Y-La-Si_3N_4陶瓷的微波烧结

以Ｙ２Ｏ３和Ｌａ２Ｏ３为添加剂，利用微波烧结成功地制备出Ｓｉ３Ｎ４陶瓷。在最佳工艺条件下，其抗弯强度和断裂韧度分别为６８０～７２０ＭＰａ和６．８～７．８ＭＰａ·ｍ１／２。研究了烧结工艺对致密化过程和力学性能的影响。实验结果表明，微波烧结能够大大降低烧结温度，促进致密化和α→β相变。为了仰制Ｓｉ３Ｎ４分解，必须采用高Ｎ２压力（＞０．５ＭＰａ）。微波烧结Ｓｉ３Ｎ４的显微结构均匀，晶粒细小     

引入滑石的高铝瓷中非平衡相研究

采用两种不同的工艺过程对引入滑石的高铝瓷进行烧结，比较其制品性能，并应用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析晶相。结果发现，存在非平衡相α－石英的样品其力学性能优于存在平衡相莫来石的样品。这表明，可以通过烧结工艺改变陶瓷制品中的晶相，从而获得性能优良的陶瓷材料。     

ZTM／SiC陶瓷高温下SiC组分的氧化问题

添加ＳｉＣ的增韧莫来石陶瓷（ＺＴＭ／ＳｉＣ）复合材料比基体的性能有较大的提高。该陶瓷在烧结过程中及高温下使用都伴随着ＳｉＣ组分的氧化，从而影响陶瓷的烧结致密化并导致性能衰退。文中针对ＺＴＭ／ＳｉＣ陶瓷在空气下烧结过程中出现的变化，探讨ＳｉＣ组分的氧化过程及其对陶瓷烧结致密化的作用。     

CDBS和CSA与硝酸铵的相容性和物理作用

利用复分解反应制备了硝酸铵（ＡＮ）炸药示踪检测添加剂十二烷基苯磺酸铈（ＣＤＢＳ）和硬酯酸铈（ＣＳＡ）。用元素分析,ＩＣＰ－ＡＥＳ和ＦＴ－ＩＲ表征了ＣＤＢＳ和ＣＳＡ。     

低温烧结对氧化锌压敏电阻的影响

采用不同烧结温度(1 000~1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理。结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408 V/mm,漏电流为1.8μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm。     

一种用于火箭发动机的新型钝感无毒双基推进剂

介绍了一种挤压成形的钝感、无毒双基推进剂的研制情况。该推进剂的研制分为两个阶段。首先，根据技术估算，法国国营火药炸药公司（ＳＮＰＥ）研制了一种应用于火箭发动机的钝感推进剂；后来，又用更有利于保护环境的弹道改性添加剂替代了原有的铝基成份。现在，这种挤压成形双基推进剂（ＥＤＢ）配方能用于任何需要钝感、无毒推进剂的新方案中。目前，正在考虑在现行的空对地火箭方案（如ＨＹＤＲＡ７０）中，用ＳＤ１１７８替代常规双基推进剂。据悉，这方面的试验已经开始进行。     

β-Si_3N_4 晶粒生长对热压自韧 Si_3N_4 力学性能的影响

研究了１５ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－Ｌａ２Ｏ３热压自韧Ｓｉ３Ｎ４的β－Ｓｉ３Ｎ４晶粒生长对强度、韦伯模量和断裂韧性的影响。在最佳的工艺条件下，其强度、断裂韧性和韦伯模量分别为９６０ＭＰａ、１１．７２ＭＰａ·ｍ１／２和２４．５。实验结果表明，烧结温度和时间对β－Ｓｉ３Ｎ４晶粒生长及力学性能有重要影响。随烧结温度升高，其强度、断裂韧性和韦伯模量值上升；超过１８００℃，其力学性能有一定下降。过长的烧结时间，将使β－Ｓｉ３Ｎ４晶粒粗大，因而其性能降低。韦伯模量取决于β－Ｓｉ３Ｎ４晶粒尺寸分布和显微结构均匀性。ＳＥＭ观察表明，裂纹偏转是该材料的主要增韧机制。另外，较大β－Ｓｉ３Ｎ４晶粒的拔出和裂纹分支也对增韧有所贡献。     

反应烧结碳化硅材料研究进展

系统总结了反应烧结ＳｉＣ材料的研究进展,包括Ｓｉ／ＳｉＣ复相陶瓷、Ｓｉｌｃｏｍｐ和连 续纤维增强Ｓｉ／ＳｉＣ陶瓷基复合材料的制备工艺与性能,提出了反应烧结ＳｉＣ材料今后的研 究方向。     

