双离子束溅射法制备铁氮薄膜

使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜,随着基片温度的变化,薄膜的成分是ε－Fe2-3N,γ′－Fe4N或是二相的混合物,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计（VSM）测定了薄膜的磁性能。另外,研究了在基片温度为160℃时,改变主源中通入N2／Ar的比例对薄膜成分的影响。     

低氟化学溶液法制备REBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜

提出了一种低氟溶液制备REBa2Cu3O7-x(REBCO)超导薄膜的方法。以醋酸盐为原料,二乙烯三胺、丙烯酸、三氟乙酸为反应物,甲醇为溶剂,制备了含有无氟RE盐(RE=Y、Yb、Nd),无氟Cu盐和含氟Ba盐的低氟REBCO前驱溶液。该溶液中氟含量只有传统的All-TFA溶液中氟含量的30%。利用该溶液制备REBCO薄膜,减少了热分解过程中HF气体的释放量,缩短了热分解周期。利用X射线小角掠射对薄膜热分解过程进行了分析,结果表明,低氟化学溶液法所得凝胶膜在热分解后,形成了RExBayFz化合物,避免了BaCO3相的形成,从而可获得高性能的REBCO薄膜。     

离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe_2(CIS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能.实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象.     

离子束溅射作用下聚四氟乙烯薄膜的制备方法

在多功能离子束辅助沉积装置上采用交替溅射和冷却聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜。由ＸＰＳ的结果可知，所得薄膜主要由ＣＦ２结构组成；ＦＴ－ＩＲ的结果表明，所得薄膜由Ｃ－Ｆ的最强吸收峰和聚四氟乙烯的特征吸收峰构成。所得薄膜的这些结构特征与聚四氟乙烯的结构是一致的。     

离子束溅射法制备碳氮薄膜及其结构表征

采用离子束溅射沉积技术,对不同氮离子束能量情况下制备的氮化碳薄膜,进行了拉曼(Raman)和红外光谱(FT-IR)分析,并采用透射电子显微镜(TEM)分析其表面形貌,研究所制备薄膜的化学组成和键合结构。结果显示:随着氮离子束能量增大,氮碳薄膜的沉积速率减小,薄膜结构中sp2含量增大,薄膜有序度增加,另外薄膜结构的团簇尺寸大幅下降,团簇趋于均匀分布。     

离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（FED）的ZnO:Zn荧光薄膜,采极RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜,RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn,沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现多种结构。Hall检测发现,长高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度。说明过量Zn含量 的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善,在ZnO：Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位（Vo）充当了蓝/绿光的发光中心,薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复,成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同。     

离子束溅射BST薄膜的制备及结构分析

本文采用离子束溅射的方法制备了不同衬底温度下的BST薄膜,用X射线、Raman、SPM等技术对晶体结构及微观形貌进行表征,研究了离子束溅射制备BST的工艺.     

离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究

采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度(100～400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长特征;随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大(2.33～2.42eV)且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜,发现(50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值,满足CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求。     

Preparation of YBa_2Cu_3O_(7-x) Superconductor Film by Ion Beam Sputtering

Since the discovery of high T_c super-conductor, much effort was made toits application. More and more evidencehas revealed that most promising fieldof high T_c superconductor first to havesuccess must be the microelectronics andcomputer. Superconductor films for mi-croelectronic application are preparedby PVD method, such as electron beamevaporation, pulsed laser evaporation andmagnetron sputtering. In this paper, thepreliminary results of ion beam sputteringdeposition of YBaCuO film are reported     

氧离子束辅助激光制备具有组构的YBCO薄膜

应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆（ＹＳＺ） 缓冲层薄膜,再在 ＹＳＺ／ＮｉＣｒ基底上在 ７５０℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－Ｘ（ＹＢＣＯ）薄膜、 ＹＳＺ和 ＹＢＣＯ薄膜都为 ｃ－轴取向和平面织构的, ＹＳＺ（２０２）和 ＹＢＣＯ（１０３）的 Ｘ射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 １８＇和 １１＇．ＹＢＣＯ薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 ９０Ｋ（Ｒ＝０）和 ７．９ｘ１０５Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ,零磁场）．     

磁控溅射法制备高反射铝膜

通过先后调整溅射沉积时间、溅射功率以及溅射气压等镀膜参数,然后结合所镀样品的反射率测量,分析了镀膜参数对铝膜反射率的影响;通过调整不同的离子束清洗时间,结合所镀样品的太阳光谱反射率测量以及附着力测试,研究了离子束清洗对铝膜性能的影响。结果表明,在这些影响因素中离子束清洗对铝膜性能的影响很大。     

YBa_2Cu_3O_7相的不稳定性

本文报道90K 附近超导的 YBa_2Cu_3O_7相在空气中存放时的不稳定性。通过粉末 X 射线衍射研究,证实YBa_2Cu_3O_7相在常温常压下可以与空气中的 CO_2反应生成 BaCO_3     

YBa2Cu3O7—x陶瓷氧扩散动力学

采用动态电导率的测量方法，研究了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ陶瓷的氧扩散动力学过程，在５００－８５０℃温度范围内，氧分压为９６．８７ｋＰａ下而验证。     

YBa2Cu3O7—x超导材料的水解性质

以 Y_2O_3-BaO-CuO 三元系制备的 YBa_2Cu_3O_(7-x)超导材料对水和水蒸汽很敏感。超导相 YBa_2Cu_3O_((?)-x)与水的作用随温度升高而迅速增强,通常的水解产物为 Ba(OH)_2、Y(OH)_3和 CuO。这种性质起因于晶体结构的不稳定性,因为在这类钙钛矿型的超点阵结构中存在很多氧空位。室温下,YBa_2Cu_3O_(7-x)相与水的作用较弱,而杂质相 Ba_4Y_2O_7和 BaCuO_7等可与水迅速产生反应并释放热量,从而导致 YBa_(?)Cu_3O_(7-x)脱氧、水解。     

YBa_2Cu_3O_（7－x）陶瓷氧扩散动力学

采用动态电导率的测量方法，研究了ＹＢ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ陶瓷的氧扩散动力学过程，在５００—８５０℃温度范围内，氧分压力９６．８７ｋＰａ下，实验求得氧扩散系数为：在６８０℃附近，出现Ｄ值的不连续性．     

YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体合成机理

采用 TG-DTA 热分析和 X 射线衍射相结合的方法,研究了由不同原料制取单一相 YBa2-Cu_3O_(7-(?))超导体的合成反应机理。试验结果表明,YBa2Cu_3O_(7-(?))的形成经历两个反应阶段,首先形成 BaCuO_2和 Y_2Cu_2O_5,随后这两个二元复合氧化物化合形成 YBa2Cu_3O_(7-(?))。各步反应温度受钡盐种类控制,采用 Ba(NO_3)_2原料,在750℃即可表现出超导性,T_c 达86K。     

YBCO／STO超导外延膜的X－射线双晶衍射研究

应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间存在与两者点阵常数差无关的位向差。这种位向差与测量方向（φ角）有关，在孪晶界方向出现极值。外延摇摆曲线的半峰宽值显示外延完整性较差，其值与测量方向有关，而不同方向上的点阵常数变化却不大。这可能分别与孪晶存在和孪晶有择优取向以及外延镶嵌块间夹角变化有关。