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耦合用硅片V型槽的设计与制作 总被引:4,自引:0,他引:4
LiNbO3集成光学器件耦合的基础是设计并制作出高质量的硅片V型槽。文章介绍了硅片V型槽的设计和制作方法,采用该方法制作出的硅片V型槽质量好、成品率高,已成功地用于各种LiNbO3集成光学器件的耦合中。 相似文献
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硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件结构是把探测功能和移位寄存器功能合并入一个肖特基单元,其优点是大大增加了探测器占空系数,及在给定尺寸的芯片上构成更大型探测器阵列的可能性。 相似文献
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国外微电子器件制造中的成品率管理方法综述 总被引:1,自引:1,他引:0
彭苏娥 《电子产品可靠性与环境试验》2000,(3):21-26
综述了国外微电子器件成品率提高的三个阶段和成品率损失的原因分析 ,介绍了国外成品率预测模型的研究及利用测试结构对影响成品率的缺陷进行监测和查找的情况 ,进而讨论了微电子器件制造中的成品率管理方法。 相似文献
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光开关作为光通信中的重要器件,其集成化和模块化是必然趋势。光开关的模块化将应用许多重要的技术,如开关矩阵技术,光电集成技术、光纤与波导的耦合技术和芯片安装技术等。通过交叉型、树形、简化树型和扩展树型结构,可将光开关单元集成为大规模的完全无阻塞型开关矩阵。混合光电集成是将光器件、波导、微电子器件和电路等,分别选择各自最合适的材料和最优化的工艺进行制作,所以成品率高而成本低,是目前主要的光电集成形式。采用v型槽技术可以实现光纤和波导的高精度自对准耦合。从微电子技术发展而来的光SMT和光MCM技术,是光开关等光电器件的新型封装技术。 相似文献
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静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。 相似文献
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光开关作为光通信中的重要器件,其集成化和模块化是必然趋势。光开关的模块化将应用许多重要的技术,如开关矩阵技术,光电集成技术、光纤与波导的耦合技术和芯片安装技术等。通过交叉型、树形、简化树型和扩展树型结构,可将光开关单元集成为大规模的完全无阻塞型开关矩阵。混合光电集成是将光器件、波导、微电子器件和电路等,分别选择各自最合适的材料和最优化的工艺进行制作,所以成品率高而成本低,是目前主要的光电集成形式。采用v型槽技术可以实现光纤和波导的高精度自对准耦合。从微电子技术发展而来的光SMT和光MCM技术,是光开关等光电器件的新型封装技术。 相似文献
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静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率.在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了Ⅰ-Ⅴ特性.槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能. 相似文献
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有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路。基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路。行驱动电路和列驱动电路基本上都是由反相器和移位寄存器构成,全部采用p-TFT来构成驱动电路。该驱动电路工作正常,能够实现CMOS驱动电路的功能,驱动OLED器件正常发光。通过仿真验证和理论分析表明该驱动电路不仅性能稳定而且成本低、成品率高、外接引线少及外围驱动电路复杂性低。 相似文献
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通信用光器件的性能主要取决于其高斯光束变换耦合特性.本文以高斯光束传输、变换和耦合理论为基础,结合环形器、隔离器等几个典型应用实例,分析并探讨如何通过控制输入光束的特征参数或调整变换元件特性等多种方法优化器件的耦合特性,从而有效地提高器件综合性能并减小器件的尺寸. 相似文献
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光锥CCD耦合器件对提高CCD成像分辨率的探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
成像分辨率是评价CCD成像系统的主要技术指标.提高成像分辨率可以改变CCD的成像性能.本论文以实验的方法验证了倒置光锥CCD耦合器件可提高CCD成像分辨率,同时与正置光锥CCD耦合器件实验结果对比,分别绘制了与非耦合器件的对比传递函数(CTF)曲线,直观地表示出了二者关系,与理论分析结果相吻合. 相似文献
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内耦合型EBCCD的技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)是一种微弱光信号成像器件,由于采用了内耦合的背照电荷耦合器件(CCD)结构,大大提高了该器件的探测灵敏度以及信噪比,使其探测的弱光下限能更低.采用国产面照CCD,成功研制出了具有背照功能的CCD以及能耐电子轰击的EBCCD.简单介绍了这种器件的工作原理、结构特点以及关键研究内容,并列出了实验分析及结果. 相似文献
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成像分辨率是评价CCD成像系统的主要技术指标.提高成像分辨率可以改变CCD的成像性能.本论文以实验的方法验证了倒置光锥CCD耦合器件可提高CCD成像分辨率,同时与正置光锥CCD耦合器件实验结果对比,分别绘制了与非耦合器件的对比传递函数(CTF)曲线,直观地表示出了二者关系,与理论分析结果相吻合. 相似文献
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间接耦合光探测器再分析 总被引:1,自引:1,他引:0
再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。 相似文献