片状氮化硼试用小结

片状氮化硼是制作P—N结的一种渗P型杂质的固体扩散源。我厂在线性电路的制造中试用了片状氮化硼。 目前,与液态扩散源比较,采用片状氮化硼由于扩散后表面方块电阻分布均匀,磷扩散调试方便,因而成品率可有一些提高。而且由于扩散时片子改成竖放,以扩散恒温区300毫     

关于氮化硼扩散几个工艺问题的探讨

在集成电路的生产中,已广泛采用氮化硼扩散源、新型片状氮化硼也正被推广应用,用氮化硼做扩散源,具有工艺稳定、易于掌握、扩散电阻均匀、器件结特性好等优点。我厂采用氮化硼扩散源已两年多,对稳定工艺,提高产品合格率起到了较好的效果。在实际应用中,也遇到过一些工艺问题。探讨和解决这些问题,对于进一步提高产品质量,提高合格率以及更好地推广应用氮化硼扩散源都是十分有益的。     

片状扩散源在硅的磷扩散中的应用

向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾经报道过采用片状氮化磷进行磷扩散的方法。本文再报道一种较稳定的扩散方法,采用含P_2O_5的片状扩散材料做为扩散源。     

片状氮化硼是一种好的硼扩散杂质源

片状氮化硼作为硼扩散杂质源,我们用来试生产集成电路低功耗TTL与非双门,低功耗D型触发器以及低功耗四位二进制计数器都得到了满意的结果。在其它工艺条件相同情况下,用片状氮化硼作为硼扩散杂质源所生产的双门,双D中测管芯成品率完全可以达到用粉末状氮化硼源的成品率。在试制中规模集成电路低功耗四位二进制计数器,按二位以上性能好的管芯统计,中测成品率可达15％～20％,其中四位全好的管芯占有     

Bipolar制造工艺中硼扩散工艺的优化与改进

传统的双极电路制造工艺普遍采用了硼扩散工艺，主要用来形成重掺杂区。一般硼扩散都采用固相源扩散，通常用氮化硼圆片做为硼扩散的固相源，这些圆片的直径与硅片的直径相同或稍大一些。作为固相源的氮化硼因为在高温下反复进出炉，致使其常常容易变形，均匀性变差。采用一种固相源双面交替式使用法，不但使源片变形程度大大减小，也使硼扩散的均匀性得到很大提高。     

固态片状磷扩散源

这是一篇关于用于对硅掺杂的一种新的固态片状磷源的供源寿命。微观结构稳定性以及扩散性能的试验报告。这种源的使用温度为900℃至1100℃。源片是多孔性陶瓷片,其中作为有源成分的焦磷酸硅占25％(重量百分比),以惰性高熔点粘合剂作为基体。微观结构的稳定性和热重量分析(TGA)的结果表明,温度高达1050℃时,这种材料的结构还能保持完整并有供源的能力。TGA结果予期这源片的使用寿命在1000℃和900℃下分别为216小时和3400小时,给出了使用这种源片掺杂的硅片的方块电阴,结深和扩散系数的有关实验数据,并且也描述了这种特殊的源片应用方法。 以前的关于硅平面工艺中的P-型掺杂源氮化硼的扩散性能的研究结果已经表明,片状扩散源与既使用液体又使用气体的携带气体扩散系统相比具有几个重要优点。片状扩散源的优点以前已由Goldsmith等人报道过。正是由于片状扩散源的优点,人们才研制了这种新的磷源并对它进行了评价。除了Goldsmith等人报道过的优点外,这种固态源还具有一种独特的优点,就是不会产生有毒性和腐蚀性的付产物。 在使用氮化硼源时,源片表面被氧化,形成三氧化二硼(B_2O_3),然后B_2O_3被蒸发,传输到硅表面。但是没有这么一种高熔点的磷化合物可以象制造氮化硼那样做成陶瓷片,然而Murata证明了焦磷酸     

