钽掺杂的Liao基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

本文报道了钽掺杂Ｌｉａｏ基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果，当导电相和玻璃相颗粒尺雨分别达到２５和５０ｎｍ时，电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化，并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。     

钉基厚膜电阻中钽钌酸铅颗粒尺寸效应的研究

本文研究了钌基厚膜电阻导电相图钌酸铅(Pb_2(Ta_x,Ru_(2-x))O_σ+σ)(δ=0.1)颗粒尺寸对其阻值和电阻温度系数(TCR)的影响。发现适当控制颗粒度大小,可获得具有稳定阻值和TCR的厚膜电阻。     

钌基厚膜电阻导电机理的国内外研究状况

较全面的对国内外厚膜电阻导电机理的研究状况进行了综述，介绍了均匀分布模型，均匀通道模型。非隧道势垒模型，隧道势垒模型及其优缺点。对隧道壁垒模型进行深入的分析和讨论。并运用这些理论解释了厚膜电阻的温度特性、电场特性和热电效应。     

厚膜应变电阻的导电机理研究

制备了不同表面电阻率的Ｒｕ基厚膜应变电阻浆料,研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系,并对其导电机理与特性进行了分析。     

高可靠性钌系厚膜电阻浆料

电阻浆料的电性能，直接影响电子元器件和电路的性能，高可靠的电阻浆料为电路制作提供了保障。杜邦１７００系列电阻浆料在我国应用较广，电性能的可靠性得到电路制作者的认证，经Ｘ射线分析，该系列浆料的主要组成为ＲｕＯ２和ＺｒＳｉＯ４。近年我们开发的Ｒ２０００系列电阻浆料，主要组成是钌酸盐和硼硅酸盐，与杜邦１７００系列同时作印烧后电性能测试，工艺性和电性能均稳定可靠，ＴＣＲ〈１００ｐｐｍ／℃，各种环境条件下阻     

二氧化钌对钽钌酸铅厚膜电阻特性的影响

<正> 笔者对钽钌酸铅电阻曾进行了广泛而深入的研究,钽钌酸铅电阻具有以下特性:1.电阻对烧结温度不敏感;2.10kΩ/□～10MΩ/□范围内不需要掺杂且性能良好;3.电     

钌系厚膜电阻导电机理探讨

从钌酸盐厚膜电阻的导电机理来探讨研制工作中出现的一些问题。特别是用半导体掺杂理论来解释厚膜电阻掺杂中出现的各种电学现象,预测一些掺杂剂的行为。     

Ag-Pd厚膜电阻的导电机理研究

分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构，建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型；用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系，并分析了影响接触压力的因素，包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度。     

粒度对样品辐射特性影响的实验研究

利用IRE－1型红外辐射测量仪对不同粒度砂纸样品进行了（法向）光谱比辐射率的测试；测试波段为8－14um；测试温度分别为40℃、50℃ 和70℃ ，通过对测试结果的分析，指出在粒度尺寸大于测试波长时，随着颗粒尺寸的减小，样品的光谱比辐射率将减小，相应的8－14um的平均 比辐射也有减小的趋势。     

非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备

采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110)和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜．扫描电子显微镜(SEM)照片显示：薄膜表面呈针状晶粒状,而且薄膜表面光滑、致密,均匀性好．测试结果表明：氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在20℃分别为50KΩ和-0.021K^-1。     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．