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从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下半导体中0.2-2μm深度范围内,由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm应变条宽)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm应变条宽).同时,测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应变条所形成的InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布.从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用. 相似文献
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在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2~2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用. 相似文献
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分子束外延生长高应变单量子阱激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K. 相似文献
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InGaAsP/InP双导 质结构外延片在直流负偏压120V作用下,利用射溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条,并在该应条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95 Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下,分别在250℃、350℃、450℃、450℃和600℃温度下各退火30min以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴这比由原来的2.0增加到2.2(对2um条宽)和2.5增加到2.9(对4um条宽)。实验结果证明,这种波导结构具有很高的热稳定性。 相似文献
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介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 相似文献
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J. H. Wang S. E. Mohney S. H. Wang U. Chowdhury R. D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2004,33(5):418-421
Four vanadium-based contacts to n-type Al0.6Ga0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact
resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15
nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10−6 Ω·cm2 and 4×10−6 Ω·cm2, respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C
for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at
700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of
39 nm. 相似文献
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利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB. 相似文献
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 相似文献
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用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性. 相似文献
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TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300~600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800 ℃范围内随温度的升高而降低. 相似文献
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刘懿 《电信工程技术与标准化》2021,34(7):89-92
本文基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、VxLAN和SDN等网络新技术进行网络架构规划,在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对科研单位的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计.该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研单位的整体网络运... 相似文献
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利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB. 相似文献
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面向全业务运营的城域传送网的建设 总被引:1,自引:0,他引:1
曾振林 《电信工程技术与标准化》2009,22(8):71-74
本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。 相似文献