佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

“佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定，几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应，它的介电常数可以和Si3N4相美。佛斯隆介质的击穿强度为1067V／cm数量级，这比用CVD技术生长的Si3N4好得多。     

等离子体增强型化学汽相淀积氮化硅薄膜的研究

一、引言等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)氮化硅(Si_3N_4)薄膜技术,在半导体器件,特别是在大规模集成电路和CCD中,为制作器件的钝化膜已得到广泛的重视。随着器件向高速化,高集成化发展,提高器件的稳定性和可靠性尤为重要。为更有效地保护铅条不产生断裂,并在钝化工艺完成后MOS结深不受影响,采用常压CVD和低压CVD(LPCVD)淀积Si_3N_4薄膜已不能适应器件的要求。必须寻求在更低的温度下(400℃以     

化学汽相淀积设备

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。     

用ECR法制备氮化硅绝缘层的交流薄膜电致发光器件

本文讨论了用Si_3N_4作绝缘层的薄膜ZnS:TbF_3金属-绝缘体-半导体(MIS)的电致发光器件,Si_3N_4绝缘层用电子回旋谐振等离子化学汽相淀积法(ECR-Si_3N_4)形成。器件的阈值电压为30V_(rms),击穿电压达140V_(rms),亮度衰减和电失效比不用ECR-Si_3N_4薄膜的器件改善了十几倍,这是因为ECR-Si_3N_4薄膜具有极好的电性能和防潮性。     

在LPCVD型系统中采用SiHCl_3——NH_3体系制备Si_3N_4膜

一、前言低压化学汽相淀积(简称LPCVD)技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中引起了极大的重视。Si_2N_4作为纯化膜改善了器件的性能和提高了器件的可靠性。采用LPCVD技术制备的多晶硅、二氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃无论在经济,均匀性,重复性和投片量上都比用常压CVD技术制备的膜优越得多。采用SiHCl_3     

在InP表面淀积Si_3N_4薄膜的研究

本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该方法所淀积的Si_3N_4薄膜,重复性、均匀性都较好,该薄膜已较好地用于激光器的研制中,作为窄条光刻腐蚀保护膜和扩散掩蔽膜,得到了理想的效果。     

亚微米ULSI无鸟喙封闭界面局部氧化技术

研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合结构的生产中;这种掩蔽结构,对垂直封闭以及在硅选择氧化期间通过掩模夹层边缘封闭氧化剂十分有效。为了在芯片制造过程中形成完全平坦的图形,生长了全开槽和半开槽的场氧化物。本文报道了一种适用于ULSI的无鸟喙LOCOS工艺。     

采用平面电阻炉单面加热制备Si_3N_4的CVD工艺

本文提出采用平面电阻炉单面加热,以N_2携带SiH_4和NH_3作为反应气体,用CVD法淀积氮化硅薄膜的工艺。分析了Si_3N_4淀积过程中存在的气相反应。讨论了气体流动形式、流量和反应管横截面形状对淀积膜均匀性的影响。平面电炉的加热方式允许采用横截面极扁的石英反应管,为淀积均匀的Si_3N_4膜提供了较佳的设备条件,理论分析和实际结果都证实了这一优点。平面电阻炉的加热方式还具有设备简单,温度的测量准确、控制可靠,无高频污染等优点。这种设备原则上可推广用于其它的CVD工艺。     

等离子化学汽相淀积

等离子激活化学汽相淀积工艺(PCVD)在许多方面都相似于熟知的化学汽相淀积工艺(CVD),它从射频激发的辉光放电得到反应能。该工艺在低温、低压下操作,可在所有光刻图形的台阶上淀积均勿一致的薄膜,而且产生的额外颗粒物质极少。     

InSb与化学汽相淀积SiO_2间界面的X射线光电子能谱研究

一、引言窄禁带材料的MOS工艺需要寻找击穿特性合适的、化学稳定性好的高质量介质膜。但是大多数III—V族化合物半导体的原生氧化物化学计量比不稳定,组分不均匀,易水解。因此,近来大量的工作致力于发展与这些半导体的化学性质相适宜的淀积介质膜。低温化学汽相淀积(LTCVD)技术是制备这种介质膜的特别有希望的方法。在InSb单晶衬底上淀积SiO_2得到的化学系统,近来被推荐用于制备红外CCD成象列阵。SiO_2的稳定性、纯度加之工艺简单使这种介质膜颇具吸引力。研究得出的结论是,电性活泼的表面态仍然是因淀积时淀积物与原生氧化物之间的相互作用而引起的。文中采用x射线光电子能谱和较为缓和的化学腐蚀作纵向剖面分布,从而研究考察这种相互作用的化学本质。     

