部分填充Skutterudite化合物La_yCo_(4-x)Fe_xSb_(12)与未填充Skutterudite化合物Co_(4-x)Fe_xSb_(12)的制备及热电性能(英文)

采用机械合金化-热压成形-退火工艺制备了部分填充Skutterudite化合物LayCo4-xFexSb12（x≤1,y≤1）,对比研究了填充化合物LayCo3.5Fe0.5Sb12与未填充化合物Co3.5Fe0.5Sb12的热电性能。结果表明,稀土元素La的填充使热导率显著下降,但同时也降低了功率因子,导致材料热电优值上升不大。因此,要提高材料热电优值,还须优化材料电性能。     

La_(1-x/2)Pr_(1-x/2)Sr_xCuO_(4+y)的正常态电阻反常与超导电性

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备。X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构。磁化率测量显示:Sr掺杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K。电阻的测量显示:随掺杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0+αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失。本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的输运行为和超导特性。     

Cu74Ni12—xSnxP14合金的非晶形成趋势

用X射线衍射(XRD)和差动扫描量热(DSC)法研究了Sn对液态淬火Cu_(74)Ni_(12-x)Sn_xP_(14)合金非晶形成能力的影响,并从动力学和结构化学方面进行了分析,结果表明,适量添加Sn可使合金非晶形成能力得到改善,在x=2—6at-％Sn的成分范围内得到完全非晶组织。     

Mg_(50)Ni_(50-x)Ti_x合金的吸放氢性能

研究了Mg50 Ni50 -xTix 合金的非晶形成能力与非晶合金电极的吸放氢性能。结果表明 :在Mg50 Ni50 -xTix合金中 ,当Ti替代Ni元素的量低于 1 5% (摩尔分数 )时 ,机械合金化能够得到几乎单一的非晶态合金 ;用Ti替代Ni形成的三元非晶合金能降低镁镍合金的平衡氢压 ;少量的Ti替代能改善合金的电化学吸放氢容量 ,使合金电极的吸放氢循环稳定性得到提高。这被认为是在三元合金中钛元素减缓了合金中镁元素的氧化腐蚀进程所致。     

非晶态Fe_（90－x）Co_xZr_（10）合金的Invar效应研究

研究了作晶态Ｆｅ_（９０－ｘ）Ｃｏ_ｘＺｒ_（１０）合金的磁体积效应和广义声子谱．通过热膨胀测量和磁测量给出了自发体积磁致伸缩ωｓ和平均磁矩μ_（ＦｅＣｏ）与平均价电子数Ｎ_（ｅｆｆ）的关系，发现ωｓ的峰值位置与μ_（ＦｅＣｏ）开始急剧下降的位置（Ｎ_（ｅｆｆ）＝８．１－８．２）相对应，从而证实了金属－金属型非晶态因瓦合金中的Ｉｎｖａｒ效应与铁磁态的不稳性有关．用非弹性中子散射方法测量了广义声子谱，从中观察到了与Ｉｎｖａｒ效应相关的声子谱软化现象．     

PMS-xPNW-(0.95-x)PZT压电陶瓷材料的温度稳定性

采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、微观结构、机电性能、温度稳定性的影响.结果表明随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能.     

HYDROGEN STORAGE PROPERTIES OF TiMn_(1.5-x)Cr_x

在40℃及初始氢气压力为4MPa条件下,测定了TiMn_(1.5-x)Cr_x合金的首次吸氢动力学曲线,并在19℃测定了TiMn_(1.5-x)Cr_x-H体系的放氢压力-组成等温线。结果表明,用Cr取代TiMn_(1.5)合金中部分Mn时,缩短孕育期,提高吸氢速率,增加吸氢量,放氢量也有一定增加,改善了合金贮氢性能.     

Ti—Cu1—x—Fex系的相结构

本文对Ti-Cu_(1-x)-Fe_x系(x=0.1-0.6)的相结构进行了测定。结果表明x=0.1和0.2的合金由γ-TiCu和CsCl型Ti(CuFe)两种相组成,其余合金为单相CsCl型结构。电子探针分析确定在γ-TiCu结构中Fe的溶解度仅为1at.-％,CsCl型结构中Cu含量可达37.5at-％。     

PMS-xPNW-(0.95-x)PZT压电陶瓷材料的温度稳定性

采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、微观结构、机电性能、温度稳定性的影响.结果表明:随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能.     

