IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs

国际整流器公司(简称IR)扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm×2mm和PQFN 3.3mm×3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFETMOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、     

AUIRF7739L2／7665S2：功率MOSFET

IR推出适用于汽车的AUIRF7739L2和AUIRF7665S2 DirectFET 2功率MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。     

IRFBxxxxPBF：沟道型HEXFET功率MOSFET

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。     

高功率密度汽车用DirectFET2功率MOSFET

AUIRF7739L2和AUIRF7665S2DirectFET2功率MOSFET以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。这些汽车用DirecFET2完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。     

高功率密度汽车用DirectFET 2功率MOSFET

AUIRF7739L2和AUIRF7665S2 Direct FET2功率MOSFET以坚固可靠、符合AEC—Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。这些汽车用Direc FET2完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

IR推出双输出二相DC-DC功率区块

国际整流器公司(Intemational Rectifier，简称IR)推出双输出二相DC—DC功率区块，采用单一和易于使用的BGA封装，专攻同步降压应用。新器件能简化设计、缩减尺寸及     

功率三极管封装图说

功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-Hole Mount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（Sudacd Mounting Device，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管丁HM封装以TO（Transistor Outline，晶体管封装）为主要形式，     

动力源于不断创新——IR公司推出FlipFET^TM功率MOSFET

因拥有六角蜂巢式功率MOSFET技术而居业界领先地位的,著名功率半导体器件供应商国际整流器公司(IR),近日又推出了全新的FlipFET~(TM)功率MOSFET器件,开创了新一代芯片级封装器件结构的新技术。为配合该产品在中国的推出,IR公司于8月8日在北京香格里拉饭店专门举     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

IR推出采用T0-220fullpak封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier，IR）推出采用坚固耐用TO-220fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。     

功率MOSFET发展趋势

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。     

Vishay推出新型35W厚膜功率电阻D2TO35

目前，Vishay宣布推出新型35W厚膜功率电阻D2T035，该器件采用易于安装的超小型T0-263封装（D2PAK），并且具有广泛的电阻值范围。     

IR为电机驱动器推出智能功率模块iNTERO系列

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)为工业电机和服务驱动器推出i NTERO智能功率模块系列 ,提供更高水平的整合及功能 ,以缩短产品开发时间并降低成本和开发风险、简化供应链以及提升产品性能。i NTERO系列提供一个非常灵活的平台 ,支持多种配置及整合水平。全新模块将嵌入式驱动电路板(EDB)整合在功率单元上 ,提供可编程驱动控制、电流感知、隔离、栅极驱动及功率单元保护等多种功能。这些模块采用创新的 EMP封装 ,提供符合业界标准 Econo Pack封装机械外形的功率管脚和信号管脚。EMP封装可方便地将…     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

SiA850DJ：190VN沟道功率MOSFET

Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术

英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件，将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能（例如：大功率密度的直流DC/DC转换器）。