二硅化钨形成、结构和电性质的研究

本文报道用As离子束混合形成WSi_2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi_2的形成温度可大大降低.WSi_2薄膜电阻率随后退火温度的变化与微结构有关.淀积薄膜过程中引入的氧杂质限止晶粒生长,影响WSi_2薄膜的电阻率.观察到退火过程中氧杂质和注入As离子的再分布和严重丢失.进一步讨论了离子束混合形成硅化物的机理.     

高锂含量碱金属铌酸盐的结构与性能研究

采用传统固相法陶瓷制备工艺制得高锂铌酸基无铅压电陶瓷体系xLiNbO3-(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3(简写为xLN-(1-x)NKN,其中x=0.146,0.236,0.292,0.348,0.361,0.382,0.438,0.472,0.500,0.528,0.618),研究了该体系的晶相结构,断面形貌及电学性能随x的变化。研究表明,随x的增加,样品主晶相有一个四方钙钛矿到四方钨青铜结构再到LiNbO3三方结构的过程;压电常数d33随着x的增加而减小,但在x=0.236~0.438时保持相对稳定,约为75~80 pC/N;当x=0.5时,居里温度TC为537℃,此系列陶瓷适用于高温环境的压电陶瓷。     

多晶硅/硅化钨结构的氧化现象

为了提高VLSI多晶硅工艺中所用多晶硅线条的导电率,目前正考虑用硅化物(如WSi_2、MoSi_2和TaSi_2)作为多晶硅线条上的覆盖层。多晶硅/硅化物结构的优点之一,估计可能是,它是一种可氧化的自钝化结构。在某些类似于FET多晶硅工艺所采用的那些氧化条件下,孔隙可能在多晶硅层中扩大,或缺乏结构完整性的不需要的氧化层可能在硅化物表面扩展。本文讨论了这些现象的氧化机理。     

钢的组织结构与精冲性能

强力齿圈压板精冲技术是至今为止已知的各种精冲方法中发明最早、使用最广、工艺成熟的一种精冲法。谈技术从本世纪二十年代发明至今已有六十多年的历史。但只是进入七十年代,随着这项精冲技术在迅速发展的汽车制造业中得到推广应用,特别是高强度厚钢板精冲零件的成功和不断增多,才促进了精冲及其相关成套技术的发展,使这项技术得到普及。据统计,目前全世界已生产的8000多种精冲件中,90％以上是钢板精冲件。其中,汽车工业用量最大,超过60％,研究钢的组织结构与其精冲性能的关系,对正确选用精冲材料,尤其国产精冲钢板,制定合适的材料前处理工艺,扩大精冲钢板的范围,提高精冲件质量等,都具有重要意义。本文结合国产钢板的质量情况,介绍改善其精冲性能的措施,可供现场实际应用参考。     

用超高真空扫描隧道显微镜UHV-STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构

作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV-STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪(Auger El e ctron Spectroscopy (AES))研究了多晶铌和Nb(001).实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热.经过重结晶后,在多晶铌和Nb(001)表面形成了特征性的表面超结构 .在多晶铌表面,作者观测到了(110)和(100)面,在(100)面上形成的是(n×1)超结构,而在(110)面上形成的是0.28nm×0.40 nm的周期性超结构.在Nb(001)表面作者观测到 C(2×2) 的典型结构.AES实验表明,不纯物"氧"仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中.基于这些实验结果,结合铌的微观晶格结构,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释,并对有些结构提出了原子排列模型.     

共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质

采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同,主要有(112)和(220)/(204)两种;其结晶形貌也有很大的不同,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高,虽然从Cu/(In Ga)＜1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构,但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.     

