共查询到19条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
2.
以电能收集充电器直流变换器为核心,引进新型的DC-DC变换芯片,即降压芯片TPS5430和升压芯片TPS61200,组成DC-DC变换器电路对输入电压进行分段变换,以提高较低功率时的系统效率.在输入电压很小的情况下,实现了高效能地对可充电电池正常充电.其输入直流电压范围可低至0.3 V、也可高达20 V,且在电源电压从... 相似文献
3.
电池监测芯片中稳压模块的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子技术应用》2016,(6):132-135
设计了一款应用于电池监测芯片内的稳压模块,为芯片内部电路提供模拟电源电压与数字电源电压。通过带隙电路产生稳定的模拟电源电压,数字电源电压则通过栅源电压差叠加的方式获得。采用XFAB 0.35μm工艺模型仿真表明,在负载电流4 mA,外界电池电压10 V~60 V的宽输入电压范围内,模拟电源电压变化12 mV;在负载电流4 mA,-40℃~125℃的温度范围内,模拟电源电压变化6 mV,温漂系数为7.8 ppm/℃;数字电源电压分别变化0.12 V、0.76 V,均满足实际应用所需要的稳压要求。模块提供可靠的上电复位信号,并加入了过流保护和过温保护功能。 相似文献
4.
乔红斌 《电子制作.电脑维护与应用》2013,(2):47-48
基于0.35微米CMOS工艺,设计了一种轨到轨运算放大器.该运算放大器采用了3.3V单电源供电.其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压.即所谓输入和输出电压范围轨到轨.该运放的小信号增益为78dB,单位增益带宽为4.4MHz,相位裕度为75度.由于电路简单、工作稳定、输入输出线性动态范围宽、非常适合于SOC芯片内集成. 相似文献
5.
提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。 相似文献
6.
基于大功率设备供电设计了一款效率高、功率密度大的供电单元;可以采用单相220 V供电,也可以采用三相四线380 V供电,给大功率设备功放单元提供了高达2400 W的输出,同时配备了三路独立的24 V输出;通过芯片C8051F330能实现与上位机串口通信,能控制电源的启动以及监测各路直流输出的电压、电流大小和整机的温度,对末级功放单元的供电可以实现阶梯式八级电压的调整;能自动识别交流输入的欠压、过压,可以有效的保护整机电源不受损伤;具有输入过欠压保护,输出过压保护、输出过流保护、输出短路保护和过温保护等功能. 相似文献
7.
8.
为了适应物联网低功耗的应用场景,并满足低电源电压和低输入共模电压的工作要求,提出了一种适用于超低输入共模电压的双正反馈回路动态比较器。该比较器采用时序开关控制输入输出,解决了传统动态比较器在输入电压低于阈值电压时无法正常工作的问题,增大了输入动态范围;电源到地之间仅堆叠两级MOS管,降低了最小电源电压;引入两个正反馈回路,提高了分辨率。采用TSMC 180 nm CMOS工艺设计和验证,仿真结果表明,在电源电压为900 mV,差模电压为1 mV情况下,提出的比较器最低共模电压为51 m V,与传统StrongARM动态比较器和DoubleTail动态比较器相比,分别降低了374 mV和264 m V;当输入共模电压低于阈值电压时,在中等的功耗下实现了最低的延时。 相似文献
9.
陈安卫 《电子制作.电脑维护与应用》1997,(7):13-14
本文介绍一种利用CHY100-CN时间控制芯片实现的打铃器控制应用电路,用此芯片设计的打铃器控制系统具有电路简单、功耗低、性能可靠等优点。一、CHY100-CN性能 1.单电源 5V(4.5V~5.5V)供电; 2.CMOS工艺,静态功耗<100mW,可使用电池作为备用电源供电; 3.端口负载能力强,可直接驱动共阳LED数码管; 相似文献
10.
移动基站中的备用电源是由24节蓄电池(每节2V)组成,在电池充电或放电的过程中,蓄电池组的整组电压会发生变化。本文提出了一种以移动基站蓄电池组为供电电源的开关电源设计,其输入电压允许蓄电池组的整组电压在较宽的范围内波动。该开关电源基于UC3842的调控电路,结合单端反激变换、RCD箝位等电路,可稳定输出较低纹波系数的12V、5V和3.3V的供电电源。 相似文献
11.
带隙基准电压源广泛应用在模拟集成电路中,为集成电路芯片系统提供稳定的直流参考电压,是电路设计中不可或缺的一个单元模块。设计了1.25V CMOS 带隙基准电压源电路,采用斩波调制技术改进了电路结构,以提高输出基准电压的精度。基于CSMC 0.5μm CMOS 工艺,使用Cadence工具对未采用斩波调制的电路和采用斩波调制的电路的输出电压分别在typical工艺角下进行仿真。仿真结果显示,采用斩波调制后,输出基准电压由1.05V变化到1.21V,误差由16%减小到了3.28%。 相似文献
12.
13.
介绍了一种低成本应用于音频D类放大器,无需外接滤波器,放大器采用全差分电路,利用脉宽调制方法去除了输出滤波器,电路可以工作在2.5V~5V电源电压下,电路采用6V CSMC0.5μm DPTM工艺,利用MATLAB和Hspice工具仿真,放大器接8Ω的负载,电源电压为3.6V,在高保真音频范围内(20Hz~20kHz),转换效率可以达到88%,连续平均功率0.1W时,其THD+N小于0.06%。 相似文献
14.
15.
利用负反馈技术设计了一款基于CMOS亚阈值MOS器件的低压高性能CMOS基准源电路。基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:所设计的基准电路能在0.8V电压下稳定工作,输出380.4mV的基准电压;在1kHz频率范围内,电源噪声抑制比为-56.5dB;在5℃到140℃范围内,温度系数6.25ppm/℃。 相似文献
16.
一种两级误差放大器结构的LDO设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能,采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器,决定了电路的主要性能参数;第二级使用带有AB类输出的快速放大器,用来监控LDO输出电压的变化,以快速地响应此变化。电路仿真结果显示:在电源电压为5 V时,输出为1.8 V,输出电压的温度系数为10×10-6/℃;当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时,线性瞬态跳变为48 mV;当负载电流从0 mA到60 mA变化时,负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°,整个电路的静态电流为37μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构,且能实现低功耗供电。 相似文献
17.
18.