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介绍了一种由MAX786构成的笔记本电脑开关电源。电源采用PWM控制方式,可提供+3.3V/3A,+5V/3A两路电源输出和一路+5V/25mA的RAM数据保护电源,具有电压,电流自动保护功能,是一种经济和的高性能小型开关电源。 相似文献
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MAX743是MAXIM公司近年推出的DC-DC转换器集成电路,它包含了所有构成小型、双路输出电路所需的电路。MAX743可将4.5V~5.5V的电压转换成±12V或±15V电压,并可相应提供±125mA或±100mA的电流。由于AMX743具有内部... 相似文献
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1 MAX4310的基本性能MAX4310是MAXIM公司生产的单电源工作的低功率高速多路视频复用放大器。它将双通道复用开关和一个可调增益放大器集成在同一芯片上,同时将通道复用开关(低闪变开关)和出色的视频特性结合起来,具备快速通道切换(40 ns)、超低切换瞬变10 mV(PP)、-3 dB带宽280 MHz、摆率460 V/μs与低差分增益/相位误差0.06%/0.02°的特性。工作在+4~+10.5 V的单电源(或双电源±2~±5.25 V),呈现出满电源范围输出和低于地电平的共模输入范围,… 相似文献
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文章详细介绍了美国MAXIM公司5V/3.3V/可调输出低漂移DC-DC变换器MAX1649/MAX1651的主要特性、工作原理和设计方法。 相似文献
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新型通用异步收发器芯片MAX3100及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
MAX3100是MAXIM公司生产的全功能通用异步收/发器(UART)芯片,与其他UART器件相比,它有如下特点:(1)供电范围宽、功耗低,从+2.7V至+5.5V的电源中仅吸收0.5mA的电流。具有零功耗的停机模式,并能由接收信号唤醒。(2)不仅适合于速率高达230kbit/s的RS232和RS485数据链路,而且支持速率从2.4kbit/s至115.2kbit/s的红外数据IrDA格式通信,以提供简单的无线接口。(3)使用SPI/Microwire同步串行接口与微控制器进行通信。具有F… 相似文献
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采用P阱CMOS工艺制作了一种全对称、电流型的多端MAX门和MIN门电路.实验结果表明,MAX门的输出相对最大输入电流的偏差较小,最大偏差为5μA;MIN门的输出相对最小输入电流的偏差略大于MAX门,最大偏差约为13μA.但MAX门和MIN门都有较高的分辨精度,都在5μA以内.因此,这种多端的电流型MAX(MIN)门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用.提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性I-V转换电路,可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示. 相似文献
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双输出DC—DC变换器集成电路──MAX742方佩敏由MAX742组成的DC—DC变换器电路输人电压为十SV,输出电压为土12V或土15V(可选),允差为士4%,负载电流可达ZA,功率可达3W~60W,效率高于m%。它的外围元件少、工作频率高(100... 相似文献
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在表层硅厚度为180um的SIMOX材料上,用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为2.5μm的全耗尽CMOS/SIMOX器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平,使PMCOS和NMOS的漏电分别达到3.O×10-11A/μm和2.2×10-10A/μm。5V时,例相器的平均延迟时间达6ns。 相似文献
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采用MOCVD 方法成功地研制了具有线性GRIN 结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为815~825 nm ,阈值电流为130 m A。工作电流在480 m A 时,单面连续输出光功率高达200 m W,且基本保持在单模工作状态。工作在970 m A 时,单面连续输出光功率为0.5 W。 相似文献
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1概述AN80LXXRMS系列产品是日本松下公司生产的带有复位功能的正极输出电压调节器集成电路。它的输出电流为0.15A ,具有20个可供选择的输出电压 ,分别为 :1.8V、1.9V、2.0V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、2.9V、3.0V、3.1V、3.2V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V、4.8V、4.9V、5.0V、5.1V和5.2V。AN80LXXRMS系列集成电路采用小型表面装贴5脚塑料封装。体积小 ,重量轻。特别适合于小型便携式设备和各种仪器仪表的电源系统。AN80LX… 相似文献
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单片高频信号发生器MAX038及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
单片高频信号发生器MAX038及其应用曾杰马渊熊小亮郭创新(华中理工大学;武汉,430074)MAX038是美国MAXIM公司生产的单片高频信号发生器,只需极少量外部元件就能精确产生各种高频信号。输出频率由片内2.5V带隙电压基准和片外电阻、电容控制... 相似文献
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本文简要介绍短沟道CMOS/SIMOX器件与电路的研制。在自制的SIMOX材料上成功地制出了沟道长度为1.0μm的高性能全耗尽SIMOX器件和19级CMOS环形振荡器。N管和P管的泄漏电流均小于1×10-12A/μm,在电源电压为5V时环振电路的门延迟时间为280ps。 相似文献
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本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献