白光二极管用荧光粉LiBaPO_4:Tb~(3+)的制备及发光性质

采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线状峰构成,对应Tb3+的特征跃迁,其中544nm处的最强,样品呈现绿色发光。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f–4f电子跃迁吸收(330～390nm)组成,其中以380nm处的激发峰最强,可被紫外发光二极管(ultraviolet-light-emittingdiode,UV-LED)有效激发。研究Tb3+掺量(摩尔分数,下同)对发光亮度的影响,结果显示:当Tb3+掺量为9%时,荧光粉的亮度最高,之后出现浓度淬灭现象。Na+、K+和Cl–作为电荷补偿剂均能提高发光亮度,以Cl–作为电荷补偿剂的效果最好。Ce3+对Tb3+具有明显的敏化作用。结果表明:LiBaPO4:Tb3+是一种适用于白光发光二极管用的绿色荧光材料。     

用于白光LED的Sr3SiO5:Eu3+材料制备及发光特性

采用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu3+材料.测量了Sr3SiO5:Eu3+材料的激发与发射光谱:材料的发射光谱由576、585、611、618nm和650nm几个发射峰组成,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F2和5D0→7F3辐射跃迁.监测618 nm主发射峰时所得激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为400nul和470nm.研究了Eu"浓度对Sr3Si05:Eu3'材料发光强度的影响,结果显示:随Etl3'浓度的增大,发光强度先增大后减小,Eu3+的摩尔分数为3%时,材料的发光强度最大,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极一偶极跃迁.引入电荷补偿剂Cl-、Li+、Na+和K+时,材料的发光强度均得到了提高,其中Cl-和Li+的提高幅度较明显.     

白光LED用红色荧光粉的制备及发光性能

采用溶胶凝胶法(sol-gel)合成CaO-MgO-S iO2:Eu3+荧光粉,在近紫外393nm激发下发射出Eu3+的特征红色光谱,并研究了该方法中各种工艺条件(如:pH值,Eu3+的掺杂量等)对其影响。通过X射线粉末衍射、荧光光谱等分析其发光特性,表明Eu3+离子在CaO-MgO-S iO2:Eu3+基质中处于较低的对称格位,发射来源于5D0→7F2613nm为主的红光。     

白光发光二极管用LiBaBO3:Eu3+材料的发光特性

采用固相法制备了LiBaBO3:Eu3+材料,并研究它的发光特性。LiBaBO3:Eu3+材料的主发射峰位于594、613、651nm和686nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F3和5D0→7F4跃迁;监测613nm发射峰,对应的激发光谱主峰为260、329、368、400nm和470nm。研究了Eu3+含量对LiBaBO3:Eu3+材料发射强度的影响,结果表明:随Eu3+含量的增大,发射强度先增大后减小,Eu3+摩尔分数为3%时,发射强度最大,依据Dexter理论知浓度猝灭机理为偶极-偶极相互作用。掺入电荷补偿剂Li+、Na+和K+均提高了LiBaBO3:Eu3+材料的发射强度。     

用一步法合成Ba0.905Ca0.845Mg0.25Si04:xEu2+,yMn2+白光荧光粉及其发光性能

采用高温同相法合成一系列碱土硅酸盐Ba0.905Ca0.845Mg0.25SiO4:xEu2+,yMn2+(x、y为摩尔比)荧光粉.探讨烧结温度、时间、助熔剂BaCl2和Eu22+及Mn2+掺量对荧光粉发光性能的影响.通过热重一差热分析确定荧光粉的合成温度,用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱表征荧光粉的结构、形貌和...     

La2(MoO4)3:Eu3+纳米红色荧光粉的合成及发光特性

以硬脂酸镧和硬脂酸铕为反应物,采用溶剂热法合成了Eu3+离子掺杂的La2(MoO4)3:Eu3+纳米红色荧光粉。利用TEM、 XRD、FL对其形貌、结构和发光性能进行了表征。研究了溶剂种类、反应时间、反应温度、Eu3+掺杂浓度对产物微观形貌和发光性能的影响。结果表明：以异丙醇为溶剂,反应温度180℃、反应时间12h,得到的样品结晶度高、分散性好、形貌均一,粒径小于100nm。该样品可被近紫外光(391nm)和蓝光(462.5 nm)有效激发,最大发射波长位于613.5 nm,为窄带的红光。La2(MoO4)3:Eu3+的发光强度与Eu3 +离子掺杂浓度有关,其最佳掺杂浓度为15%（摩尔分数）。     

高效红色荧光粉Li1-xAlSiO4+x:xEu3+的制备与发光性能研究

以碳酸锂、氧化铝、二氧化硅、Eu2O3为原料，采用传统高温固相法在较低温度下制备Eu3+离子掺杂LiAlSiO4红色荧光粉，并通过XRD、SEM和光致发光光谱分别对其晶体结构，粉体形貌和发光性能进行表征。结果表明：Eu3+离子掺杂浓度低于15%时，样品为单一基质；样品可以被近紫外350~420nm波段高效激发，最强激发峰位置位于394nm，发射光谱呈现出Eu3+的特征峰，谱带峰值位置在593 nm、616 nm，分别对应于Eu3+的5D0→7F1、5D0→7F2特征跃迁。最强发射对应的掺杂摩尔百分含量为12%，浓度猝灭的发生主要是因为四极-四极（q-q）相互作用，CIE坐标为（0.6464，0.3526），可应用于近紫外芯片激发LED用红色荧光粉。     

