GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性

在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大，并对其发光峰位进行了理论计算     

氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型,解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．     

LPMOVPE生长GaAs：C薄膜

本用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳ＧａＡｓ：Ｃ．由于采用了较高衬底温度，ＧａＡｓ：Ｃ的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下，用铍、锌等常用ｐ型掺杂原子生长的ＧａＡｓ高；中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩。     

MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰     

超薄层材料生长技术

半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术本文着重该领域的ＭＢＥ，ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。     

气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中的Ｇｅ组分ｘ随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度（５００℃）和乙硅烷流量（４ｓｃｍ）保持恒定时，合金中的Ｇｅ组分ｘ最初随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，当Ｇｅ源炉温度升高到一定值以上时，ｘ值不再随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，而趋向于饱和在０．４５附近．基于乙硅烷及Ｈ原子在Ｓｉ原子和Ｇｅ原子表面上不同的吸附和脱附过程     

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化

利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)     

MBE生长温度对InGaAs／GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。     

超薄层材料生长技术

半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术。本文着重该领域的ＭＢＥ。ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。     

两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较

报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)相同取向Si衬底,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好;(2)采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响, (211)面外延的GaAs薄膜质量最好,(100)面次之,(111)面最差.