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基于神经元网络PID的含铬废水智能处理系统 总被引:1,自引:0,他引:1
分析含铬废水的酸度(pH)和氧化还原电位(ORP)的特性,设计一种含铬废水智能处理系统.该系统基于自学习神经元网络PID控制,结合根据系统蕴藏能量进行的超前调节和从化学反应原理出发的pH和ORP间解耦方法,解决非线性、不确定性、时滞、大惯性和关联耦合问题.仿真分析和实际应用表明了其有效性. 相似文献
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为了满足实时性和数据重现性的要求,开发了基于USB接口的在线pH值监测系统.系统以C8051 F340单片机为主控芯片,采用玻璃电极检测溶液的pH值,铂金ORP电极检测氧化还原电位,利用温度传感器DS18B20采集溶液温度,通过软件计算实现对pH值的温度补偿.以C8051F340内嵌的USB控制器,结合USBXpress开发工具实现与PC机的数据通信,实现对pH值的在线监测.实验数据表明:系统具有良好的实时性、重现性和稳定性. 相似文献
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为使十三碳二元酸生产中的有机废水的COD达到排放标准,采用电解法对其进行了处理.测试了钽基金刚石薄膜电极的电势窗口,证实其适合作为处理该有机废水的电极.通过实验考察了电解电压、电解时间、比电极面积、极板间距和pH值对COD降解脱除的影响.结果表明,在本实验条件下较适宜的电解电压为1.6V左右,电解时间7h,比电极面积As取1.6~1.8mm-1,极板间距为5~10mm,原料液的pH值不需往中性调节,此时COD去除率在99%以上.因此,采用钽基金刚石薄膜电极电解处理十三碳二元酸生产中的有机废水是一种很有可行价值的工艺. 相似文献
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本文介绍用铜网阴极法处理含铬废水的新工艺,文中介绍处理的原理和装置。研究pH值及阴极铜网表面状态对除铬的影响,指出铜电解沉积的规律,提出处理的工艺并评估了处理的能耗。研究表明,处理后的废水中Cr'可达到排放标准。本法整个处理过程不需另外加入还原剂,因而不产生非铬化合物的废渣、废水中的Cl以较高纯度的Cr(OH);形式回收处理投资和能耗低于现有的各种处理方法 相似文献
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应用厌氧折流板反应器处理青霉素废水,考察了0LR变化对其运行过程的影响。结果表明:当进水COD=8000mg/L,有机负荷〈2.68kgCOD/(m^3·d)时,其COD去除率可达65%;pH、氧化还原电位和挥发性有机酸随有机负荷的变化表明,在ABR不同格室内部沿水力流程形成了由低级到高级的微生物菌谱,反应器内部存在明显的两相分离现象。 相似文献
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微生物法处理重金属废水 总被引:2,自引:0,他引:2
重金属废水主要来源于电镀、冶金、制革等工业生产,由于重金属易在生物体和水体内积累,故重金属作为第一类污染物必须有效去除,传统的重金属废水处理方法主要有:化学沉淀、离子交换、氧化还原和电解分离等。由于这些方法在投资和运行费用上均较高,加之沉淀去除效果不太理想,自二十世纪八十年代国内外进行了重金属的微生物去除研究,并已经用于实际工程。 微生物法处理重金属废水的主要机理是利用以硫酸盐还原菌(Sulfate Roducing Becteria 简称SRB)为主的厌氧微生物将处于高价位的重金属离子还原为低价位的重金属离子,在利用SR8菌代谢产 相似文献
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采用循环伏安法和方波伏安法研究了胭脂红在碳糊电极上的伏安行为和反应机理。在pH3.2.9的B.R.缓冲溶液中,胭脂红有一对准可逆氧化峰和还原峰,峰电位分别是+0.67V和+0.65V(均VS.饱和甘汞电极),显示扩散控制的2电子单质子氧化还原过程。胭脂红方波还原峰电流与其浓度在4.0×1O^-6mol/L~8.0×1O^-6mol/L的范围内,呈良好线性关系,检出限为2.05×1O^-6mol/L,由此建立测定胭脂红的方波伏安法。该方法可用于测定实验室染色废水水样中胭脂红的含量,平均回收率在94-103%。 相似文献
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《新技术新工艺》1990,(5)
电镀槽边废水循环处理装置上海自动化仪表一厂研制成功一种“电镀槽边废水处理装置”。该装置占地面仅0.36米~2,直接取代原电镀零件清洗槽。零件随同挂具直接浸入该槽内作化学清洗,使有害物质形成沉淀除去,从而既起到清洗又达到废水处理的目的,清洗水的pH值、Zn~(2+)、CN~-等电镀废水的直接处理。具有体积小、投资少、耗能低、运转费用低、使用方使等特点。星海焊剂T形焊焊接法由公主岭第一汽车配件厂研究所研制成功的焊剂T形焊焊接法及其焊剂,其效果良好。解决了汽车贮气筒螺座T形焊的掉帽漏气等关键,使T形焊的熔化结合面积达到80%以上,拉断载荷提高30%以上。焊接电流由原来45KA降到30KA,节能30%。 相似文献
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光助芬顿反应对6H-SiC化学机械抛光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高6H-SiC晶片化学机械抛光的材料去除率(MRR)并改善其表面质量,采用光助芬顿反应体系对6H-SiC晶片进行化学机械抛光,研究紫外光功率、抛光液pH值、H2O2质量分数和Fe2+浓度对6H-SiC晶片抛光效果的影响。使用原子力显微镜观察6H-SiC晶片表面质量,采用纳米粒度电位仪测量抛光液中SiO2磨粒的粒径分布及Zeta电位,利用可见分光光度法检测溶液中羟基自由基(·OH)的浓度并通过紫外-可见光谱分析紫外光的作用机制。结果表明:引入紫外光提高了6H-SiC的MRR,增大紫外光功率,MRR也随之增加;随pH值、H2O2质量分数和Fe2+浓度的升高,MRR先增大后减小;pH值影响磨粒间的静电排斥力及磨粒的分散稳定性,从而影响6H-SiC的MRR;与采用芬顿反应体系的抛光液相比,采用光助芬顿反应体系的抛光液中产生的·OH数量较多,说明紫外光能够增加反应体系中·OH的数量,从而促进6H-SiC晶片的表面氧化,提高6H-SiC晶片的MRR,并改善其表面质量。 相似文献
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1.引言金属的局部腐蚀是在金属或合金表面或内部局部发生的腐蚀现象,例如点腐蚀(小孔腐蚀)、缝隙腐蚀、应力腐蚀(SCC)、晶间腐蚀等等。在局部腐蚀过程中,通常同时存在一相对“钝化”而积较大的阴极区(还原反应在此进行)和一面积较小的活化的阳极区(氧化,或说腐蚀反应在此进行)。在影响金属和合金的钝性和活性的诸因素中,金属的电极电位和介质的pH值通常起着极其重要的作用。因此,由M.布拜(M.Pourbaix)教授所创造的电位(E)-pH图(Pourbaix图)越来越广泛地被用于局部腐蚀的研究工作中。关于应用E-pH图研究局部腐蚀的基本方法,可参阅参考文献(1~6]。本文着重举例介绍近年来在这方面的某些最新的进展。 相似文献