Nb2O5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响

在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/A1的器件.Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITo中ln向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率.研究了不同厚度Nb2 O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2 nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5 cd/A增加到了7.8 cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件.     

离子束溅射氧化物薄膜的中红外特性

以离子束溅射沉积(IBSD)方法制备了Al2O3、Nb2O5单层膜,用红外可变角度光谱椭圆偏振仪(IR-VASE)测试了薄膜的光学常数。用原子力显微镜(AFM)测量了单层膜的表面形貌及表面粗糙度,计算了单个表面的总积分散射(TIS)。以Nb2O5和Al2O3为高低折射率材料设计并制备了2.7μm高反射膜。最后对单层膜进行了环境实验检测。结果表明,制备的薄膜在中红外波段具有高的折射率和低的消光系数,光滑的表面特性和极低的表面散射损耗;在2.7μm波段没有发现由于水吸收导致的消光系数的增大;制备的反射膜在2.7μm反射率达到了99.63%,接近于理论计算值。薄膜顺利通过了一系列环境实验,显示其优良的环境稳定性。     

不同退火过程对紫外HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜性能的影响

采用直升式和阶梯式加热法对电子束热蒸发镀制出的HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜进行了400℃的退火处理,发现采用阶梯式加热法退火后多层膜在190～300 nm范围内的峰值反射率均得到提高,说明此种后处理方法可能会改善膜层在紫外波段的光学性能.再对HfO2,Y2O3的单层膜进行相应的退火处理,发现退火后HfO2膜层的物理厚度减小从而发生监移现象;直升式退火使Y2O3膜层的折射率变小引起蓝移.阶梯式退火使得Y2O3膜层的物理厚度减小引起蓝移.对退火前后样品的微结构进行X射线衍射(XRD)法测量发现,退火可以使材料进行品化,并且采用直升式加热法后材料的结晶度更大,从而膜内散射变大,会引起膜层反射率的轻微降低.     

高损伤阈值激光反射镜的设计方法

为了提高激光反射膜的光谱特性和抗激光损伤特性,提出了一种高损伤阈值激光反射镜的设计方法：采用HfO2-Nb2O5-SiO2多材料混合膜系结构,利用Nb2O5-SiO2折射率差值大的特点,在较少的膜层数下达到高反射率要求;利用HfO2-SiO2组合具有高的抗激光损伤特点,在Nb2O5-SiO2膜堆的最外部分叠加HfO2-SiO2膜堆,取长补短,做到采用较少的膜层数,达到高反射率要求,同时提高薄膜的抗激光损伤能力.该方法能灵活有效地按照不同膜系要求进行材料组合,具有很高的实用价值,达到工程最优化设计.     

纳米Al夹层Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征。单层Al膜厚度大于7nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300nm)透明,光学带隙4.96eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低。顶层Ga2O3厚度为34nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275nm处的透射率达70%,电导率为3346S.cm–1。     

磁控溅射制备Ga2O3/ITO深紫外透明导电膜的光电性能

采用磁控溅射方法在石英玻璃基底上制备了Ga2O3/ITO膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对ITO膜和 Ga2O3/ITO膜的光学透过率和面电阻进行了表征,详细研究了ITO层和Ga2O3层的厚度对Ga2O3/ITO双层膜光电性能的影响。研究表明,Ga2O3(50nm) /ITO(23nm)膜在280nm处的深紫外光学透过率高达77.6%,面电阻为323Ω/sq;ITO层控制Ga2O3/ITO膜的面电阻,影响Ga2O3/ITO膜的紫外透过率;Ga2O3层厚度调控Ga2O3/ITO膜的紫外区域的光谱形状。     

界面层对激光减反膜的影响研究

激光技术的发展对减反膜提出了超高透过率的要求,基板的表面特征在高精度减反膜的设计与制造中不可忽略.选择熔融石英为基板,Ta2O5和SiO2为高低折射率膜层材料,针对在0 °入射角下工作的532 nm激光减反膜进行设计与分析,得到膜层内的电场分布.在模拟计算中将基板的表面粗糙度等效为等比例混合膜,计算分析了理想设计条件下...     

VO2/Al2O3复合膜系制备及其相变特性

钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120 nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装.     

