非晶硅密贴式图象传感器

一。引言随着传真机、复印机、光符识别机(OCR)等办公室自动化(OA)用设备的迅速发展,对设备提出了小型化、简易化及经济性的要求。为此对作为设备输入器件的图象传感器进行密贴式的研究颇为活跃。尤其是最近,普及型个人计算机的输入装置,在台式图象扫描器和便携式扫描器中开始付诸实用。     

无定形硅TFT AMOLED器件

如果无定形硅（a-Si）不是制造有机发光二极管（OLED）显示器之理想材料，为什么有如此多的单位试图使用它？     

无定形硅作为单晶硅的钝化剂

把氢化的无定形硅淀积在单晶硅的 p-n 结上,比起现代技术水平的热氧化物钝化剂的性能来,能使其漏电流减小两个数量级。     

激光化学气相沉积无定形硅

用激光化学气相沉积方法得到了无定形硅薄膜。用干涉仪测得薄膜厚度为微米量级,沉积速率为100(?)/min,用扫描电镜测出无定形硅颗粒平均线度为40～50(?),用激光拉曼光谱仪测出其拉曼频移为480cm~(-1)实验得到了沉积速率随气体峰值温度变化曲线,认为沉积速率受限步骤是硅烷的气相反应,求出反应活化能为192.6kJ/mol。     

无定形硅氢靶摄象管

氢化非晶硅(a—Si∶H)因基隙态密度低,能实现可控掺杂,在可见光区具有高的光吸收系数。因此,在低成本太阳电池、薄膜晶体管及成象器件中有着良好的应用前景。本文报导采用辉光放电法(GD法)沉积a—Si∶H层作为光导层,用a—SiNx∶H及Sb_2S_3层作为阻挡层结构的摄象管。灵敏度达到0.5lx白光光照下O.15μA,分辨率为600TVL,暗电流为10nA,惰性还有待进一步改善。     

无定形锗硅合金的光电特性

用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子百分比从0增加到66％时,合金膜室温暗电导率从10~(-10)Q~(-1)cm~(-1)单调上升到10~(-4)Q~(-1)·cm~(-1);电导激活能却从0.84eV单调下降到0.40eV. 用XPS 谱测量合金组分证明锗的溅射速率是硅的1.5倍.测量了光子能量为1.2eV时的吸收系数,结果表明,a-Si(1-x)Ge_x:H比a-Si:H有较多的悬挂键.这些悬挂键在较高氢分压下可部分被饱和.     

CCD图象传感器

CCD固态摄象器件以家用摄象机及磁带录象机(VTR)为中心的市场迅速扩大.CCD固态摄象器件由两部分组成;(1)光电转换部(光电二极管),也就是把光信号转换成电信号的部分.(2)传输部(CCD),即把信号输送到外部的部件.CCD结构方式可分为行间线型传输式和帧场转换传输     

CMD图象传感器

本文从有源型图象传感器的角度评述了电荷调制器件(CMD)。它采用特殊的象元结构,在象元级上获得信号增益,降低了读出噪声。文中介绍了设计思想和工作原理,描述了3—CMD 彩色照相机,高分辨率 CMD 成象器和25μm~2面积的 CMD 成象器的试验结果,揭示了 CMD 是实现高帧频和获得高分辨率图象的一种相当有前途的器件。     

红外图象传感器

三菱电机公司应用具有专利权的电荷扫描器件(CSD)方法和灵敏的探测器工艺制成的红外图象传感器,可提供1百万象素(1040×1040)的极好分辨率,1.7μm~2的4象素面积仅为常规象素面积的一半。探测器阵列为:水平1040行,垂直1040列。CSD 工艺减少了电荷     

超薄集成型光学近接式传感器

TMS320VC5505与TMS320VC5504DSP不仅具有极佳的待机与工作功耗,而且还可提供高达320KB的片上存储器以及多个集成外设。这两款DSP都具有不足340μW的待机功耗与不足0．3mW／MHz的工作功耗。     

