IR推出采用新型WideLead封装的车用MOSFET系列

可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司（IR）推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。     

AUIRF1324WL／3004WL：MOSFET

国际整流器公司推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

AUIRFS3004．7P等：MOSFET

国际整流器公司推出车用MOSFET系列，可为一系列应用提供基准导通电阻（ROS（on）），包括电动助力转向系统（EPS）、集成式起动发电机（ISA）泵和电机控制，以及内燃机（ICE）和混合动力汽车平台上的其它重载应用。     

IR推出采用T0-220fullpak封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier，IR）推出采用坚固耐用TO-220fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。     

Power MOSFET系列

Toshiba公司推出了一系列新的功率MOSFET产品,主要用于优化汽车中使用的风机、泵以及其他汽车运动控制应用。新MOSFET系列将导通电阻、输入电容以及封装 设计组合在一起，比以前的汽车MOSFET提供更好的散热和功率性能。     

用于工业、消费和电信应用的MOSFET

OptiMOS3 40V,60V和80V N沟道MOSFET系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能,使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下,降低30％的功耗。     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．     

英飞凌推出低通态电阻的全新OptiMOS3系列

英飞凌科技股份公司宣布推出采用SuperS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperS08封装与标准TO（晶体管外形）封装相比,可使功率密度增大50％,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说,这种采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与DLPak封装相同的通态电阻。     

AUIRF13205等：功率MOSFET

国际整流器公司推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列,适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。     

Vishay推出第三代功率MOSFET

日前,Vishay推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。     

具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻,40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻,60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻,80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

IR推出新型HOSFET

国际整流器公司（IR）日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET,该产品具有较低的通态电阻（RDS（on））,采用TO-247封装,其典型应用包括：同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动,直-交逆变器、电动工具等。     

低通态电阻MOSFET功率密度提高50％

英飞凌日前推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比,可使功率密度增大50％,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。     

恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。