光电子器件用透明导电膜

本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物透明导电膜的机理、制备及实验结果，并对某些参数在电阻率透射率方面的影响作了讨论。     

真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性

以8-羟基喹啉铝（Alq3）为发光层,成功地制备成ITO（铟锡氧化物）/TPD（2-甲基-4-苯基联苯二胺）/Alq3/Al结构的双层有机发光器件．与ITO/Alq3/Al结构器件相比,其亮度和稳定性明显增加,阈值电压有所增大．通过一定电压下工作电流随时间的变化测定了器件的稳定性,并对影响器件稳定性的因素作了分析．     

同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率,结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论,可以认为Ｉｎ２Ｏ３－ｘ与Ｓｎ３Ｏ４的含量变化是影响ＩＴＯ的导电与透光性能的主要原因     

技术

正宾夕法尼亚大学开发用于柔性触摸屏设计的纳米线网络宾夕法尼亚大学和杜克大学合作开发出采用金属纳米线设计透明导体,其具有成本低和柔韧性好的特性,可用于触摸屏。该项研究主要由宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的Karen Winey教授等人负责,与杜克大学化学系的Benjamin Wiley教授等人合作完成该项目。目前制备透明导体行业标准材料选用铟锡氧化物(ITO),ITO是在隔膜     

大尺寸AMOLED显示的技术挑战

综述了目前大尺寸AMOLED显示的技术挑战,尤其是背板技术。然后论述了如何采用氧化物TFT新技术与LTPS和a-Si TFT的优势相结合制造大尺寸背板的最佳方案。通过对比传统准分子激光退火（ELA）LTPS和非晶铟-镓-氧化锌（a-IGZO）TFT的器件特性,特别揭示了氧化物TFT的挑战性技术。最后,展示了由a-IGZO TFT背板制造的12.1in WXGAAMOLED显示器原型机。     

QField技术提高家用电器触摸屏性价比

家用电器的消费者因为其寿命和质量而重视有着漂亮外观和良好质感“玻璃触摸”控制开关。但是在玻璃表面涂敷了多层铟锡氧化物(ITO)导电层的电阻式触摸屏,因为厨房环境中电器需要经常清洗和容易遇到表面损     

铜纳米线新屏幕

用铜纳米线制成的薄膜具有出色的导电与透光能力，可以代替铟锡氧化物应用于多个领域。     

透明纳米线

因为铟变得越来越稀少，越来越昂贵，研究人员开始寻找新的金属替代氧化铟锡制造光学透明纳米线，用在平板显示、太阳能电池和发光二极管（LED）中。美国密歇根州大学的研究小组声称可用廉价的、简单的分级技术将氧化锡与锑掺杂制造纳米线，这种纳米线具有高传导性、     

织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了2种形式的铟凸点：即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度，测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa，铟柱的剪切强度为1.9MPa，前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现：铟柱剪切强度低是织构弱化所致；铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想（101）丝织构模式，从而提高了铟球的剪切强度。     

真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性

以 8 -羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,成功地制备成 ITO(铟锡氧化物 ) / TPD(2 -甲基 - 4-苯基联苯二胺 ) / Alq3/ Al结构的双层有机发光器件 .与 ITO/ Alq3/ Al结构器件相比 ,其亮度和稳定性明显增加 ,阈值电压有所增大 .通过一定电压下工作电流随时间的变化测定了器件的稳定性 ,并对影响器件稳定性的因素作了分析     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜     

采用纳米管制作柔性透明导体

一种采用碳纳米管制作的柔性、透明导电涂层不仅有望加快柔性显示器和电子纸张的开发进程，还可以取代锡化铟氧化物(indium-tin-oxide，ITO)而作为一种可选的透明导体。     

银纳米线复合透明电极在太阳能电池中的应用

正近年来,银纳米线透明电极技术引起了广泛关注,它有希望替代通用的铟锡氧化物(ITO)透明电极,广泛地应用于光电技术相关领域。介绍一种基于银纳米线和金属氧化物复合结构的透明电极技术,并将其成功地应用在有机聚合物光伏器件和无机CIGS薄膜光伏器件中,所实现的器件性能可以与基于ITO透明电极的器件性能相媲美。     

有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管

利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。     

注入n型碲镉汞单晶中铟的性能特点

近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或镓这些Ⅲ族元素作为熔合杂质。这些杂质扩散相当快,能取代金属晶格中的汞或镉原子,起到施主中心的作用。本研究表明,在离子熔合和后继热处理相结合的一定条件下,铟也是呈现出受主特性。     

铟凸点回流时的异常现象的研究

利用湿法回流缩球的技术,使铟柱回流成铟球。在研究中心距为30μm、面阵为320×256的读出电路在回流缩球的过程中遇到了3种异常现象,即铟球体积异常、铟球桥接和铟球偏离中心位置的现象。详细地介绍了这3种现象产生的过程及背景,分析了产生这3种现象的机理以及对器件性能和倒装互连的影响,并提出了相应的解决措施。     

蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长

采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴．InN（0002）双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3e18cm－3,相应的电子迁移率为262cm2/（V·s）．     

软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管

在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料.采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs).利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料.柔性聚合物印章被用于SAMs的图形...     

酞菁铟薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了酞菁铟（ＩｎＰｃ）薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＩｎＰｃ薄膜的椭偏光谱，发现ＩｎＰｃ薄膜在６００～８００ｕｍ波长范围内有较大的吸收并分析了其电子结构。     

聚乙烯咔唑／铟锡氧化物的界面分析

用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK／铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明，PVK分子虽然体积较大，但分布较均匀。XPS数据显示，在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化，但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化，因为界面处存在大量的，不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键；在界面处，In2O3分子部分分解，所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键；所产生的In原子则扩散至PVK内部。