光电

数据处理投影仪金属研究总院下属的北京国晶辉红外光学科技有限公司研制成功。这是我国在锗单晶生长技术方面取得的又一新突破。锗单晶可广泛应用于国防先进武器装备及激光加工领域。由于锗单晶的生长温度比硅单晶低得多,因此很难实现自动控制拉晶。研究人员在无拉晶自动控制系统的情况下,靠人工控制单晶的生长,克服了热场系统直径大,温度梯度很难控制以及熔体中浮渣多等技术难关,成功地拉制出了直径为12英寸的锗单晶。据报道,目前国外锗单晶的最大直径在12～13英寸范围,且主要用于军工先进武器系统。12英寸的锗单晶的研制成功,标志着我国锗…     

锗金属单晶材料性能及加工技术研究

根据锗金属单晶材料的物理性能特点,在大量试验的基础上,探索出一套行之有效的锗金属单晶整盘加工工艺.对影响锗金属单晶零件表面光洁度的磨盘、磨料、加工条件等因素作了详细分析和论述,其结果可用来指导锗金属单晶零件的生产.     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用一种化学方法将两种份菁直接键合在抛光的单晶锗表面,对键合有份菁的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析,结果表明,在键合的锗片表面存在着与染料组成相同的各原子,并且这些原子的化学环境与染料分子结构相符,锗表面实现了预期染料分子的键合。     

Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究

采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。     

掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究

利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高．根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke≈0．60～0．65．     

高精度大口径超薄光学镜面通过验收

国家天文台南京天文光学技术研究所研制的第二批1．1米六角形超薄高精度光学平面镜通过专家验收．全部指标均达到并超过技术要求。专家认为，高精度大口径超薄光学镜面研制技术达到了国内领先和国际先进水平。并具备了批量研制能力。     

水热沉积锗纳米棒的生长机理

以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1～8.0MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒。对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳米棒的形成过程中起到了关键作用,提出了锗酸铜辅助生长机理,初步解释了水热沉积锗纳米棒的生长过程。     

(100)锗单晶片的位错腐蚀研究

为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度为60℃时腐蚀120min就能达到抛光并显示位错的目的。采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果,在一定温度范围内(30~80℃)升高温度,腐蚀效果先改善后抑制,而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善。     

单晶锗表面抛光的ABAQUS多颗粒冲击仿真与实验分析

单晶锗是一种难加工脆性材料,通过使用固液两相流加工方法可获得较好的表面质量.为探究磨粒相关因素对加工质量的影响,根据实际材料的参数,利用ABAQUS有限元仿真软件建立多颗粒冲击仿真模型,研究磨粒材料、粒径对加工后单晶锗表面质量、表面材料去除速率的关系;然后利用现有设备进行实验.研究表明,加工后的单晶锗材料表面质量提高;使用较大尺寸磨粒可有效增加去除率,降低残余应力,但会增加表面粗糙度;使用较大弹性模量、低硬度材料的磨粒加工会产生相对较小残余应力;同时,由于软件限制,ABAQUS有限元软件不能很好地对液体项等因素进行仿真,这会导致仿真结果与实验结果的偏差.     

快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响

采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为P型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。     

多晶硅两极管的试制

一、绪言:自从去年大搞科研以来,我们曾用单晶锗试制成点接触两极管及点接触三极管,但由于原料缺乏对单晶锗方面的研究暂行终止。由于党的教育方针提出了三结合,因而我组考虑进行教学、科研、生产劳动相结合的实验内容,其中之一是半导体器件制造。由于多晶硅原料来源多,因此我们就决定了对硅多晶器件的制造。这项工作是具有较大意义的。因为国内外有关这方面的工作尚未取得较良好的结果,在器件方面虽然有多晶管及采纳管初     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防"十五"项目等多项基金项目资助。     

热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响

采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。     

简式乔赫劳斯基单晶炉

绪言由于晶体三极管的发明,对于高质量的半导体材料的要求越显得需要。但多晶的半导体材料不能满足这种要求,而必须制备结构完正,纯度甚高,并具有可控制电阻率的单晶材料。此外在固体物理的研究中;在冶金学关于金属性质的探讨中以及原子能的研究中;都需要超纯的,完正的单晶材料。因此单晶材料制备的研究和技术,不但在半导体材料工艺学中非常重要;而且在其他的科学和工程技术中也越来越感到需要。制备单晶的方法很多,但对半导体材料来说最常用的是乔赫劳新基(Czochralski)的拉制单晶法。虽然近年来区域致均法已广泛地用于半导体锗和其他Ⅲ—Ⅴ族化合物等材料的制备,但对硅来说这种能使固液界面不与坩埚器壁相接触的拉制法,不     

石英瓶前处理方式对硫系玻璃性能的影响

硫系玻璃是单晶锗的低成本替代品,可作为红外热成像系统的透镜和窗口材料,未来应用前景十分广阔。但是目前,硫系玻璃性能提高遭遇瓶颈,原因之一在于石英安瓿瓶前处理水平限制了硫系玻璃性能的提升。通过高温充氮脱羟技术改进石英瓶前处理,并和目前常用方式石英瓶处理技术进行比较,表明石英安瓿瓶高温充氮脱羟处理有利于批量制备高性能硫系玻璃。     

浅谈SPC在单晶硅片质量控制方面的应用

单晶硅片是制造集成电路的基础主体功能材料之一,主要应用于制成太阳能电池组件、大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等方面。单晶硅片的规格要求高,制作工艺复杂,产品质量的好坏直接影响着微型电子器件的内在品质。因此对单晶硅片制造过程的质量控制就显得尤为重要,SPC就是一种重要的质量管理工具。本文介绍了SPC的技术原理及其在单晶硅片质量控制中的应用。