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为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其量子密度,并对拥有不同隐层数和隐层神经元数的神经网络的训练速度和精度进行了研究.结果表明:含有2个隐层的神经网络具有高的训练速度和精度,但隐层神经元数对速度和精度的影响并不明显;对于单栅和双栅纳米MOSFET,其载流子量子密度可以通过神经网络进行快速计算,其结果与Schrodinger-Poisson方程的吻合程度很高. 相似文献
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文章提出了基于Levenberg—Marquardt BP神经网络的MOSFET反型层载流子密度量子更正模型.对于较大氧化层厚度范围、Si层厚度范围、栅压范围和掺杂浓度范围的单栅以及双MOSFET.Si反型层备点的载流子量子密度都可以通过经典载流子密度进行快速预测,预测结果与Schrodinger—Poisson程的平均相对误差不超过5%。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2014,(4)
设计了一种具有良好泛化能力的神经网络MOSFET模型。通过对超阈值区域和亚阈值区域的分段建模,得到了对器件直流特性和温度特性的精确描述。采用自适应遗传算法对网络的泛化能力进行优化,使模型对训练样本集边界外的数据也有很好的计算精度,具备了良好的预测能力。在Verilog-A平台上实现了分段模型的整合,能直接应用于基于SPICE的电路设计与分析。 相似文献
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对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2~8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。 相似文献
7.
研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为8.5 8×10 - 2 m m2 ,测试表明其击穿电压分别为17V和2 6 V,导通电阻分别为80Ω和6 5Ω. 相似文献
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对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。 相似文献
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研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10-2mm2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电阻分别为80Ω和65Ω. 相似文献
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为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其量子密度,并对拥有不同隐层数和隐层神经元数的神经网络的训练速度和精度进行了研究.结果表明:含有2个隐层的神经网络具有高的训练速度和精度,但隐层神经元数对速度和精度的影响并不明显;对于单栅和双栅纳米MOSFET,其载流子量子密度可以通过神经网络进行快速计算,其结果与Schrodinger-Poisson方程的吻合程度很高. 相似文献
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1 IntroductionQuantumNeuralNetwork (QNN )isabur geoningnewfieldwhichintegratesclassicalneuro computingwithquantumcomputing[1~2 ] .ThefieldofclassicalartificialNeuralNetworks (NN)canbegeneralizedtothequantumdomainbyeclecticcom binationofthatfieldwiththepromisi… 相似文献
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An analytical model has been developed to study inversion layer quantization in the ultra thin oxide MOS(metal oxide semiconductor)structures using variation and triangular well approaches.Accurate modeling of the inversion charge density using the continuous surface potential equations has been done.No approximation has been taken to model the inversion layer quantization process.The results show that the variation approach describes inversion layer quantization process accurately as it matches well with the BSIM 5(Berkeley short channel insulated gate field effect transistor model 5)results more closely compared with triangular well approach. 相似文献
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量子神经网络及其在CDMA多用户检测中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
量子计算与人工神经网络相结合的量子神经网络(QNN-Quantum Neural Networks)由于利用了量子并行计 算和量子纠缠等特性从而克服了传统人工神经网络的某些固有缺陷,将成为未来信息处理的重要手段。介绍了与量子神经 网络相关的量子计算基础,描述了一种量子神经元模型,分析证明了单个量子神经元具有与两层前向神经网络相当的非线 性映射能力。提出了一种基于量子神经元与量子寄存器的多用户检测方案,计算机仿真结果表明:本文所提出的检测器在 误码率和抗“远近”效应方面均具有良好的性能。 相似文献
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