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传统的双极电路制造工艺普遍采用了硼扩散工艺,主要用来形成重掺杂区。一般硼扩散都采用固相源扩散,通常用氮化硼圆片做为硼扩散的固相源,这些圆片的直径与硅片的直径相同或稍大一些。作为固相源的氮化硼因为在高温下反复进出炉,致使其常常容易变形,均匀性变差。采用一种固相源双面交替式使用法,不但使源片变形程度大大减小,也使硼扩散的均匀性得到很大提高。 相似文献
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固态片状磷扩散源 总被引:1,自引:0,他引:1
这是一篇关于用于对硅掺杂的一种新的固态片状磷源的供源寿命。微观结构稳定性以及扩散性能的试验报告。这种源的使用温度为900℃至1100℃。源片是多孔性陶瓷片,其中作为有源成分的焦磷酸硅占25%(重量百分比),以惰性高熔点粘合剂作为基体。微观结构的稳定性和热重量分析(TGA)的结果表明,温度高达1050℃时,这种材料的结构还能保持完整并有供源的能力。TGA结果予期这源片的使用寿命在1000℃和900℃下分别为216小时和3400小时,给出了使用这种源片掺杂的硅片的方块电阴,结深和扩散系数的有关实验数据,并且也描述了这种特殊的源片应用方法。 以前的关于硅平面工艺中的P-型掺杂源氮化硼的扩散性能的研究结果已经表明,片状扩散源与既使用液体又使用气体的携带气体扩散系统相比具有几个重要优点。片状扩散源的优点以前已由Goldsmith等人报道过。正是由于片状扩散源的优点,人们才研制了这种新的磷源并对它进行了评价。除了Goldsmith等人报道过的优点外,这种固态源还具有一种独特的优点,就是不会产生有毒性和腐蚀性的付产物。 在使用氮化硼源时,源片表面被氧化,形成三氧化二硼(B_2O_3),然后B_2O_3被蒸发,传输到硅表面。但是没有这么一种高熔点的磷化合物可以象制造氮化硼那样做成陶瓷片,然而Murata证明了焦磷酸 相似文献
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在NMOS电路中,场区淡硼扩散决定了击穿电压和场开启电压.过去,我们一直采用粉末氮化硼(BN)经烧结后作为场区硼扩散源.由于这种扩散方法的均匀性和重复性受粉末氮化硼的均匀性及扩散时间、温度和气氛的影响很大,所以,均匀性和重复性都难以保证.同时,由于场区的淡硼扩散,所以,很难将扩散浓度控制在合适的范围,从而使场击穿电压、开启电压、漏电流往往不能满足要求,因而影响了电路成品率.采用氮化硼粉未作扩散源,装片量小,炉间重复性差,给场区氧化带来了一定的困难.针对这种情况,我们采用硼微晶玻璃作为场区扩散源,较好地解决了上述问题. 相似文献
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一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。 相似文献
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分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。 相似文献
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一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4~5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。 相似文献
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孙卯秋 《信息技术与信息化》1999,(1)
本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了75×3mm硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。 相似文献
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本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。 相似文献
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氮化硼片做为硼源,美国于1968年开始研制使用氮化硼片,日本于1970年开始研制使用。我国1976年才开始采用了建材院生产的氮化硼片,改进了粉状氮化硼源的一些缺陷,改善了硼扩散工艺。 相似文献
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本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可调节性等方面,均优于三氯氧磷液态源.实验也证明了片状磷源扩散不仅能满足大功率晶体管发射区所要求的深结、高浓度扩散,而且能提高产品成品率和优化电参数. 相似文献
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研究表明,只有在适当选择的工艺条件下使用氮化硼片源扩散系统,才能发挥其机构上的特点,获得高均匀性和高重复性的硼掺杂.本文讨论选择这种系统的基本工艺条件的实验结果;给出国产氮化硼源片的使用条件. 相似文献
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硼铝乳胶源扩散的质量控制途径 总被引:1,自引:0,他引:1
乳胶源扩散是近年来得到应用的新工艺,它具有扩散参数均匀的特点,其应用不断推广。本文对影响硼铝乳胶源扩散质量的各种因素进行了试验,在此基础上探讨质量控制的方法。 相似文献