硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

多孔硅的微观结构及其氧化特性

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．     

离子注入可提高金属氧化物半导体器件的抗辐射性能

据讯,采用离子注入这一新技术可以提高金属氧化物半导体器件的抗辐射性能。离子辐射对在硅衬底上热生长的二氧化硅层有两种效应:(1)在氧化层中建立一个网状正空间电荷;(2)在氧化物-硅界面形成快态。这两种效应均使金属氧化物硅器件的结构不够稳定,     

两步氧化工艺SOI新技术

应用一种新的两步氧化工艺在多孔硅样品上生长硅分子外延层,能获得大的硅-绝缘体(SOI)结构。第一步低温氧化,氧化底层的大孔硅,以避免多孔硅结构破裂,保障给多孔层氧化提供横向氧源通道。第二步,用较高的温度来氧化剩余多孔硅和硅分子束外延层的底下部分,该部分氧化所需的氧就是通过已氧化的多孔硅底层提供的。新的多孔硅结构是由具有小孔性的顶部多孔硅层和具有大孔性的第二层组成。前者适用于随后将进行的硅外延生长,后者不仅为SOI氧化提供氧通道,而且可以调节多孔硅氧化的体积膨胀。已成功地制造出325μm×2mm的SOI。在10V偏压下,SOI结构的击穿电压约为400V,而SOI层和衬底之间的漏电流密度低于3nA·cm~(-2)。在具有良好特性的SOI结构上已经制造出n沟金属-氧化物-硅场效应晶体管,这表明这种技术适用于超大规模集成电路。     

数字万用表二极管挡使用技巧(三)

<正> 6.硅桥式整流器性能鉴别 硅桥式整流器具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子技术中应用广泛。常用的小功率硅桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式(见图3),如QL52～QL61系列、PM104M、BR300系列等。半桥有三种结构:一种是将两只二极管顺向串联,在结点处引出一极(如2CQ1型),见图4;另一种是将两只二极管背靠背式反极性联接(称共阴式,如2CQ2型),见图5;第三种是将两只二极管头碰头式反极性联接(称共阳     

用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长

本文报道了硅片在相同的氧化条件中形成不同厚度的SiO_2层。采用注入氮离子进入硅中,将注入与未注入样品在1000℃的炉温中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测SiO_2层的厚度。结果表明,N_2~+离子注入硅样品的氧化层厚度明显薄于非注入样品的氧化层厚度。N_2~+离子注入硅表面在氧化时抑制SiO_2的生长,具有较明显的抗氧化的作用。这项实验说明,采用注入N_2~+离子,同一硅片在相同的氧化条件下开辟选择氧化是可能实现的。     

硅的局部氧化

在半导体器件工艺中为了得到部分地或全部嵌埋于硅衬底中的一定厚度的氧化图形,硅的局部氧化(LOCOS)是很重要的技术。按下列方法可分三种基本的 LOCOS 结构。用 SiO_2—Si_3N_4夹层作掩模时,氧化图形的边缘没有单纯用 Si_3N_4边缘那么陡。介绍了用氧化物—氮化物夹层结构的新的工艺特点。称为LOCOS—Ⅱ的方法是用控制下腐蚀和嵌埋的氧化图形,以达到制作很好的扩散限制区。     

硅的局部氧化

硅的局部氧化(LOCOS)对于半导体器件制造技术是一个有价值的工艺,以便在硅衬底中获得部分地或全部的较厚的氧化层图案。依其工艺步骤的不同,可以得到三种局部氧化结构。当使用二氧化硅—氮化硅(SiO_2—Si_3N_4.)的夹层结构作为掩蔽时,氧化层图案的边缘不如单纯使用~-Si_3N_4作为掩蔽的情况来得陡峭。阐述了使用氧化物—氮化物夹层结构的新的工艺特点的如在LOCOS—Ⅱ中所指出的,这种方法能利用控制的钻蚀制作埋入氧化层图案下的界限分明的扩散区。     