片状磷源的扩散

一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半导体集成电路的集成度已发展到扩散条宽为2～3微米的大规模、超大规模集成电路,对磷扩散掺杂的精确控制,均匀性和重复性,提出了更高的要求,常用的液态三氯氧磷源不能完全满足这些需要。研究和发展新的磷扩散源,是国内外半导体工业普遍重视的问题。 一九六七年RCA公司发明用片状氮化硼作扩散源有许多优越性以来,人们就开始研究和发展片状磷源,到一九七六年美国Owens-Illinois公司发表了片状磷源的专     

用硼微晶玻璃片作NMOS电路的场区扩散源

在NMOS电路中,场区淡硼扩散决定了击穿电压和场开启电压.过去,我们一直采用粉末氮化硼(BN)经烧结后作为场区硼扩散源.由于这种扩散方法的均匀性和重复性受粉末氮化硼的均匀性及扩散时间、温度和气氛的影响很大,所以,均匀性和重复性都难以保证.同时,由于场区的淡硼扩散,所以,很难将扩散浓度控制在合适的范围,从而使场击穿电压、开启电压、漏电流往往不能满足要求,因而影响了电路成品率.采用氮化硼粉未作扩散源,装片量小,炉间重复性差,给场区氧化带来了一定的困难.针对这种情况,我们采用硼微晶玻璃作为场区扩散源,较好地解决了上述问题.     

硼微晶玻璃在硼扩散工艺中的应用

一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。     

片状氮化硼在数字集成电路扩散工艺中的应用

我们厂是一个生产数字集成电路的器件厂,1976年年底开始使用北京国家建筑材料研究院的片状氮化硼,半年多来,由于建材院同志的大力支持和协助,使我厂数字电路生产车间中的基区硼扩散工艺逐步地由片状氮化硼取代了液态的硼酸三甲酯,例如五车间全部采用了片状的氮化硼。     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

液态源大箱法硼扩散

一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。     

硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究

本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了７５×３ｍｍ硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。     

多晶硅层中的硼扩散

用氮化硼和乙硼烷作扩散源,将硼扩散到5.5微米厚的多晶硅中。扩散深度与扩散时间的平方根成正比。多晶硅层中的硼扩散可用熟知的补余误差函数表示。硼源用乙硼烷时多晶硅中硼的扩散系数,比用氮化硼时要大,而且在实验范围内比单晶硅衬底中要大10～50倍。在1050℃用乙硼烷作硼源在单晶硅衬底中硼的扩散系数,用氮化硼和乙硼烷作硼源时在多晶硅中硼的扩散系数分别为:8.86×10~(-14),1.17×10~(-12)和1.95×10~(-12)厘米~2/秒。在以上情况中,硼的扩散系数的激活能分别为3.42,2.39和2.51电子伏。     

片状固态扩散源在磷扩散工艺中的应用

本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。     

氮化硼片在硼掺杂中的应用

氮化硼片做为硼源,美国于1968年开始研制使用氮化硼片,日本于1970年开始研制使用。我国1976年才开始采用了建材院生产的氮化硼片,改进了粉状氮化硼源的一些缺陷,改善了硼扩散工艺。     

SP-1型片状磷源用于功率晶体管发射区扩散的尝试

本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可调节性等方面,均优于三氯氧磷液态源.实验也证明了片状磷源扩散不仅能满足大功率晶体管发射区所要求的深结、高浓度扩散,而且能提高产品成品率和优化电参数.     

氮化硼扩散小结

为了增加产量和提高质量,我们在电路生产工艺线,基区硼扩散工序由原来液态源硼酸三甲脂改为固态源氮化硼进行硼扩散。经过一个阶段的实践,我们感到效果良好。主要优点是,浓度均匀,重复性好,系统简单,操作方便适于大量投片。现将工艺情况总结如下:     

氮化硼片源扩散工艺的选择

研究表明,只有在适当选择的工艺条件下使用氮化硼片源扩散系统,才能发挥其机构上的特点,获得高均匀性和高重复性的硼掺杂.本文讨论选择这种系统的基本工艺条件的实验结果;给出国产氮化硼源片的使用条件.     

硼铝乳胶源扩散的质量控制途径

乳胶源扩散是近年来得到应用的新工艺,它具有扩散参数均匀的特点,其应用不断推广。本文对影响硼铝乳胶源扩散质量的各种因素进行了试验,在此基础上探讨质量控制的方法。