华虹NEC非外延0．35umBCD工艺进入量产

上海华虹NEC电子有限公司目前宣布，公司非外延0．35urnBCD工艺开始进入量产。     

工艺制造

中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；     

国际领先的0.18μm BCD工艺平台在华虹NEC进入量产

上海华虹NEC电子有限公司(以下简称华虹NEC)2010年12月28日宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.18μm BCD(Bipolar CMOSDMOS)——BCD180工艺技术进入量产。该新型BCD180工艺平台是华虹NEC针对数字电源、电机驱动、音频功放、LED驱动、电池保护和高端电源管理等新兴应用而开发的,具有高集成度、低功耗、低开启电阻、多样工艺选项和可编程等优点,极大地方便客户选择,为客户提供更多的价值。     

华虹NEC的Super Junction工艺开发项目取得显着成果

纯晶圆代工厂之一上海华虹NEC电子有限公司（以下简称”华虹NEC”）宣布，凭借在MOSFET方面雄厚的技术实力和生产工艺．成功开发了新一代创新型MOSFET代工方案——600-700V Super Junction（超级结结构）MOSFET（SJNFET）工艺，并开始进入量产阶段。     

华虹NEC的0．13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果

上海华虹NEC电子有限公司今天宣布与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0．13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试并进入量产阶段，从而使EF130工艺的发展进入一个新的阶段。     

华虹NEC的Super Junction工艺开发项目取得显著成果

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）近日宣布,凭借在MOSFET方面雄厚的技术实力和生产工艺,成功开发了新一代创新型MOSFET代工方案——600—700VSuperJunction（超级结结构）MOSFET（SJNFET）工艺,并开始进入量产阶段。     

苏州国芯32位RISC核通过华虹NEC 0．25微米工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司宣布，苏州国芯科技有限公司的32位RISC CPU CS320内核，日前在华虹NEC的0．25微米标准工艺验证通过。标志着用户可以直接采用CS320内核设计基于华虹NEC 0．25μm工艺的SoC产品。     

EVOC推出875P工业级主板FSC-1717VN

Synopsys公司与上海华虹KEC电子有BR公司日前正式宣布．双方针对华虹NEC0．25微米芯片生产线，为共同的用户一起开发并推出了新一代的参考设计流程，这流程基于Synopsys Galaxy设计平台和华虹NEC的I／O和0．25微米标准单元库。设计者可以从华虹NEC得到设计流程，而且马上就能够开始使用Synopsys基于顶级设计工具并经过验证的方法，从而帮助他们解决复杂片上系统(SoC)设计中时序收敛方面的挑战，缩短设计周期，更快地达到量产。     

华虹NEC 0．162微米CIS工艺成功进入量产

上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功开发了0．162微米CMOS图像传感器（CIS162）工艺技术,已进入量产阶段。华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0．162微米纯逻辑工艺,1．8V的核心器件,3．3V的输入输出电路。经过精细调整集成了4个功能晶体管和光电二极管的像素单元可以提供超低的漏电和高清优质的图像。而特别处理的后端布线工艺保证了像素区高敏感性,     

苏州国芯32位RISC内核通过华虹工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司(C^*Core Technoloy)官布，苏州国芯科技有限公司的32位RISC CPU CS320内核，日前在华虹NEC的0．25微米标准工艺验证通过。     

Sequans通信选用芯原ZSP540处理器

Synopsys与上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，双方将携手开发应用于华虹NEC0．18微米工艺的参考设计流程2．0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后，将充分利用Synopsys Professional Services开发基于Synoopsys Galaxy设计平台和Discovery验证平台，以及华虹NECI／O和标准单元库的完整RTL-to-GDSⅡ参考设计流程。     

Cypress 0．13umeFlash工艺成功移植华虹NEC

华虹NEC与Cypress为0．13um嵌入式闪存工艺的成功转移,双方高层近日举行了小规模庆祝活动,华虹NEC总裁刘文韬、CTO梅绍宁、设计服务副总裁汤天申等和项目开发团队,与Cypress晶圆厂执行副总裁＆中国区总裁Shahin Sharifzadeh等4人会晤并互赠了纪念奖牌。     

华虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技术授权

Cypress和华虹NEC日前共同宣布,Cypress的0．13微米嵌入式非易失性存储器（NVM）技术历经14个月已经在华虹NEC获得成功验证。     

华虹NEC推出业界领先的0．13微米嵌入式EEPROM解决方案

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布,公司基于0．13微米嵌入式闪存（eFIash）工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。     

华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布,基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台,已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP）,使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年,而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势,巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC）     

星科金朋（上海）二期项目致力于先进封装生产

上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，位于张江高科技园区的华虹NEC二厂已于2007年9月顺利量产。至此，华虹NEC位于上海浦东金桥出口加工区和张江高科技园区的两条8英寸生产线并驾齐驱．为公司的晶圆代工业务提供稳定的产能，为客户提供优质可靠的代工服务。     

华虹NEC高压BCD技术荣获“2010年度中国半导体创新产品和技术”奖

在刚刚召开的“2011年中国半导体市场年会暨产业合作与创新论坛”上,上海华虹NEC电子有限公司的“0．18-0．25微米高压BCD成套工艺技术”获得了“第五届（20i0年度）中国半导体创新产品与技术”殊荣。华虹NEC市场部部长陈俭先生在会议的专题论坛上,就此次获奖的新技术作了“节能环保视角下的半导体技术及其代工解决方案”的演讲。     

发展特色工艺,推动金卡工程

国家金卡工程是我国信息化建设的四个起步工程之一，1994年由电子工业部牵头，会同邮电部、中国人民银行、内贸部、公安部、国家旅游局等部门联合组织在12个省市试点启动实施。为了配合国家金卡工程建设，华虹NEC自2001年起不断地开发出独具特色的eNVM工艺，从0．35μm到目前的0．13μm工艺，华虹NEC一直保持着eNVM技术的领先地位。已经成功地开发并生产出二代居民身份证、手机SIM卡、银行卡、社保卡等一系列智能卡产品，其中二代证和SIM卡的国内市场占有率都达到了70％以上，极大地推动了国家金卡工程快速发展，也为国家的信息化建设贡献了自己的力量。     

华虹NEC携手Advantest成功开发RFID芯片多同测解决方案

上海华虹NEC电子有限公司与爱德万测试（Advantest）近日共同宣布，已成功合作开发ISO14443协议标准的RFID芯片晶圆级大规模多同测解决方案，并正式进入量产阶段。结合华虹NEC在智能卡和安全类芯片领域先进的生产工艺和测试开发能力，华虹NEC与Advantest共同开发出的测试方案，能迅速准确地进行RFID反馈识别，其量产测试良率亦得到大客户认可。     

基于多种EDA工具的ASIC设计流程

本文结合 RISC-CPU实例，采用华虹NEC提供的0．35μm3．3v的工艺库，介绍了利用多种EDA工具进行设计ASIC的实现原理及方法，其中包括设计输入、功能仿真．逻辑综合、时序仿真．布局布线．版图验证等具体内容。并以实际操作介绍了整个ASIC设计流程。