无定形硅常温红外成像微型辐射热测量仪

法国电子技术仪器实验室发明了无定形硅室温微型辐射热测量仪。它的热绝缘性能良好 ,可以低热时间常数进行红外探测。使用 4 7μm大小的 2 56×6 4像素样机 ,可获得 f/1低于 50 m K的噪声等值信号温度差。微电子技术通常在读出电路衬底上方辐射热仪结构上建立微电桥。薄铝反射层直接放在读出集成电路上面 ,2 .5μm聚酰亚胺消耗层旋压固化在铝层上 ,再加上 10 0 nm掺杂无定形硅层。后者覆盖有 8nm等离子体蒸汽喷镀的氮化钛层 ,用干刻法制造通道。金属沉积和蚀刻使下面的衬底和辐射热有效测量装置之间导电 ,继而有选择地在无定形硅上面的氮化…     

硅压阻式湿度传感器的研究

本文研究了一种利用压阻原理检测相对湿度的传感器结构.改进了压阻结构,在压阻的拐弯处用Al引线代替浓硼掺杂,避免了拐弯处压阻的负压阻效应,提高了传感器的灵敏度.采用离子注入工艺制作压阻,使得硼掺杂更加均匀,提高了压阻的匹配度.对流水出来的传感器进行测试和分析,数据结果表明:在20℃时,传感器的灵敏度为0.236 mV/%RH,最大湿滞约为5%RH,传感器有较好的线性.     

MEMS硅梁谐振式传感器的研究

通过对硅梁谐振式传感器工作原理的研究,结合Intellisuite软件对硅微悬臂梁谐振器的振动特性进行了分析,设计了具有悬臂梁结构的电热激励/压阻拾振的谐振式传感器,这种传感器具有体积小、功耗低、灵敏度高、准数字信号输出、成本低、与集成电路工艺兼容等优点。对研究制作过程中的关键工艺——各向异性腐蚀技术,尤其是对低温下的腐蚀工艺进行了实验研究,采用高低温相结合的湿法腐蚀工艺制作了微悬臂梁结构,通过实验分析了利用新型有机薄膜对各向异性腐蚀过程中的MEMS器件金属电极的保护效果,为实际生产和设计提供了参考依据。     

频率式硅电容压力传感器的研究

本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计，提高了传感器的性能。     

激光化学气相沉积无定形硅的研究

用激光化学气相沉积方法在微晶玻璃基片上沉积出了无定形硅薄膜。用乌氏干涉仪测得薄膜厚度为微米量级,沉积速率为100埃/分;用扫描电镜拍摄了膜层的形貌照片,测得其线度为40～50埃;用喇曼光谱仪测出其喇曼频移为480cm~(-1),与无定形硅的特征喇曼频移一致。     

无定形硅薄膜晶体管有源矩阵寻址液晶显示器

晶体管特性取决于材料纯度和界面性质。讨论了顶部钝化的氮化物对场效应迁移率(μ_(FE))和阈值电压的影响。获得场效应迁移率为1.0cm~2V~(-1)S~(-1)。由栅和源之间脉冲电压作用引起的液晶显示器(LCD)工作期间阈值电压的偏移,可以通过累加根据脉冲顺序而依次产生的每个阈值电压偏移值计算出。已制备出的样品在50℃下估计寿命为10年,这对于的实际应用是令人十分满意的。本文报导了无定形硅薄膜晶体管液晶显示LCD(a-Si TFT-LCD)技术的最新进展。我们已设计出用于电视的对角线为6.5英寸的显示屏,用于高分辨率飞机座舱显示器的3.2英寸信息显示屏,用于计算机终端的14.3英寸大屏幕显示器。分别讨论了这些技术。     

无定形硅锡合金薄膜特性的研究

用SiH_4和SnCl_4作源,用 GD工艺制备了无定形硅锡合金.随着锡含量的增加,合金膜的光学带隙和光电导率均单调下降,导电类型由N型变为P型.随着光学带隙的减小,激活能先增加后减小,室温暗电导率首先下降然后逐渐上升. 我们在a-SiSn(Cl,H)中掺入一定量的磷作为补偿.当磷的浓度达到某适当值时,合金膜的光电导率可以增加2—3个数量级,同时导电类型由P型又变为N型. 用恒定光电流法对a-SiSn(Cl,H)膜的低吸收系数区进行测量,对测量结果进行了讨论.