退火温度对二氧化钛薄膜的性能影响

为了获得性能优良的二氧化钛薄膜,采用电子束蒸发沉积方法制备二氧化钛薄膜,并分别在300、600、900℃空气中对样品进行退火处理以改善所制备二氧化钛薄膜的性能。分别采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及分光光度计研究了退火温度对二氧化钛薄膜结构和光学性能的影响。结果表明,退火处理可以使二氧化钛薄膜由非晶态薄膜转换为金红石型薄膜,且金红石晶型成分随退火温度的加大而增大,同时退火处理可以改善二氧化钛薄膜在300~1 200nm光谱范围的总吸光率以及增大二氧化钛薄膜的应用范围。     

丝织构对薄膜X射线残余应力分析的影响

具有择尤取向的薄膜材料因弹性呈现各向异性,在利用X射线衍射法测定薄膜残余应力时,常发生d-sin^2ψ测试曲线的非线性振荡,无法得到准确的应力值。本文利用Voigt、Reuss和Kroner模型计算了TiN薄膜的弹性常数随ψ角的分布在低ψ角区发生的弯曲。与实测PVDTiN薄膜的应力测试曲线的弯曲情况相似,说明丝织构的确可能造成薄膜应力测试d-sin^2ψ曲线的低ψ角弯曲。     

退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数。为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律。结果表明:在500～600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜。所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值。     

掺杂对富-锆Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜性能的影响

采用脉冲激光溅射方法将PZT/YBCO沉积在LaAlO3(LAO)基底上,所选择的烧结靶材分别是不掺杂的Pb(Zr0.94Ti0.06)O3和掺有2%Bi2O3的Pb(Zr0.94Ti0.06)O3.沉积这两种薄膜时所选择的工艺参数均相同.通过X射线衍射分析比较了两种薄膜的结晶状态,利用P-V曲线比较了两种薄膜的电学性质,并测量出这两种薄膜的介电常数与频率(ε-f)以及介电损耗与频率(tanδ-f)的关系曲线.     

ZnO薄膜非线性光学特性的实验研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长一层高质量的ZnO薄膜。为了考察沉积温度对样品的非线性特性的影响,在200~500 ℃生长了一系列ZnO薄膜。用X射线衍射谱(XRD)及扫描电镜(SEM)对样品结构进行了评价。以Nd:YAG激光器输出的1.06 μm的激光为基频光,对ZnO薄膜样品的二阶及三阶非线性光学特性进行了实验研究。实验发现,对于250 ℃沉积温度的样品有较强的非线性效应,实验测得的二阶非线性极化张量 χ ⁽²⁾_ZZZ=9.2 pm/V, 三阶有效非线性系数χ⁽³⁾=5.28×10^－20 m²/V²。     

退火时间对Cu-Al-O薄膜性能影响的研究

通过制备Cu-Al-O薄膜并对其进行退火处理,研究了退火时间对薄膜形貌、结构以及紫外-可见透过率、带隙、中红外透过率的影响。研究结果表明:随着退火时间的增加,薄膜开始晶化,5.0 h时薄膜中出现裂纹,同时出现AlCu合金相;紫外-可见透过率随退火时间的增加而降低;中红外透过率随退火时间的增加先增加后降低;Cu-Al-O薄膜的直接带隙随退火时间的增加而降低。     

退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响

铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.     

RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱

应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53～0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.     

NH4Cl对TiAl基合金渗氮的影响

介绍了NH4Cl对TiAl基合金渗氮的影响以及渗氮后其渗层的组织特点。结果表明，在一定的温度和时间范围内，NH4Cl对TiAl基合金渗氮有显著的催化作用，主要表现在渗层厚度的增加、渗氮速率的提升和合金表面显微硬度值的增大。     

退火工艺对冷轧无取向硅钢组织与织构的影响

针对冷轧无取向硅钢退火工艺的特点,研究了退火温度和保温时间对成分为0.004% C,0.33% Si的冷轧无取向硅钢晶粒组织和织构演变的影响.结果表明:退火后,α线上{100}织构密度明显减弱,取向从{112}〈110〉向{111}〈112〉大量聚集;适当增加保温时间有助于提高{100}〈hkl〉织构,900℃退火、保温180 s水冷得到的织构分布比较均匀,{001}面织构占有率比较高.     