钠过量对铌酸钾钠基陶瓷结构及性能的影响

用常规氧化物固溶法制备了(Na0.520+xK0.480)0.915Li0.085NbO3(x=0～0.025)无铅压电陶瓷,研究了过量Na的掺杂量对其烧结温度、微观结构及压电性能的影响。结果表明,过量Na掺杂在烧结过程中促进液相的产生,导致样品烧结温度显著降低。室温下样品均为四方结构。随x的增加,样品的斜方-四方相变温度tO-T趋向低温。当x从0.010增大到0.025时,Qm从131提高到238,tanδ和d33分别从0.034和125pC/N下降至0.012和105pC/N,表明过量Na实际上起到了"硬性掺杂"的作用。     

铌酸钠钾基无铅压电陶瓷的相结构与压电性能

采用传统固相反应合成法制备了结构致密的(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3(KNNT)无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明,随着LiTaO3含量的增加,材料的钙钛矿结构由斜方相向四方相转变,KNNT材料的准同型相界位于0.04 mol相似文献   

锌酸盐镀锌层的显微组织、结构和性能研究

近二、三十年来,无氰电镀研究普遍引起重视,镀锌在电镀工业中所占比重最大,因此,无氰镀锌研究也最多。由于无氰镀锌镀液不够稳定,镀层质量也不够好,所以,目前镀锌仍大量采用氰化电镀。Darken(1979)对锌酸盐光亮镀锌进行过全面总结,认为锌酸盐镀锌虽存在电流效率较低(约70%),镀速较小的缺点,却有许多优     

中间层对304不锈钢/铌激光焊接头组织及性能的影响

利用纯铜、纯银、纯钨、纯钒、纯钽和纯钼等不同金属材料作为填充金属,采用预置中间层的方法,进行了304不锈钢(304SS)与铌的激光焊接试验。结果表明,在被选择的填充金属中,铜和银作为中间层可以实现304SS与铌的焊接,前者接头强度最高,强度峰值达到250 MPa,是最优填充金属;随着铜层厚度的增加,铜层对于Fe2Nb的阻碍作用增强,接头强度提高,但是铜层厚度不能过大。     

硅化铂红外焦平面探测器性能改进技术分析

硅化铂红外焦平面探测器具有响应光谱宽、规模大、均匀性好、时间稳定性高、制造成本低等优点,在多/宽光谱成像、激光探测、天文观测、医疗检测等领域具有应用潜力,但NETD 100 mK 的灵敏度对其广泛应用有一定的限制。文中从该探测器的量子效率和填充因子两方面总结和分析了国内外的改进技术,重点分析了光腔结构、多孔硅结构、重掺杂P+和合适硅化铂膜厚提高量子效率的机理,并定量比较了提升幅度:多孔硅结构提升幅度最大,在波长4 m 处的量子效率可达27%;相比内线转移CCD,电荷扫描器件、曲流沟道CCD 和混合读出结构均能改善填充因子,其中混合读出结构的填充因子可提高为80%。微透镜列阵能将填充因子提高到85%以上。     

铌酸锂晶体电子结构和光学性质计算

使用基于从头计算平面波赝势法的CASTEP量化软件计算了铌酸锂(LiNbO3)晶体的电子能带结构和线性光学系数,采用耦合微扰方法(CPHF)计算了铌酸锂晶体的非线性光学系数.折射率和倍频系数的计算结果与实验结果基本符合,计算表明铌酸锂晶体中Nb原子的4d轨道电子态和O原子的2p轨道电子态发生了明显杂化.通过分析铌酸锂晶体的价带顶和导带底电子态密度的组成特点可知这些轨道电子态的杂化是其非线性光学效应的主要来源,同时计算还表明铌酸锂晶体中Li-O键具有明显的共价键性.     

硅化钽/多晶硅双层膜结构中磷的外扩散

在硅化钽/掺磷硅双层膜中,硅的电阻率能随着高温退火过程急剧增长,其增长大小取决于硅膜的晶粒间界及退火气氛,与界面反应或界面扩散的程度以及和所用硅化物的类型无关。用二次离子质谱分析证实,硅中磷含量的减少是由于磷的外扩散所致。     

钛酸和铌酸纳米结构的合成、表征和形成机制

自碳纳米管发现以来，纳米管、纳米线等纳米结构的研究受到广泛重视。钛酸和铌酸是半导体，有光催化和离子交换特性，可用于气体传感器，能量转换和环境净化等，由这些材料组成的纳米材料有可能成为很好的纳米器件。本文工作中，我们合成了这类层状化合物的多种纳米管、纳米线、纳米带和纳米片。     

论金属材料组织结构对性能的影响

机械工程中使用最为广泛的结构材料就是金属材料,而金属材料的性能主要由其内部组织结构决定。本文将主要从力学性能和工艺性能这两个方面探讨金属材料组织对其性能的影响。