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通过对用于DC/DC转换器的N型和P型VDMOS器件在^60Coy射线下的辐照实验,研究了不同封装VDMOS器件在不同偏置条件下辐照前后的电参数和低频噪声变化。实验表明:辐照前后该类器件的低频噪声主要表现为1/f噪声,随着辐照剂量的增加,其幅值明显增加,阈值电压发生负向漂移,但前者的变化比后者大1~2个数量级。基于上述实验结果,进一步的理论分析认为:P型VDMOS器件比N型VDMOS器件更适合空间应用。 相似文献