LiCe掺杂对铋层材料K0．5Bi2．5Nb2O9的影响

用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。     

飞秒激光作用下啁啾镜膜层内损伤相关动力学

光学元器件的激光损伤问题,一直以来都困扰着超强超短激光系统的进一步发展。飞秒激光领域,激光脉冲引起的光学器件损伤主要由材料的本征特性决定。光学材料内的多光子电离、雪崩电离、导带电子弛豫等一系列非线性过程,与材料的激光损伤过程密切相关。利用泵浦探测技术,采用中心波长为800 nm,重复频率1 kHz的飞秒激光脉冲,对Nb2O5/SiO2啁啾镜介质膜的内部与飞秒激光损伤相关的超快动力学进行了研究。发现强的泵浦光脉冲辐照结束后飞秒乃至几十皮秒的范围内,啁啾镜对探测光的反射率有一定程度的下降。反射率降低的主要原因是泵浦光在介质膜的Nb2O5层内激发的大量的自由电子对探测光吸收所致,且该过程对激光诱导损伤过程起主导作用。通过反射率的变化,对其介质膜内导带电子弛豫过程进行探究,测定得到其衰减寿命,分别为1.31、6.88、22.34 ps。     

压电和铁电薄膜及其应用的发展趋势

本文讨论了压电和铁电薄膜材料及其在固体器件中应用的发展趋势。薄膜生长技术的进展,为压电和铁电薄膜集成固体器件在各个领域的应用开辟了广阔的前景。ZnO和AIN薄膜将广泛地用于SAW和BAW器件。特别是成功地制作了薄膜体声波谐振器和高次谐波体波谐振器。以PbTiO_3为基的PZT和PLZT固溶体外延薄膜将应用于热电探测器和SAW器件。在实现了对多层薄膜的界面结构及其特性的成功控制之后,铁电薄膜将在铁电存储和集成光学领域发挥重要作用。     

Niobium superconductive tunnel diode integrated circuit arrays

A technology is described for building arrays of niobium based thin film superconductive tunnel junctions. Both NbNb oxide-Sn negative resistance devices and NbNb oxide-Pb Josephson devices were fabricated using a modified photoresist-sputter etching technique to make patterns in the Nb film. Good control over the volt-ampere characteristics of the Josephson junctions is demonstrated on single devices and is further illustrated by the use of this process to fabricate multistate oscillator arrays.     

基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究

本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态.研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现了大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间产生铌、硅元素的混合层;随着溅射气压的增大,硅基体中应变的大小和方向均不相同,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变.     

氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究

为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。     

Fabrication of high quality Nb/AlOx-Al/Nb Josephsonjunctions. I. Sputtered Nb films for junction electrodes

The stress, surface morphology, superconducting characteristics, and crystal structure of sputtered Nb films were evaluated to judge their applicability to Josephson-junction electrodes. The film qualities were compared between Nb films deposited by DC and RF magnetron sputtering. The authors concluded that DC-sputtered Nb films are more suitable for junction electrodes and studied the relationship between their film quality and sputtering parameters. They observed that the Nb film characteristics were determined solely by the cathode voltage during sputtering regardless of the other parameters. The authors discuss the changes in film characteristics during Josephson integrated circuit processing     

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。     

高性能低成本微波组件制造技术

高性能、低成本的微波组件制造技术对复杂昂贵的电子系统的普及应用具有重要意义。目前,微波组件多采用薄膜或微波介质片工艺制造。其调试造手工操作来完成,制造成本较高,生产一致性差。先进的铜厚膜工艺具有微性能好、便于大量生产等特点,是一 高性能、低成本的电路基板制造技术。激光技术与自动测试技术自动控制技术相结合可实现对微波组件的高精度动态闭环自动化测试修调。采用这些先进技术,能提高生产效率。降低微波组件的     

CoZrNb磁控溅射的背散射研究

对于各组份原子质量相差显著的CoZrNb合金,当使用磁控溅射时,在靶和基板之间存在不同的实际源,由这个实际源发生的粒子将在靶死区内背散射沉积。实际源到靶的距离随溅射工作气体压力而变化。对于原子质量较大的Zr和Nb,这种背散射的程度要比原子质量小的Co更严重。背散射沉积薄膜的表面微结构证实,这种背散射沉积过程类似于真空蒸发。为了获得理想配比的CoZrNb薄膜,应该选择合适的溅射工作气体压力。     

Absorption at high microwave power by large-area Tl-basedsuperconducting films on metallic substrates

Microwave surface resistance measurements have been made on large-area Ti-Ba-Ca-Cu-O thick films magnetron-sputtered onto oriented Ag alloy substrates by replacing the end wall of an 18 GHz TE₀₁₁ mode Cu cavity with the superconducting film. The best surface resistance values obtained are 4 and 14 mΩ at 10 K and 77 K, respectively; corresponding Cu values are 8 and 21 mΩ. The dependence of the surface resistance on microwave power was measured in a similar way except that a Nb cavity was used instead of a Cu cavity. Typically, the surface resistance of the film begins to rise in 1-10 Oe of microwave field and saturates in 20-60 Oe. A model is presented relating the observed saturation to critical penetration of Josephson junctions. Films exhibiting the highest degree of c-axis texturing show the weakest dependence of surface resistance on power and also exhibit the sharpest transition to the superconducting state as measured at high frequency