强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换器,得到了近圆形的远场图样.     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合 DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件 .采用三次外延实现上述器件 .采用强增益耦合 DFB激光器 ,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件 ;采用自对准模式变换器 ,得到了近圆形的远场图样     

耦合用硅片V型槽的设计与制作

LiNbO3集成光学器件耦合的基础是设计并制作出高质量的硅片V型槽。文章介绍了硅片V型槽的设计和制作方法,采用该方法制作出的硅片V型槽质量好、成品率高,已成功地用于各种LiNbO3集成光学器件的耦合中。     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

新型高密度红外肖特基电荷耦合探测器阵列

硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件结构是把探测功能和移位寄存器功能合并入一个肖特基单元,其优点是大大增加了探测器占空系数,及在给定尺寸的芯片上构成更大型探测器阵列的可能性。     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率．     

国外微电子器件制造中的成品率管理方法综述

综述了国外微电子器件成品率提高的三个阶段和成品率损失的原因分析 ,介绍了国外成品率预测模型的研究及利用测试结构对影响成品率的缺陷进行监测和查找的情况 ,进而讨论了微电子器件制造中的成品率管理方法。     

光开关模块

光开关作为光通信中的重要器件，其集成化和模块化是必然趋势。光开关的模块化将应用许多重要的技术，如开关矩阵技术，光电集成技术、光纤与波导的耦合技术和芯片安装技术等。通过交叉型、树形、简化树型和扩展树型结构，可将光开关单元集成为大规模的完全无阻塞型开关矩阵。混合光电集成是将光器件、波导、微电子器件和电路等，分别选择各自最合适的材料和最优化的工艺进行制作，所以成品率高而成本低，是目前主要的光电集成形式。采用v型槽技术可以实现光纤和波导的高精度自对准耦合。从微电子技术发展而来的光SMT和光MCM技术，是光开关等光电器件的新型封装技术。     

埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。     

光开关模块

光开关作为光通信中的重要器件,其集成化和模块化是必然趋势。光开关的模块化将应用许多重要的技术,如开关矩阵技术,光电集成技术、光纤与波导的耦合技术和芯片安装技术等。通过交叉型、树形、简化树型和扩展树型结构,可将光开关单元集成为大规模的完全无阻塞型开关矩阵。混合光电集成是将光器件、波导、微电子器件和电路等,分别选择各自最合适的材料和最优化的工艺进行制作,所以成品率高而成本低,是目前主要的光电集成形式。采用v型槽技术可以实现光纤和波导的高精度自对准耦合。从微电子技术发展而来的光SMT和光MCM技术,是光开关等光电器件的新型封装技术。     

Improvements on the Voltage Resistant Capability and Ⅰ-Ⅴ Characteristics of Static Induction Transistor with Buried Gate Structure

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率.在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了Ⅰ-Ⅴ特性.槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能.     

有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计

为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路。基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路。行驱动电路和列驱动电路基本上都是由反相器和移位寄存器构成,全部采用p-TFT来构成驱动电路。该驱动电路工作正常,能够实现CMOS驱动电路的功能,驱动OLED器件正常发光。通过仿真验证和理论分析表明该驱动电路不仅性能稳定而且成本低、成品率高、外接引线少及外围驱动电路复杂性低。     

LD同轴耦合图示仪

给出了一种LD同轴耦合图示仪，使LD同轴发射光耦合过程中，在进行X、Y、Z三维调整时，不仅观测同轴耦合光功率达到最大。而且实时观察P—I曲线，及时发现耦合过程中的扭折和抖动现象，并给予排除。这将极大提高产品的成品率。     

通信用光器件中的耦合控制技术

通信用光器件的性能主要取决于其高斯光束变换耦合特性.本文以高斯光束传输、变换和耦合理论为基础,结合环形器、隔离器等几个典型应用实例,分析并探讨如何通过控制输入光束的特征参数或调整变换元件特性等多种方法优化器件的耦合特性,从而有效地提高器件综合性能并减小器件的尺寸.     

光锥CCD耦合器件对提高CCD成像分辨率的探讨

成像分辨率是评价CCD成像系统的主要技术指标．提高成像分辨率可以改变CCD的成像性能．本论文以实验的方法验证了倒置光锥CCD耦合器件可提高CCD成像分辨率，同时与正置光锥CCD耦合器件实验结果对比，分别绘制了与非耦合器件的对比传递函数(CTF)曲线，直观地表示出了二者关系，与理论分析结果相吻合．     

内耦合型EBCCD的技术研究

电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)是一种微弱光信号成像器件,由于采用了内耦合的背照电荷耦合器件(CCD)结构,大大提高了该器件的探测灵敏度以及信噪比,使其探测的弱光下限能更低.采用国产面照CCD,成功研制出了具有背照功能的CCD以及能耐电子轰击的EBCCD.简单介绍了这种器件的工作原理、结构特点以及关键研究内容,并列出了实验分析及结果.     

波导腔体用微波开关二极管封焊工艺的改进

从器件的芯片结构及封焊工艺入手，分析了封焊工艺影响成品率的各种原因，并采取相应的改进措施，提高了器件的成品率。     

光锥CCD耦合器件对提高CCD成像分辨率的探讨

成像分辨率是评价CCD成像系统的主要技术指标.提高成像分辨率可以改变CCD的成像性能.本论文以实验的方法验证了倒置光锥CCD耦合器件可提高CCD成像分辨率,同时与正置光锥CCD耦合器件实验结果对比,分别绘制了与非耦合器件的对比传递函数(CTF)曲线,直观地表示出了二者关系,与理论分析结果相吻合.     

间接耦合光探测器再分析

再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。