白光发光二极管用荧光粉Ca0.5Sr0.5MoO4:Eu3+的制备及表征

采用以柠檬酸作为螯合剂的溶胶-凝胶法成功制备了新型纳米级红色荧光粉Ca0.5Sr0.5MoO4:Eu3+.通过X射线衍射、扫描电镜和荧光光谱等对该荧光粉进行了表征.结果表明:该荧光粉平均粒径为700 nm,在近紫外区395nm和蓝光区467nm光激发下都可发射出615 nm处的强烈红光,此外,Ca0.5Sr0.5MoO...     

高效红色荧光粉Li1–xAlSiO4+x:xEu3+的制备与发光性能

以碳酸锂、氧化铝、二氧化硅、Eu_2O_3为原料,采用传统高温固相法在1150℃制备系列Eu~(3+)掺杂LiAlSiO_4红色荧光粉Li_(1–x)AlSiO_(4+x):xEu~(3+)(x=0.05～0.18)。利用XRD、SEM和光致发光光谱分别对其晶体结构,粉体形貌和发光性能进行了表征。考察了Eu~(3+)掺杂量对所制红色荧光粉发光强度、色温、色调的影响。结果表明:Eu~(3+)掺杂摩尔分数低于15.0%时,样品为单一基质;样品可以被近紫外350～420 nm波段高效激发,最强激发发射峰位于394 nm。发射光谱呈现出Eu~(3+)的特征峰,谱带峰值在593、616 nm处,分别对应于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_1、~5D_0→~7F_2特征跃迁。最强发射对应Eu~(3+)掺杂摩尔分数为12.0%,浓度猝灭主要是因为四极-四极(q-q)相互作用,CIE坐标为(0.6464,0.3526),可应用于近紫外芯片激发LED用红色荧光粉。     

新型橙红色荧光粉KNaCa2(PO4)2∶Sm3+的发光性能

利用高温固相法合成了KNaCa2(PO4)2∶Sm3+系列橙红色荧光粉,并对其发光性能进行了研究.样品的激发光谱在402 nm有很强的发射带,与近紫外LED芯片匹配.在402nm近紫外光激发下,KNaCa2(PO4)2∶Sm3+的发射光谱由3个峰组成,发射峰值位于569、601和648nm处,分别归属于Sm3+的4G5/2→ 6HJ/2(J=5,7,9)跃迁.随着Sm3+掺量的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm3+掺量为0.02 mol时发光强度达到最大,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.分析了不同Sm3+掺杂浓度样品的荧光衰减时间,并研究了电荷补偿剂Li+对样品发光强度的影响.样品KNaCa1.96(PO4)2∶0.02Sm3+,0.02Li+发射光谱(402nm激发)的积分强度是商用红色荧光粉Y2O3∶Eu3+发射光谱(253 nm激发)的1.5倍.     

白光发光二极管用红色荧光粉LiBaB_9O_(15):Eu~(3+)的发光性质

采用高温固相法合成了LiBaB9O15:Eu3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光性能.结果表明:发射光谱主峰位于618nm,对应于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁;Eu3+部分取代Ba2+进入晶格,占据非反演对称中心的格位;激发光谱两个主峰位于400nm和470nm,表明它可以作为蓝+黄模式白光发光二极管(white light.emitting diode,W-LED)~色补光粉和紫外发光二极管(ultraviolet-light-emitting diode,UV-LED)激发三基色荧光粉体系中的红色荧光粉.研究了Eu3+浓度和电荷补偿剂对发射光谱的影响,结果显示:随着EB3'浓度增加,发光强度增强,未发现浓度猝灭现象.电荷补偿离子Cl-、Na+和+均能提高样品的发光强度,其中掺入K+的样品发光强度最高,提高了约40%.     

SrIn2O4∶Sm3+的发光特性及其在发光二极管中的应用

采用高温固相法制备了SrIn2-xO4∶xSm3+红色荧光粉,研究了荧光粉的发光特性.在410nm近紫外光激发下,SrIn2O4∶Sm3+荧光粉呈红色光发射,发射光谱主峰位于607 nm,对应sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁发射.研究了Sm3+掺杂量对荧光粉发射强度的影响,发现随Sm3+掺杂量的增大,荧光粉的发射强度先增大、后减小;Sm3+摩尔掺杂量为0.1时,发光强度最大;能量传递对应的临界距离Rc为1.2 nm,其浓度猝灭机理为电多极相互作用.此外,添加碱金属离子A+ (A=Li,Na,K)提高了荧光粉的发射强度,且以添加Na+时效果最好.将该荧光粉与405 nm n-UV芯片组合,获得了红光发射.     

