DZ-12/4多能量档电子直线加速器辐照关键参数测试

中国原子能科学研究院建立了一台DZ-12/4多能量档电子直线加速器,该装置主要用作辐射加工级电子束辐照实验平台。为了检测该电子束辐照实验平台辐照工艺控制参数,本文利用中国原子能科学研究院FJL-02型辐射变色薄膜剂量计对DZ-12/4多能量档电子直线加速器关键参数能量进行了测量,并对研制的束流监测系统法拉第筒的可靠性进行了验证。结果表明,DZ-12/4多能量档电子直线加速器能量在4~12 MeV范围可调,运行参数准确可靠;日常运行中,加速器运行人员通过监测设备和调节加速器参数可有效控制并估计辐照剂量,具有非常好的实用性和简便性。     

基于量热法的电子束吸收剂量绝对测量方法研究

正基于电子直线加速器进行辐照加工级电子束吸收剂量绝对测量方法研究,使用RISO制石墨和聚苯乙烯两种吸收体的量热计工作计量器具在10 MeV电子能量下进行动态辐照实验,并开展量热计剂量响应、剂量重复性、量值传递等方法初步研究。结果表明:量热计测量的吸收剂量仅与辐     

S波段轴耦合驻波加速结构优化计算

正电子直线加速器的加速结构主要包括行波结构和驻波结构,其中行波结构主要应用于科研用高能电子直线加速器及工业用高能电子束辐照等领域,驻波结构主要应用于医疗和无损检测等领域。中国原子能科学研究院开发的基于电子直线加速器的无损检测设备已形成系列产品,涵盖1/2、2/4、4/6、6/9、9/12 MeV双能无损检测加速     

10 MeV电子直线加速器扫描系统研制进展

扫描系统是电子直线辐照加速器的重要组成部分,10MeV电子直线加速器的扫描系统已加工完毕并通过验收。1)设计指标电子束能量,W=10MeV;偏转角度,θ=±30°;扫描宽度,D=±400mm;扫描频率,fmax=15s-1,fmin=5s-1。2)磁极结构磁极结构为山字型,分上下两部分,能够拆卸,便于安装真空室。工作时,要求外加紧固夹板。磁极面积,S=a×b=140mm×120mm;磁气隙,g=48mm。3)磁场最大磁场,I=8A,Bmax=1529Gs;I=6A,Bmax=1138Gs。磁化曲线如图1所示,线性较好。目前,扫描磁铁已安装完成,并配合10MeV电子直线辐照加速器开展出束调试实验。图1磁化曲线10 MeV…     

10MeV高能大功率电子辐照加速器研制

辐照杀菌是基于电离辐射在物质内经过直接和间接作用引起生物体内DNA失活的一种生物效应。辐照灭菌使用的射线可以是放射性同位素源产生的γ射线、加速器产生的高能电子束或电子束打靶而产生的X射线。目前，以电子加速器产生的高能电子束灭菌方法正在成为发展趋势。因此，核技术所电子直线加速器研究室和原子高科股份有限公司开展了10MeV、15kW电子辐照加速器装置的研制工作。     

BF-5辐照电子直线加速器的主要技术特性

本文介绍了BF-5辐照电子直线加速器的设计与调试结果,其主要技术特性为:电子束能量3—5 MeV;平均流强范围0—235μA;最大束流功率700 W;辐照厚度1.6—3 cm; 扫描宽度5—60cm。     

12 MeV无损检测用电子直线加速器研制

正近年来,无损检测用电子直线加速器能量有了更高的需求,2017年我院直线加速器研究室(62室)成功中标一重集团大连石化装备有限公司2台12 MeV无损检测用电子直线加速器,2017年先交付1台。加速器主要技术指标要求如下:1)等效钢铁检测厚度范围为76～420 mm;2)X射线能量,12MeV/9MeV;3)X射线束剂量率,≥5 000cGy/min@12MeV,≥3 000cGy/min@9MeV;4)X射线束斑焦点,≤3mm。加速器采用12 MeV驻波加速器结构,电子     

国外工业辐照加速器的应用及其进展

用于工业辐照的加速器绝大多数是电子加速器,其能量在0.15MeV到10MeV之间。近年来工业辐照技术发展很快,全世界用于射线辐照的总功率已超过15MW,其中,电子射线的功率14MW,~(60)Coγ射线的功率仅1MW。到1985年,全世界电子加速器消毒装置有十多台;用于工业辐照的电子加速器超过400台,其中,美国有265台、日本85台、苏联50台、欧洲其它国家10台。     

用于工业辐照的强流脉冲电子束装置

工业电子辐照对加速器的要求:电子能量300keV—3MeV;束功率10—100kW;电子辐照剂量10~4-10~5Gy。重复频率强流脉冲电子束装置可以成为这类小型加速器的品种之一。脉冲强流电子束束流很强,可达几十到几百kA;脉冲束功率可达10GW—1TW,关键问题在于提高它的工作重复频率。     

轴耦合驻波加速结构的设计研究

<正>电子直线加速器有行波和驻波两种工作方式,行波结构是在加速管末端接上匹配负载以吸收多余的能量,驻波结构则是使入射波和反射波在加速管内叠加形成驻波场以加速电子至较高能量。行波结构主要应用于科研用高能电子直线加速器及工业用高能电子束辐照等领域,驻波结构主要应用于医疗和无损检测等领域。早在20世纪40年代,国际上很多研究小组     

