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为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择.有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In0.2Ga0.8As(6 nm)/Ga0.18As.82P(8 nm)量子阱,有源区直径100μm,微透镜直径300 μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm.室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔而发射激光器输出特性进行了比较. 相似文献
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设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性. 相似文献
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用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。 相似文献
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我们通过测量各个激射纵模的光谱线宽,研究了各种增益导引和折射率导引的(GaAl) As双异质结激光器的相干特性与辐射光功率的关系。此外,近场和远场图样随输出光功率而变化,因此要同时监视驱动电流。已经报道了数据的器件有:增益导引的V形槽激光器(AEG-Telefun Ken)、窄氧化条形激光器(siemens)以及折射率导引的可见光和红外CSP激光器(Hitachi)及BH激光器(Hitachi)。采用平面和球面的法布里—珀罗标准具,分别获得了增益导引激光器和折射率导引激光器的光谱线宽。 相似文献
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《半导体光电》1980,(4)
工作总结期页1 11只︺月任q山n甘丹J qJ J4佗O,土八乙nOJ任J毛一﹄八匕内七J‘止月.一11司.11上1 1..一1上,自甲了八Q甲‘﹄日八00口0自八舀月任dJS只曰口口1.GaAs一GaAIAs DH发光二极管的讨论2.GaAs一GaAIAs单异质结发光二极管3.GaAs红外发光二极管的退化规律和机理4.高效快速硅雪崩光电二极管石.硅PIN光电探测器6.In二Gal一二As气相外延的组份缓变控制7。硅PIN光电二极管零偏压下使用的性能测试8.光纤与DH LED PIN APD的藕合’19.谈谈510:的浮选10.汽相生长znse晶体的提拉效应11,原子吸收分光光度法测量GaAs中痕量 cu… 相似文献
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分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2003,(4)
大功率 In Ga As P/ In Ga P/ Ga As激光器特性研究李忠辉 高 欣 李 梅 王 玲 张兴德 1 1……随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析王 伟 张海黔 顾 宁 1 1 4…………………………TF SOIPMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型张海鹏 魏同立 宋安飞 1 1 8…………一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管曹亚明 汤玉生 1 2 3……………………………………薄膜 SOIMOS器件阈值电压的解析模型分析冯耀兰 杨国勇 张海鹏 1 2 7………………………Ga As HBT中 BC结耗尽区电子渡越时间的修… 相似文献
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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。 相似文献
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大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统 总被引：9，自引：0，他引：9
针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果 .用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率 15— 30 W,光纤束数值孔径为 0 .11— 0 .2 2的半导体激光光纤耦合模块 ,模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效、实用 相似文献
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介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 相似文献
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