超低工作电压硅量子元件的开发

松下电器产业公司研制了一种新的硅量子元件.这种元件是面向超低工作电压、超低电能消耗存储器件而开发的,以绝缘膜中的隧道现象作为工作原理.该元件与以往的隧道二极管相比,其特点是在退化的n~+和P~+两电极间存在厚度小于2nm的极薄的氧化膜,与隧道二极管同样,在顺向偏压下,可以得到基于频带间电流的负阻抗特性.在室温状态下,作为硅系元件的性能指标,其电流值的PV(峰一谷)比为2,是世界最高水平.如图1所示,该元件,依靠具有氧化膜高的位垒     

基于MEMS技术的电容式微型真空传感器

介绍了一种以MEMS技术为基础的电容式硅微真空传感器。该传感器主要采用p+硅自停止腐蚀技术和阳极键合技术制作,形成了玻璃-硅-玻璃的三明治结构。传感器的传感元是经过浓硼扩散的硼硅膜,方形硼硅膜的应用使传感器具有更高的灵敏度;感应耦合等离子体刻蚀硼硅膜引出金属电极的方法使传感器的制作更为简单。该真空微传感器具有结构简单、灵敏度高等优点,其尺寸为5mm×6.4mm。该真空传感器的测量范围为5×10-3～6×10-2Pa,其线性度为5.9%,灵敏度比较稳定。     

Application of model of mixture of probabilistic distributions for definition of the signals of radiophysical probing

The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde.     

浅析IP网服务质量(QoS)

解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力.     

部分偏振光的表示方法

随着光纤通信和光纤传感的快速发展,人们时光的偏振态提出了越来越高的要求.光是一种横波,其偏振态大致分为:完全偏振光、部分偏振光和自然光.文中介绍了完全偏振光的几种表示方法,给出了几种部分偏振光的描述方法.并阐述了它们之间的差异与联系.     

Interpretation of responses of visual cells of limulus

Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature.     

NTRUsign式计算量分析

介绍了NTRUsign签名算法的密钥生成过程,其在实现的过程中需要进行上百位的大数运算问题,这些数字远远超出了普通电脑存贮范围。而要进行大数运算,就得用数组存贮,进行模拟运算,这就大大增加了运算量。文中分析了这个算法实现过程中的运算量,分析结果说明NTRUsign的运算量过大,以致实际并非一个实用算法。     

电子行业标准制修订项目计划管理信息化的实现

论述了推进电子行业标准制修订项目计划管理信息化的必要性.并提出了具体措施;详细介绍了电子行业标准制修订项目计划管理数据库的设计思路和实现方法.阐述了对后续工作的几点思考.     

影响镀镍层内应力的因素及排除方法

对影响镍镀层内应力的因素做了介绍和分析,提出了对收缩应力的一种解释,提供了排除这些因素影响的方法,指出重视镀液的管理是减少各种影响内应力因素的主要办法。     

Definition of function of squares amount of angular part of film element

By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental researches of large-scale models are represented.     

Temperature dependence of index of refraction of polymericwaveguides

The temperature dependence of refractive index of polymer films was determined for a number of slab waveguides by a grating coupling method. This dependence was examined as a function of parameters such as molecular weight and glass transition temperature of the polymer. Temperature-induced changes in N_TE-N_TM , N being the effective index, were studied systematically for different slab waveguide compositions. It is shown that with proper device design and choice of polymeric materials, thermal effects can be reduced     

浅析信息化时代下上市公司规模经济的发展

上市公司为了增强市场竞争力,不断扩大生产规模,追求规模经济,但是由于我国较低生产力水平、政府干预、体制等原因,上市公司的规模经济效果并不明显。同时,20世纪90年代以来,科学技术的日益发展,改变了企业发展的外部环境和条件,使得规模经济的实现方式发生了新的变化。在信息化时代下,规模经济理论需要进一步创新和拓展,企业按照新形势来选择合适的经济规模。