光学性能可变换薄膜的研制状况（1）

评述了电致变色薄膜,热致变色显示薄膜,受压变色显示薄膜及光致变色显示薄膜在可见光和近红外波段表现出的显著的变换效应及性质。     

反应蒸发沉积NiOx薄膜的电致变色性能

利用ＷＯ３和ＮｉＯ的互补显色可以大大提高电致变我玻璃的变色效率。有关ＷＯ３薄膜的制备方法及其性能已有许多文献作了报道。已报道了ＮｉＯｘ薄膜常用金属镍的射频反应溅射或电子束反应蒸发方法制备。     

氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的显示特性

采用电子束蒸发工艺研究氧化钼掺杂氧化电致变色薄膜的显示特性。对氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的光谱特性、响应特性和循环伏安特性等显示特性进行了测试。     

光学性能可变换薄膜的研制状况(2)

评述了电致变色显示薄膜、热致变色显示薄膜、受压变色显示薄膜及光致变色显示薄膜在可见光和近红外波段表现出的显著的变换效应及性质．     

电子束蒸发制备MoO3薄膜及其电致变色特性

在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态；从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ电解质中测试各种薄膜的循环伏安特性和阶跃电压下的电流响应和光透射响应，表明２．５×１０＾－２Ｐａ氧分压下压结靶淀积的薄膜具有较好的电色性能；ＸＰＳ分析该种薄膜为ＭｏＯ３组份，Ｌｉ＾＋注入使Ｍｏ３ｄ和Ｏ１ａ的结合能降低。     

NiOxHy薄膜电致变色研究

运用直流磁控反应溅射技术，在不同的氧气压强下，沉积ＮｉＯｘ薄膜，随后在１ＭＫＯＨ电解溶液中处理成ＮｉＯｘＨｙ．测量了ＮｉＯｘＨｙ薄膜的电化学性质，在０．３５－２．５μｍ波范围内测定了ＮｉＯｘＨｙ薄膜漂白态与着色态的垂直透过率与近于垂直的反射率，导出了这两种状态的平均可见光透射率，反射率，吸收率与溅射氧压强关系，给出了近于最佳参数样品的吸收系数曲线，对电致变色机理作了讨论。     

光学性能可变换薄膜的研究状况（2）

评述了电致变色显示薄膜、热致变色显示薄膜、受压变色显示薄膜及光致变色显示薄膜在可见光和近红外波段表现出的显著的变换效应及性质。     

电致变色NiOx薄膜及研究现状

介绍了阳极电致变色氧化镍膜的研究现状，制备条件对薄膜形貌，昌粒结构和化学计量比的影响，以及微观结构与薄膜的动态致色范围、致色效率、响应时间的关系，分析了离子注入问题以及电致变色机理     

红外光学薄膜技术

介绍了红外光学薄膜在红外光学系统中的作用.详细阐述了红外光学材料的选择、相应薄膜材料的选取以及红外增透保护膜的几种设计方法,并重点介绍了类金刚石(DLC)、碳化锗(GexCl-x)、磷化物(GaP)、金刚石(Diamond)等几种薄膜材料光学性能及其应用,最后对红外增透保护膜未来的发展进行了展望.     

光学薄膜元件的激光预处理技术

激光预处理技术作为一种提高激光约束核聚变装置中光学元件损伤阈值的有效方法,有重要的使用价值和学术价值。介绍了激光预处理的研究现状,重点介绍了小光斑光栅扫描预处理的方法及其应用,以及应注意的问题。讨论了几种被广泛认可的预处理增强机理,并对激光预处理技术进行了展望。     

金刚石薄膜作为红外窗口增透膜或保护膜的研究进展

本文综述了金刚石薄膜作为红外窗口增透膜或保护膜的最新研究进展,讨论了目前存在的问题和未来的发展。     

高反射薄膜在DF激光辐照下的温度场分布

建立了光学薄膜温度场的基本理论,利用交替隐型技术,对3.8μm DF激光辐照下高反射薄膜的温度场分布进行了数值模拟和理论分析。     

菁染料旋涂薄膜的短波长光存储性能研究

利用旋涂法 (spin coating)制备了一种新的菁染料薄膜 ,并进一步制备成可录型数字多用光盘 (DVD R) ,测试该菁染料溶液和薄膜的吸收光谱 ,薄膜的透过、反射光谱 ,用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜光学常数n和k ,发现薄膜在 6 30～ 6 5 0nm波段内有良好的吸收和反射特性。在 6 32 8nm光盘动、静态测试装置和 6 5 0nm光盘性能测试仪上测试了以该染料薄膜为记录层介质的DVD R光盘 ,结果表明盘片具有良好的光存储性能。     

Ag—TCNQ薄膜的光学双稳态现象

本文第一次报导了Ａｇ－ＴＣＮＱ薄膜的双稳态现象。双稳Ｆ－Ｐ腔是由Ａｇ－ＡｇＴＣＮＱ－Ａｇ膜系组成。并观察了Ａｇ－ＴＣＮＱ薄膜典型的双稳回线。     

吸收性薄膜波导的参数测量

介绍了一种用棱镜耦合法测量吸收性薄膜波导参数的一种方法，它是由测得棱镜底部反射光斑中模的吸收线位置来确定薄膜的折射率和厚度。结果表明，此方法无需进行大量的计算就能同时精确地测量薄膜的折射率和厚度。给了两种吸收不同的薄膜波导参数测量结果。     

Robust Ferrimagnetism and Switchable Magnetic Anisotropy in High-Entropy Ferrite Film

Ferrimagnetic insulator materials are the enabling technology for the development of next-generation magnetic devices with low power consumption, high operation speed, and high miniaturization capability. To achieve a high-density memory device, a combined realization of robust saturation magnetization (M_s), controllable magnetic anisotropy, and high resistivity (ρ) are highly demanded. Despite significant efforts that have been made recently, simultaneously achieving significant enhancements in these properties in a soft magnetic insulator material still remains a great challenge, severely limiting their practical application. Herein, a high-entropy strategy in an ultra-thin spinel ferrite (CrMnFeCoNi)₃O₄ film is reported that exhibits concurrently a superior saturation magnetization (M_S = 1198 emu cm⁻³), low coercivity (H_C = 90 Oe), and excellent resistivity (ρ = 1233 Ω cm), as well as switchable magnetic anisotropy. The comprehensive lattice probing and microstructure analysis studies reveal that such desirable ferromagnetic properties originate from the high-quality structurally ordered but compositionally disordered single-crystal epitaxial structure. The switchable magnetic anisotropy demonstrated in the high-entropy ferrite film can be attributed to the new antiferromagnetic rock-salt phase. This work unveils the critical benefits of the high-entropy strategy for magnetic oxide thin films, which opens up new opportunities for the development of high-performance magnetic materials.     

低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用

通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响.利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg:Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15 V的条件下,发光亮度达到了3000 cd/m2.     

有机薄膜电致发光的研究及现状

有机薄膜电致发光（OTFEL）由于具有许多独特的优点而成为当今发光领域研究的热点，具有十分诱人的应用前景。本文从其发展过程、发光原理、发光材料、器件结构等几个方面作了概括和论述。