非晶硅的基本物理参数

<正>非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si,其物理     

大功率天线开关器件用的介质材料——氮化硼

用化学蒸汽淀积的(CVD)各向同性氮化硼(BN)制成的介质容器,在大功率天线开关器件中,可以用来代替通常采用的石英外壳。由于氮化硼具有很多良好的工作特性,采用这种材料之后,使得天线开关的工作性能获得了重大的改善。     

LPCVD工艺—用20%、50%浓度的硅烷淀积多晶硅的工艺报告

很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求.     

半导体制程设备可加工12英寸硅片

最近,LAM公司推出了一种先进的制程设备,可用于生产300mm(12英寸)硅片,从而实现了技术上的突破。工程师们用LAM集成式低压化学汽相淀积(LPCVD)系统把高质量介质薄膜淀积在12英寸硅片上。 由于开发出了这一最新技术,LAM公司能在蚀刻和化学汽相淀积中使用300mm加工工艺。目前,该公司与美国     

用激光制造电介质薄膜

用激光制造电介质薄膜的方法有多种,但大致可分化学的激光CVD(化学汽相淀积)法和物理的激光—剥离法两大类。本文以日本英贡等人的研究成果为中心,对上述两种方法作具体介绍。 1 用激光—CVD法制造氮化铝薄膜氮化铝(AlN)由于它具有高的导热性,热膨胀率与硅相同,耐腐蚀性优越等,最近成了受青睐的材料之一。在制造氮化铝薄膜时,通常利用MO     

连续CVD反应炉中SiO_2薄膜淀积

一、引言 在半导体器件工艺中,普遍采用CVD(化学汽相淀积)方法生长掺杂或不掺杂的SiO_2薄膜,作为器件表面的钝化层、掺杂的SiO_2固态扩散源和多层布线中的绝缘介质层等。与此相应的各种淀积SiO_2薄膜的CVD反应炉也相继出现。由于结构简单,钟罩式旋转反应炉首先广泛应用于实际生产工艺中。图1(α)是一种典型的钟罩式旋转反应炉的示意图,钟罩高度约25cm到40cm间,钟罩内加热的合金铝盘上方形成一个反应空间,被淀积的硅片置于加热的合金铝盘上,铝盘可绕轴旋转。当SiH_4和O_2由钟罩顶部进入反应区时产生大致如下的化学反应:     

在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜

本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。     

无定形衬底上整形束激光再结晶多晶硅的结构与电学性质

发展在绝缘衬底上得到电子学级硅薄膜的技术有很重要的技术意义。这种薄膜在介质隔离的集成电路、大面积平面显示电路和“高层”立体集成电路方面有着潜在的应用。到目前为止,已经可以利用使化学汽相淀积(CVD)硅熔化和再结晶获得具有最好的电学性能的薄膜。这种方法的主要效果是显著增大了淀积薄膜的平均晶粒尺寸。因为晶粒间界一般有害于薄膜的电输运性质,可以增加晶粒尺寸随之减少了晶粒间界的面积,结果改善了半导体薄膜。淀积薄膜的熔化可以利用各种能源,包括     

氧对化学汽相淀积氮化硅的影响

一、引言 不少文章已介绍了氮化硅膜有它的独特之处,许多性能优于二氧化硅膜,因而已在集成电路工艺中得到广泛的应用,而目前制备氮化硅膜有种种方法,较常用的有高温(850℃左右)下的化学汽相淀积(简称CVD)及低温(500℃以下)等离子化学汽相淀积(简称PCVD),前者又分“常压法”和“减压法”。本文主要讨论前者两种方法生长的氮化硅膜。     

DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理

等离子(增强)化学汽相淀积(Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition)简称PCVD(或PECVD)技术是生长用于半导体器件的固体薄膜的一种新工艺,即低温(<400℃)工艺。DD-500等离子淀积台是为了用PCVD技术生长氮化硅钝化膜而设计的。但本设备还能低温淀积等离子氧化硅作多层布线的介质膜和掺杂的氢化无定形硅(α-Si)制作太阳