(MlMg)Ni_(4-x)Co_(0.7)Zn_x合金的储氢性能

研究了储氢合金(MlMg)Ni4-xCo0.7Znx(0≤x≤0.3)的气相储氢特性和电化学性能。结果表明,随着Zn含量的增加,合金吸、放氢(室温下)的平台压力降低,最大储氢量减少,分别从1.58%(x=0)减少到1.44%(x=0.2)、1.19%(x=0.3);合金的放电容量减少,分别从380mAh/g(x=0)减少到366mAh/g(x=0.1)、345mAh/g(x=0.2)、271mAh/g(x=0.3),但循环稳定性得到提高,经100次充放电循环后的容量衰减率从16%(x=0)降低到4%(x=0.3);适当控制Zn含量,既对合金的放电容量无大的影响,又可提高合金放电的稳定性,尤其是在大电流下放电的稳定性。     

P型Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的制备及热电性能

采用熔融法制备了P型填充式方钴矿化合物Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),并研究了Co位Fe掺杂对该化合物热电传输特性的影响.在300～850 K的温度范围内,测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率.结果表明,化合物的主要相组成为Yb_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12),EPMA结果显示化合物中含有微量FeSb_2和CoSb_2杂质相.化合物的赛贝克系数均为正值,表明为p型半导体.随着Fe掺杂量的增加,化合物的电导率增加,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率仅为1.33 W·m~(-1)K~(-1),对于化合物Yb_0.29Fe_1.2Co_2.8Sb_(12),在800 K时获得最大热电优值ZT约为0.67.     

(AgCu28)80InxSn(20-x)焊料合金的显微组织与性能

通过微合金化的方法,采用XRD、SEM/EDS、DSC和铺展性分析等测试手段研究了不同In、Sn添加量的(AgCu28)80InxSn(20-x)焊料合金的显微组织、熔化特性和铺展性能.结果表明:(AgCu28)80In11Sn9合金具有较低的固相线温度和熔程、简单的物相结构、适中的铺展率.其综合性能在添加11%的In时最好.     

Er_(2-x)Pr_xFe_(17)化合物的结构与磁熵变

较详细地研究了Er2-xCexFe17化合物的结构、磁性和磁熵变。结果表明,轻稀土Ce的掺入虽然没有明显改变Er2Fe17化合物的相结构及其晶格常数,但改变了Er次晶格与Fe次晶格之间的耦合系数,使仍为Th2Ni17型六方结构的Er2-xCexFe17化合物的居里温度可通过成分微调使其处在室温附近。Er2-xCexFe17化合物的λ形(-?SM)-T曲线表明其在居里点附近发生的相变属于二级相变,它使化合物可在较宽温区范围内保持较大的磁熵变。Er2-xCexFe17化合物在x=0.05~0.1范围内具有较大的磁熵变,其在2.0T和5.0T外场下的最大磁熵变达到金属Gd的40%~50%,且其化学性质稳定、制冷温区宽、价格低廉,是一类性价比较高、应用潜力较大的新型低场室温磁制冷工质材料。     

Preparation of Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y by MOCVD

The GalnAsSb quaternary alloys for 2～4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs and GaSb/GaSb hybridsubstrates are mentioned,which effectively improve the properties of GalnAsSb epilayers.In order to controlthe epitaxial growth of GaSb and GalnAsSb,emphasis is given on the deposition rates,growth temperaturesand the relationship between growth conditions and the distribution coefficients of In and Sb.The experimen-tal solid compositions in this work are predicted by the thermodynamic calculations.Whether the growth ofGalnAsSb epilayers is controlled by chemical reactions or by mass diffusions depends on growth temperatures.This argument is verified by kinetic considerations.The FWHMs of the DCXD (double crystal X-raydiffraction)spectra of GalnAsSb epilayers grown on GaSb/GaSb and GaSb/GaAs hybrid substrates areabout 200～300 arcsec and 800 arcsec respectively.The unintentionally doped GalnAsSb epilayers have themobilities of μp=100～240 cm~2/V·s at 300 K.The corresponding wavelength ofMOCVD GaInAsSb alloysis calculated from EPMA(electronic probe microanalysis)data and determined by FTIR(Fourier transformedinfrared spectroscopy)measurement.     

