无铅焊膏用助焊剂活性物质的研究

选择几种常用活性剂进行铺展面积和润湿力性能测试,对效果较好的活性剂进行复合处理;采用铺展试验优化,模拟实际回流焊工艺进行性能测试,得到了一种较好的助焊剂。结果表明:当A酸、B酸和C酸的复合质量比为2:4:1,加入质量分数约0.56%的三乙醇胺时,溶液的pH值约为3.80,钎料焊后的扩展率可接近80%。由此配制的焊膏焊接性能良好,腐蚀性小,焊后残留量低,存储寿命较长。     

无铅焊膏用助焊剂的制备与研究

无铅焊膏用助焊剂需要一定的黏性,选择有机酸和有机胺混合作为活性物质,配合一定量的松香配制出一种助焊剂。通过控制助焊剂中松香的含量,降低不挥发物的含量,减少残留物对元器件的腐蚀。依据标准对所配制的助焊剂进行了性能测试,并与一种松香含量较高的助焊剂比较。结果表明:助焊剂的松香含量降低约10%,在260℃焊接后不挥发物含量降低了近6%,黏度较好,无卤化物,无毒,环保,符合焊膏用助焊剂的要求。     

焊膏用免清洗助焊剂的制备与研究

根据免清洗助焊剂各组份的特点,分别对其活性剂、溶剂、成膜剂以及添加物进行筛选和处理.在一定温度下对各组份进行均匀化处理并制备出助焊剂,依据标准对所制备的焊剂进行性能测试.以自制的锡银铜系焊粉为基础制备焊膏并做焊接模拟.结果表明:采用有机酸和有机胺复配制备的活性物质满足预期要求;复配溶剂满足沸点、黏度和极性基团三大原则;所制备的免清洗焊剂多项性能满足规范要求,达到了免清洗的要求,解决了助焊性与腐蚀性的矛盾;所制备的焊膏焊接性能良好,无腐蚀,固体残留量低,存储寿命较长.     

绿色电子制造用水基助焊剂的研究

水基助焊剂是绿色电子制造的一种重要材料,是传统溶剂型助焊剂的替代品。本文简述了水基助焊剂的研究背景、研究方向以及对绿色电子产业的促进作用等。     

一种软钎焊料润湿角的测量方法

采用数码摄影技术和AutoCAD软件,获得一种较为精确的软钎焊料润湿角测量方法。介绍了具体操作过程和应注意的事项。     

免洗低残留助焊剂的选择与使用

介绍了免清洗低残留助焊剂的特点，并列出了选择使用免清洗低残留助焊剂时须特别注意的要点。     

镀银铜粉导电胶的研究

经过对200目商用铜粉进行球磨处理得到2~8μm细片状铜粉,再进行多次化学镀银处理,得到表面银覆盖率达90%以上的一种高性能镀银铜粉。该镀银铜粉与环氧树脂、固化剂以及其它添加剂合成制得的镀银铜粉导电胶,防铜氧化效果好,电阻稳定且电阻率可达10–4Ω·cm级别,相比银导电胶成本降低,耐迁移效果好。     

无VOCs水基免清洗助焊剂的研究

研制了一种以水作溶剂,不含挥发性有机化合物(VOCs)的水基免清洗助焊剂。根据信息产业部制定的免清洗液态助焊剂标准,使用Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅焊料,对该免清洗助焊剂进行了性能检测。结果表明:该助焊剂在外观、稳定性、粘性、卤化物含量等方面都符合标准,对无铅焊料助焊效果较好,无卤化物,无毒,无刺激性气味,环保,安全,节省成本。对无VOCs水基免清洗助焊剂在波峰焊中的应用给出一些建议。     

高频等离子体法制备微细球形镍粉的研究

用羰基镍粉为原料,制备微细球形镍粉(包括细化和粗化过程),研究了载气量和加料量对产品镍粉形貌和粒度的影响。结果表明,等离子体处理后产品仍为纯金属镍粉,形状由不规则变为球形,颗粒平均粒径由原料的3～5μm减小至100 nm左右,振实密度由2.44 g/cm3提高到3.72 g/cm3。高频等离子体法是制备电极用高振实密度微细球形粉体的有效技术。     