10 MeV行波加速管研制

正用于电子束辐照的10 MeV电子直线加速器一般采用盘荷波导行波加速管,其结构简单、稳定性好,加之电子束辐照对束流品质的要求较为宽松,故一般在加速结构上不再单独设置预聚束段,而是在加速管的前几个腔采用变相速设计来控制加速相位,提高纵向的俘获和加速效率。本文介绍了1支10MeV行波加速管的研制,主要设计参数列于表1。加速管的研制主要有3个过程,物理设计、机械设计与加工、测量调谐。该加速管使用SUPERFISH结合PARMELA完成物理设计,加速腔体采用碗型结构(或称杯型     

10MeV大功率辐照加速器研究进展

10 MeV辐照加速器输出电子束能量10 MeV,平均束流功率达20 kW。由于高流强、大功率,对加速器的总体和一些关键部件如加速管、速调管、调制器、电子枪等提出更高的要求。经充分的预研、设计与计算,完成了加速器总体结构与各分系统的工程设计。总体采用立式机架,束流由上往下传输     

辐照电子直线加速器辐射剂量测定的技术研究

研究了辐照电子直线加速器辐射剂量测定的技术方法,在测量方法上采取实测与蒙特卡洛模拟计算相结合的方法提高辐射剂量测定的准确度和可操作性;用化学剂量计建立电子束吸收能量测量的方法;用平板电离室建立电子束表面剂量、电子束吸收剂量率测量的方法;用半导体探测器阵列建立电子束辐照均匀性测量的方法。     

基于电子直线加速器的空间电子环境地面模拟用电子源设计与实现

空间电子环境地面模拟装置由1台电子直线加速器提供能量1~5 MeV范围内的电子,后续束流传输系统将电子束进行扩束处理。较大的能量范围对加速器的设计与运行条件提出了较高要求。本文主要阐述了该加速器的设计与实现过程,综合考虑了能量开关技术和束流负载效应,通过研究不同条件下的耦合度参数特性确定了加速管耦合度,分析提出了磁控管输出参数并进行了实验研究。加速器实验测试结果表明,电子束能量参数达到指标要求,为模拟装置提供了有效可靠的电子源。     

漯河辐照加速器控制系统研制

漯河辐照加速器是1台用于食品杀菌与保鲜等的8MeV电子直线加速器。文章从硬件组成、软件设计及辐照剂量控制等方面介绍漯河辐照加速器控制系统。近9个月的连续运行表明，该控制系统操作简便、运行稳定可靠。     

一种测量辐射加工用加速器电子束能量的方法

根据射程法原理,在上海二级标准剂量学实验室对辐射加工用加速器电子束能量的测量方法进行了实验研究,并在3个辐射工厂对3台3MeV、20mA高频高压型加速器的电子束进行了能量测定.结果表明,在1-3MeV能量范围内,能量测定准确度优于±10%.     

辐射加工级电子束量热计设计

为设计一种可以用于测量辐射加工级电子束吸收剂量的量热计,采用高纯石墨为吸收体,发泡聚苯乙烯（EPS）为绝热层材料,结合MCNP吸收剂量模拟结果设计各个部分的结构,利用ANSYS模拟分析软件进行热分析,确定各个部分的具体尺寸。以此量热计为基础,在某公司的10 MeV电子加速器下进行实验,采用microK250高精密测温电桥测量电阻阻值,获得10 MeV标称能量下的电子束吸收剂量的测量结果,得到吸收体被照射时间变化与吸收剂量的比例关系。探讨量热计准确性的影响因素,在能量为10 MeV时测量电子束吸收剂量的总不确定度为1.43,本研究结果可为辐射加工级电子束的吸收剂量测量提供参考。     

14 10MeV辐照电子直线加速器真空系统运行情况

10MeV辐照电子直线加速器的真空系统自2004年5月安装完成后，到目前已运行8个月，其运行状况基本正常。     

模拟空间辐射环境能量可变加速器方案设计

<正>本文研制一台模拟空间高能电子辐射环境的电子直线加速器,要求加速器输出的电子能量调节范围覆盖非光速区和光速区(0.5～5 MeV)、束流密度很低且调节范围达2个数量级(1～100Pa/cm~2)、输出束流强度低且调节范围接近4个数量级、辐照面积调节范围(最大800 mm×800 mm,最小300mm×300mm)大同时均匀性(不均匀度10%)高等。基于以上要求,需对能量调节方法     

高能电子单粒子效应模拟实验研究

本文基于2 MeV自屏蔽电子加速器和10 MeV电子直线加速器,开展了电子单粒子效应实验研究,并分析了其机理。在保持入射电子能量不变的情况下,在±20%范围内改变器件的工作电压进行了单粒子翻转实验。实验结果表明：45 nm SRAM（额定工作电压1.5 V）芯片在电子直线加速器产生的高能电子照射下能产生明显的单粒子翻转,单粒子翻转截面随入射电子能量的变化趋势与文献数据相符合;电子引起的单粒子翻转截面随器件工作电压的变化趋势与理论预期一致,即工作电压越小,单粒子翻转临界电荷越小,翻转截面也越高。