LaFe_(11.9-x)Co_xSi_(1.1)B_(0.25)合金磁热效应的研究

对所制备的LaFe_(11.9-x)Co_xSi_(1.1)B_(0.25)(x=0.75,0.80,0.85)合金样品,利用直接测量仪测量其绝热温变,利用X射线衍射、扫描电镜、振动样品磁强计等手段研究Co含量对LaFe_(11.05)Co_(0.85)Si_(1.1)B_(0.25)合金磁热效应的影响。结果表明,Co元素的添加可以提高LaFeSi基材料的居里温度,同时降低其磁热性能。随着Co含量的增加,材料的居里温度逐渐升高。     

Thermoelectric properties of Bi_(0.5)Sb_(1.4-x)Na_xIn_(0.1)Te_3 alloys

The Bi_(0.5)Sb_(1.4-x)Na_xIn_(0.1)Te_3(x=0.02-0.20)alloys were fabricated by high vacuum melting and hotpressing technique.The phase structures and morphology of the bulk samples were characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscope(SEM),respectively.Effects of In and Na co-doping on the electrical and thermal transport properties were studied from room temperature to 500 K.Seebeck coefficient of the Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3 can be enhanced by substituting Sb with In and Na at near room temperature.The electrical conductivity of the In and Na co-doped samples is lower than that of the Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3 alloy from room temperature to 500 K.In and Na co-doping of appropriate percentage optimizes the thermal conductivity of the Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3 alloy.The minimum value of thermal conductivity of Bi_(0.5)Sb_(1.36)Na_(0.04)In_(0.1)Te_3 alloy is 0.45 W·m~(-1) K~(-1) at 323 K.which leads to a great improvement in the thermoelectric figure of merit(zT).The maximum zT value reaches 1.42 at 323 K.     

（Sm_（1－x）Y_x）_2Fe_（17）N_y的Mossbauer谱研究

通过Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等研究（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ（１７）Ｎｙ的磁性。结果表明：Ｓｍ次格子的单轴各向异性较强，对总的各向异性贡献起主导机制；Ｙ原子的择优占位导致晶体结构的变化，而对各向异性的影响较小。     

DISACCOMMODATION OF INITIAL SUSCEPTIBILITY IN AMORPHOUS Fe_(90-x)Ni_xZr_(10) ALLOYS

The disaccommodation(DA)measurements of initial susceptibility were performed inamorphous Fe_(90-x)Ni_xZr_(10)(x=10,20,30)alloys.The DA was measured for two differentamorphous states:as-quenched and pretreated at 537 K for 45 min.For all the as-quenched samples,in the isochronal spectra of DA a well defined relaxation peak around350 K is accompanied by a samll but distinct peak near the Curie temperature ofFe_(90)Zr_(10) phase(T_c=230 K).The reversibility and annealing effect on DA are analyzedwithin the framework of two-level model.The fits of the theory to the experimentaldata of reversible relaxation processes gave a spectrum,of activation energies and pre-exponential factor.     

ZrVxFe（2-x）合金的制备及其显微组织

利用非自耗真空电弧熔炼技术,制得了Zr系吸氢合金ZrVxFe(2-x)合金,其中x=0.2、0.3、0.4、0.5。采用SEM、EDS并结合XRD分析了合金的显微组织。结果表明,合金主要由ZrFe2(V)和ZrV2(Fe)两相组成,在熔炼过程中,Zr首先析出,随后ZrFe2(V)和ZrV2(Fe)开始形核并析出;随着合金成分中V含量的增加,ZrFe2(V)相的含量减少,ZrV2(Fe)相的含量增加。     

非晶态Fe90—xNixZr10合金的起始磁化率减落

测量了非晶态Fe_(90-x)Ni_xZr_(10)(x=10,20,30)合金淬态和预处理态(573K,45min)样品的起始磁化率等时减落谱和等温减落谱,在等时减落谱的低温区(T<300K)观察到一伴随小峰,本文用二能级模型分析了弛豫过程的可逆性和热处理效应,对可逆减落谱的理论拟合给出可逆弛豫过程的激活能谱P(Q)和特征弛豫时间τ_(OR)。