Lubricant Bonding Effects on Thin Film Disk Tribology

The magnetic recording industry predominantly uses Zdol to lubricate the carbon overcoat of magnetic recording disks. Zdol comprises a perfluoropolyether chain terminated with hydroxyl end groups that are capable of reversibly bonding to the carbon overcoat. Contact start/stop (CSS) tests were done to investigate the effects of Zdol lubricant bonding, thickness, and relative humidity on durability. The durability improved with increasing thickness of fully bonded or mobile Zdol. The durability decreased with increasing initial bonded fraction and with decreasing relative humidity. The bonded fraction increased with time during the tests at elevated temperature and low relative humidity.     

采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究

文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解（ＭＯＤ）法制备锆钛酸铅Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电薄膜的工艺及ＰＺＴ薄膜的介电性能。利用ＸＲＤ分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜铁电极有利于钙钛矿相形成,薄膜的介电温谱研究结果表明：薄膜有居里温度约为４３０℃（１ｋＨｚ）。     

纳米薄膜轴承薄膜破坏分析

纳米薄膜可以改善滚动轴承的表面质量，以减少振动、降低噪声，减小摩擦、延长轴承寿命。试验证明，含纳米薄膜的滚动轴承疲劳寿命明显高于普通轴承。本文讨论纳米薄膜轴承表面纳米膜的破坏。     

硅烷化单晶硅表面自组装ZrO2薄膜及其摩擦学性能研究

利用自组装成膜技术在磺酸化的MPTS自组装单层薄膜表面制备了ZrO2薄膜,应用接触角测定仪、X射线光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的组成和结构。结果表明：该ZrO2薄膜比较致密、无裂缝,呈“准二维”特征,且与基底的牢固性好。摩擦磨损试验表明：ZrO2薄膜经500℃烧结处理后适于在低负荷、低滑动速度下作为减摩、抗磨保护性涂层。     

光学薄膜的研究

本文概述了当前薄膜光学领域里的一些研究工作,并就具体的研究方向,如:光学薄膜的离子束辅助淀积和离子束溅射、低能离子镀技术,光学薄膜的成核、生长和微结构的模型,薄膜特性的检测和微结构分析等作了论述。     

热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响

文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的ＩｎＳｂ薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的３种保护膜。     

衬底对溶胶-凝胶法制备ZnO压电薄膜的影响

采用溶胶-凝胶法分别在晶态衬底Si/SiO2/Ti/Pt和无定形态衬底Si/SiO2上制备了ZnO压电薄膜.以X射线衍射仪和原子力显微镜研究了薄膜的002择优取向度和表面形貌.结果表明,采用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt和Si/SiO2衬底上都能制备出具有较好择优取向,表面粗糙度低的ZnO薄膜,而且由于Pt和ZnO的晶格失配度较小,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上生长的ZnO薄膜形成002择优取向的退火温度低于在Si/SiO2衬底上生长的薄膜形成002择优取向的退火温度.     

MnZnFe2O4纳米磁性颗粒对薄膜润滑性能的影响

MnZnFe2O4纳米磁性颗粒由于同时具备磁性和纳米尺寸,作为润滑油添加剂会对纳米级油膜的润滑特性和成膜机理有极大的影响.采用共沉淀法制备MnZnFe2O4纳米磁性颗粒,对其粒径分布和磁性能进行检测,加入基础油中获取分布均匀的润滑油,检测润滑油粘度.同时采用纳米膜厚测量仪,研究不同质量分数下纳米磁性颗粒对于薄膜润滑性能的影响.研究表明,不同质量分数对润滑油粘度影响不同,且润滑油在不同卷吸速度下的膜厚、中心膜厚形态、流动性与粘度无关,而与质量分数直接相关.指出油酸包覆的纳米磁性颗粒之间存在决定分散和团聚的极限间距,当润滑间隙减小到磁力矩作用范围时,在分子作用力、附加磁力矩共同作用下,磁性颗粒和润滑油分子共同形成吸附层,并达到有序排列,形成强度更高的、更稳定、更厚的薄膜润滑.