枪械方案设计专家系统中不精确知识的研究

论述了作者在研究枪械方案设计专家系统（ＥＳＦＤ）时遇到的一些不精确知识及其解决方法，并试图把模糊数学引进ＥＳＦＤ，以解决模糊的专家经验知识问题。为此，介绍了在ＥＳＦＤ中成功地应用的一种表格获取知识方法。利用表格获取的知识经过综合评判，就能得出明确的结论，从而基本解决了模糊经验知识的获取和处理方法问题。     

灼热桥丝式电火工品静电发火数理模型

在静电放电（ＥＳＤ）模型和炸药热点理论基础上，研究了ＥＳＤ对灼热桥丝式电火工品作用的数理模型，并依据一定的点火准则，求出了桥桥温度曲线和药剂温度曲线。     

工艺条件对莫来石陶瓷相组成和显微结构的影响

以α-Al2O3微粉、高纯石英粉、煤矸石、碳酸钡为原料,采用常压烧结法制备莫来石陶瓷材料。对试样进行XRD和SEM分析,研究烧成温度和保温时间对材料的相组成和显微结构的影响。结果表明:由α-Al2O3微粉、高纯石英粉、BaCO3和煤矸石粉料通过常压烧结可以合成由主晶相莫来石、次晶相单斜钡长石、六方钡长石、少量刚玉和石英5种物相组成的莫来石陶瓷材料;随烧成温度的升高,莫来石的生成量相对较高,刚玉相较少。通过烧成制度的控制可以实现对一次莫来石、二次莫来石生成量和晶体发育情况的控制,达到对莫来石陶瓷显微结构控制。     

非氧化物陶瓷的微波处理

介绍了微波处理非氧化物陶瓷的近期进展。非氧化物陶瓷的烧结温度高,并要求非氧化气氛烧结,困难较多;采用微波烧结可以大大缩短烧结时间、降低烧结温度,提高材料性能,成为一种较好的烧结手段。本文重点介绍了微波处理ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｔｉ（Ｃ,Ｎ）方面的进展     

烧结时间对W-Ni-Fe重合金的组织结构及性能影响的研究

研究了W -Ni-Fe重合金组织结构及性能与烧结时间的关系。研究表明 ,不同烧结时间的合金组织有很大差别 ,从而直接影响合金的性能。合适的烧结时间可以使合金具有良好的组织结构和最佳的力学性能     

烧结温度对Ti2SnC导电陶瓷摩擦磨损性能的影响

采用Ti粉、Sn粉和C粉为反应物原料,通过机械合金化和放电等离子(SPS)烧结进行Ti2SnC导电陶瓷的制备,探讨烧结温度对机械合金化产物和烧结块体的相组成及微观形貌的影响,同时对烧结块体的硬度、摩擦磨损性能进行分析。研究表明:温度为600~1 000℃,块体的硬度和摩擦因数随着烧结温度的提升而逐渐降低;温度为1 000℃;块体具有较低的硬度和较小的摩擦因数;温度超过1000℃,高温导致部分Ti2SnC开始分解,块体的硬度开始增加,摩擦磨损性能下降。     

氮化硅烧结体的缺陷分析

通过表面形貌宏观观察、显微组织观察、X射线物相分析、炉气成分分析 ,探讨气压烧结中在毛坯表面产生针孔和白色针状物的可能机理 ,提出防止和消除这些缺陷产生的措施     

纳米添加对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过使用高频等离子法制备纳米材料,研究纳米材料对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,烧结温度在1 080～1 120℃范围内可制备高性能的氧化锌压敏电阻陶瓷,其阀片的电位梯度达到429 V/mm,漏电流为6μA,非线性系数为39,能量吸收密度为296 J/cm3,性能远高于传统阀片。     

CeO2对Mg-PSZ陶瓷显微结构和相组成的影响

在氧化镁部分稳定氧化锆基质原料中加入不同含量的CeO2,研究烧结、热处理过程中(Ce,Mg)-PSZ显微结构和相组成的变化。结果表明:CeO2的加入可促进高温下Mg2+在固溶体中的扩散,避免MgO在晶界偏析,有利于晶界净化;随CeO2含量增加,烧结体中晶粒尺寸减小,四方析出体更为稳定,不规则形态的立方氧化锆晶粒和波浪式晶界明显增多。通过热处理,相邻立方晶粒中四方析出体相互交联,最终(Ce,Mg)-PSZ基体中的晶界消失,颗粒合并,析出体交联形成连续态网络结构。     

SiC陶瓷无压烧结工艺探讨

系统研究了不同温度无压烧结条件下,添加质量分数为2％C及不同B元素量对SiC的致密机制、微观结构 及力学性能的影响。结果表明,添加质量分数为2.0％C+1.0％B的SiC经2 150℃×2h无压烧结后的力学性能为最 优,其抗弯强度达470MPa,断裂韧性达5.12MPa·m1/2。