单电压控制的电润湿显示阵列的制备与研究

文章介绍了利用匀胶机甩Teflon薄膜作为疏水亲油介质的方法制备电润湿显示的工艺,在此基础上,通过引入光刻工艺,选用SU-8负胶作为光刻胶,获得了具有良好的油滴浸润性的电润湿显示阵列。实验中获得的显示阵列具有良好的油滴浸润性,油滴在各个显示单元上覆盖全面,小电压时就开始收缩,电压加到30V时,油滴基本上收缩到角落,并且有良好的重复性,有望应用于下一代的显示器件。     

QFN封装元件组装工艺技术研究

QFN是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,这使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。     

SMT再流焊接工艺预测与仿真技术研究现状

综述了电子电路表面组装技术（ＳＭＴ）再流焊焊接工艺仿真与预测研究的必要性、重要意义及其研究现状，并对其应用现状及其发展趋势进行了评述。     

有机电子晶体取代苯基硫肥的制备与特性

阐述了有机电子晶体取代苯基硫脲的意义，讨论了其合成制备、分子结构、介电和压电特性。     

NTP发生器生成活性物质及发射光谱研究

对自行设计的NTP发生器进行了性能试验,研究了电学参量、气源对活性物质生成及发射光谱的影响。结果表明,活性物质主要为O3和NO2,且观测到明显的N2第二正带系谱峰。随着放电电压峰峰值或放电频率的升高,能量密度增大,O3和NO2浓度先增加后减小,N2第二正带系谱峰显著,光谱强度随之增大。随着气体流量增大,能量密度减小,O3和NO2浓度及光谱强度均呈先增后减的趋势。随着气源中O2含量增加,O3和NO2浓度增大,当O2含量为80%时,O3和NO2浓度均超过20000 ppm;光谱强度则逐渐减弱。     

二氧化钌/活性炭复合电极材料的性能研究

用sol-gel法制备了水合二氧化钌,进而制备了二氧化钌/活性炭复合电极,并对各种不同配比的复合电极的电化学性能和物理性能进行了实验研究。引入参数Cp,RuO2·xH2O,解释复合电极的电容特性,更好地考察了水合钌氧化物的利用率。结果表明,在二氧化钌中加入适量的活性炭,可以改善电极材料的阻抗特性,但将以降低电容量为代价,当二氧化钌含量为60%(质量分数)时,复合电极的比容量为567F/g,内阻为0.4331Ω,是一种理想的超级电容器电极材料。     

ZnO-Bi2O3系MLCV内电极扩散现象的研究

为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。     

改变散射体RCS方向特性的有源加载方法研究

散射体的雷达横截面积(RCS)随着观测角度的不同而发生变化。对高频区的散射体电磁散射特性进行了建模,根据各个散射中心的位置关系和信号入射角度,计算散射体在特定方向上的RCS。提出了集中式和分布式的有源加载方法改变散射体RCS方向特性,通过施放有源干扰信号使散射体在特定方向上的RCS方向图出现凹点。仿真结果表明,该方法可以有效改变散射体的RCS方向特性,在特定方向上实现散射体射频隐身。     

MgZr4(PO4)6的反应及高温电性能研究

以Mg(OH)2、NH4H2PO4、ZrCl2O·8H2O为原料,在不同的热处理温度(800 ℃、900 ℃、1 000 ℃、1 100 ℃)下应用固相反应法合成磷酸镁锆(MgZr4,PO4)6(MZP)粉体,研究了其热重 示差扫描热(TG/DSC)图谱、物相组成、微观形貌和高温电性能。结果表明,900 ℃处理下可以合成纯相MZP粉体,且粉体能稳定存在。随着热处理温度的升高,出现了Zr2O(PO4)2第二相产物,其物量随着热处理温度的升高而增多。合成的MZP粉末具有2~5 μm大小不等的颗粒状,表面粗糙,并有更小颗粒聚集及呈不规则立方体状,还有极少量的形状为棒状,表面光滑,尺寸大小为2 μm的两种形态。随着温度的升高,MZP由于镁离子通道扩散能力的增加,试样的电导率提高了3个数量级。     

SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜。利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310nm。对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性。进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大。