子器件的分类,并提出发展纳米电子/光电子器件的几点建议。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物：（１）量子效应的单电子固态器件；（２）分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，描述了其在工作原理并对各种器件进行了比较。     

半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。     

纳米通信技术的核心-纳米光电器代件

概述了纳米技术在光电子领域的应用,并着重介绍了国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状.     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物： （１） 量子效应和单电子固态器件, （２） 分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法, 描述了其工作原理并对各种器件进行了比较     

纳米通信技术的核心纳米光电器件

概述了纳米技术在光电子领域的应用，并着重介绍了国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状。     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

纳米电子/纳米光电子技术研究

本文主要分析研究的是纳米电子技术以及纳米光电子技术,分别讲述了纳米光电子的相关概念,纳米光电子技术的发展以及纳米光电子各个器件的具体分类等内容。     

纳米光通信技术的核心--纳米光电子器件

本文概述了纳米技术在光电领域的应用,并着重介绍国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状。     

纳米电子／纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学／纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件。电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能。     

纳米电路一新时代的电器

在《自然一材料学》上，科学家报告了完全用碳纳米管制作的第一个电子开关和逻辑器件。Prabhakar Bandaru和同事的工作首次表明：可以在不使用金属栅控制电流的情况下制造纳米电子器件。     

用纳米晶材料制作光电子器件的研究

硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件,如调制器、光放大器和发光二极管等.人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比,其发光效率通常比体材料的发光效率要高.但是,硅的间接带隙所产生的难以克服的余辉将导致相当长的辐射复合寿命(μs数量级),这将限制硅纳米晶光电子器件的发光亮度和发光效率.如果采用等离子激元增强光发射机理提高硅纳米晶的辐射发射速率,则可将硅量子点材料视为能取代直接带隙化合物半导体材料的光学材料.     

单晶金纳米真空隧道结的超快电子发射研究

超快脉冲激光激发的纳米真空器件能够同时实现高频率和低功耗,并且有望将电子器件响应时间推进至飞秒甚至阿秒量级,从而进一步提高器件的工作频率,是未来高频电子器件的重要技术路线。本文利用原子级平整的单晶金设计并制备了一种基于领结型(bowtie)纳米隧道结的新型电子隧穿器件。重点研究了器件静态和超快激光激发的电子发射性能,利用模拟计算研究了bowtie结构对电子发射性能的影响,深入分析了器件的光电子发射机制,实现了具有四次幂的高非线性多光子发射电流,有望实现新型超快纳米真空电子器件。