最快晶体管的频率接近太赫兹

IUC(University of Illinois at Urbana-Champaign,伊利诺大学香槟分校)的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪录。他们最新制作的双极型晶体管的频率达到U     

太赫兹频率下镁掺杂对氧化锌纳米粉体介电性能的影响

利用偶极天线LT-GaAs发射的太赫兹时域光谱(THz-TDS)研究单晶氧化锌、未掺杂和Mg掺杂的ZnO纳米粉末(粒子)在室温下的太赫兹光谱特性。在0.2~2 THz频率范围内研究了样品的功率吸收和折射率。结果发现,镁掺杂提高了样品材料的吸收效率,同时降低了氧化锌材料的折射率。相比较氧化锌单晶,未掺杂和Mg掺杂氧化锌纳米颗粒的太赫兹介电性质呈现类似的行为,该结果与横向光学E1(TO)声子模式有关。     

新型EDFA驱动源的研制与实验测试

详细介绍以C8051F005单片机为核心的新型掺铒光纤放大器(EDFA)驱动源的设计及研制,用其驱动980 nm的半导体激光二极管(LD),输出十分稳定.然后泵浦铋基铒光纤(Bi-EDF),获得超宽带ASE谱,同时验证驱动源具有良好的线性度输出.     

3D晶体管技术将是高端FPGA的主流选择

随着半导体工艺的不断提升,晶体管越来越小,其沟道长度也逐渐变小,漏电流成了棘手的难题,人们一度怀疑摩尔定律的有效性。然而,3D晶体管的出现,有效地解决了漏电流的问题,使晶体管的性能大大提升。前不     

新型太赫兹波塑料光子晶体光纤的色散特性

文章提出一种新型低损耗太赫兹波塑料光子晶体光纤(THz-PPCF)结构,其包层是由两种直径不同的空气孔周期性排列而成.利用时域有限差分法(FDTD)对其色散特性进行了分析.结果表明,通过调节包层中两种空气孔的直径以及晶格常数,可以得到低损耗、超平坦趋于零色散的太赫兹波塑料光子晶体光纤.     

基于多层结构的偏振不敏感超材料太赫兹宽带吸收器

为了解决宽带吸收器结构设计复杂的问题,提出了 一种结构简单、偏振不敏感、吸收性能优良的超材料太赫兹宽带吸收器.该吸收器采用对称结构设计,以金属层-介质层-金属层的三层架构为基础.其中,介质层中嵌入了两个不同尺寸的圆形金属片,从而形成多层结构.采用频域有限元法(Frequency Domain Finite Elemen...     

基于SrTiO_3的频率可调谐太赫兹超材料吸波器（英文）

基于温度敏感材料钛酸锶(SrTiO3)提出了两款频率可调谐太赫兹(THz)超材料(MM)吸波器。由于SrTiO3材料的复值介电常数与外界温度相关,因此基于SrTiO3材料的太赫兹超材料吸波器的谐振频率可随外界温度变化。一款是基于十字金属谐振结构和SrTiO3介质层实现的,在200～400 K的温度范围内,其谐振频率可在1.62～2.44 THz的宽频带范围内实现主动调谐。另一款超材料吸波器通过在十字环金属谐振结构内填充SrTiO3材料来实现,而中间介电层仍然采用常见的聚二甲基硅氧烷(PDMS)材料。当外部温度从200 K变为400 K时,谐振频率从1.11 THz移至1.58 THz,频率偏移达到了470 GHz,实现了频率可调的太赫兹超材料吸波器。可调谐超材料吸波器的实现可进一步扩展超材料吸波器的应用领域,从而更好地适应如太赫兹成像、太赫兹检测、传感和隐身等各种应用。     

基于光子晶体光纤飞秒激光器的紧凑型太赫兹时域光谱仪

太赫兹时域光谱技术是基于超快激光技术的新型光谱分析手段,在物理、化学、生物、成像、传感以及毒品检测等多个科研和技术领域有着独有的应用优势.     

松下开发出使Si基板GaN功率晶体管耐压提高5倍的技术

松下半导体(Panasonic Semiconductor)开发出了可将Si基板上形成的GaN功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术。还有望实现300 V以上的耐压。硅基板上的GaN功率晶体管耐压,本来应该是GaN膜耐压和硅基板耐压加之和,而实际上此前只取决于GaN膜的耐压。因此,松下半导体为提高耐压而采取了增加GaN膜厚度的措施。不过,多晶硅和GaN的晶格常数和热胀系数不同,GaN膜过厚,就会出现开裂等问题。其结果,使GaN膜厚度从数μm左右、耐压从     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗

提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对SRAM设计流程的改动很小等优点.提出了三种新型的SRAM单元结构,并且使用这些单元设计了一个32kb的SRAM,仿真结果表明,整体泄漏功耗可以降低50%以上.