Sr2MgSiO5:(Eu2+,Mn2+)单一基质白光荧光粉的发光性质

研究了Eu2 ,Mn2 共激活的单一基质Sr2MgSiO5白光发光材料的发光性质.Eu2 中心形成峰值分别为459,555nm的特征宽带,而Eu2 中心向Mn2 中心的能量传递导致了峰值为678 nm的发射,3个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光.其激发光谱分布在250～450nm的波长范围,峰值位于390nm,可以被InGaN 管芯产生的380～410nm辐射有效激发.Sr2MgSiO5:(Eu2 ,Mn2 )是一种性能良好的单一基质白光发光二极管用荧光粉.     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+...     

BaAl2Si2O8∶Eu3+荧光粉的制备及发光性能

利用高温固相法制备Eu3+掺杂的BaAl2Si2O8荧光粉并研究其发光性能,通过X射线衍射分析该发光材料的结构特征.光致发光谱表明:在近紫外光激发下该荧光粉可以发出较好的红光,峰值位于615nm处;Eu3+的最佳掺杂量为0.08mol.分析了BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+材料的发射强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂量的变化规律,结果表明:随着电荷补偿剂含量的增大,BaAl2Si2O8∶0.08Eu3+的发射强度均出现先增大后减小趋势;K+具有更好的补偿效果.色参数测量结果表明,该荧光粉是一种较好的用于白光发光二极管的红色荧光粉.

Abstract：

Eu3+ doped BaAl2Si2O8 phosphors were synthesized by a high temperature solid state method, and the luminescent properties were also investigated. The structure characteristics of the luminescent materials were determined by X-ray powder diffractometer. Photoluminescence measurements indicate that the phosphors exhibit a bright red emission centered at 615 run excited by near ultraviolet. The optimal concentration of the doping Eu3+ in BaAl2Si2O8:Eu3+ phosphor was 0.08 mole. The influence of concentration of Li+, Na+ and K+ on the emission spectra of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ were analyzed. The results show that the emission intensity of BaAl2Si2O8:0.08Eu3+ firstly increases and then decreases with increasing the concentration of charge compensator, and K+ has better compensation effect The color parameters indicate that this phosphor is a superior red phosphor candidate for white light-emitting diodes.     

白光LED用YAG∶Ce3+荧光粉的合成及发光性能研究

采用高温固相法合成YAG:Ce~(3+)黄色荧光粉材料,用正交分析法研究了煅烧时间、煅烧温度和Ce~(3+)浓度对荧光粉发光强度的影响。在煅烧温度为1600℃,Ce~(3+)浓度为0.12 mol,煅烧时间为4 h的条件下,得到的荧光粉发光性能最佳。硼酸作为助熔剂,当其浓度含量为1.2wt%,荧光粉的发光强度增大约40%。YAG:Ce~(3+)荧光粉的激发峰呈现双峰特征,其中最大激发峰位于467 nm;最大发射峰位于529 nm处,因此,YAG:Ce~(3+)黄色荧光粉可以与蓝光Ga N芯片匹配制备双基色LED。     

白光LED用Eu掺杂钨、钼酸盐红色荧光粉的研究进展

详细介绍了近几年来白光LED用Eu掺杂钨、钼酸盐红色荧光粉的制备方法:高温固相法、溶胶—凝胶法、水热法、共沉淀法等。总结了这几种方法及钨、钼酸盐红色荧光粉的优缺点,并对高发光效率样品的制备提出了一些可行研究方案。     

白光LED用钨酸盐红色荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法制备了NaY(WO_4)_2:xEu~(3+)(x=10%,15%,19%,21%,25%)红色荧光粉,并对此荧光粉的结构及发光性能进行了研究。研究结果表明,样品在用λ_(ex)=393 nm激发时,在λ=617 nm处得到了发光光谱。XRD结果表明,Eu~(3+)掺杂浓度达到25%(摩尔分数)时,仍然能够形成纯相的NaY(WO_4)_2:Eu~(3+)多晶粉末。随着Eu~(3+)浓度的增大,Na(WO_4)_2:Eu~(3+)光发射强度逐渐增大,当Eu~(3+)浓度为19%时,发光强度达到最大,随后出现浓度猝灭。     

La2-x-yMgTiO6∶xBi3+,yEu3+荧光粉的性能和能量传递

采用高温固相法合成La_(2-x-y)MgTiO_6:xBi~(3+)和La1.8-yMgTiO6:0.2Bi~(3+),yEu~(3+)系列荧光粉,用X射线衍射对其物相进行表征,测试荧光粉的荧光光谱和寿命,研究Bi~(3+)和Eu~(3+)掺杂量和发光强度之间的关系,以及Bi~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递机理和能量传递效率。结果表明:所有合成的掺杂荧光粉均为单相物质;La_(1.8-y)MgTiO_6:0.2Bi~(3+),yEu~(3+)显示出Bi~(3+)的蓝光发射和Eu~(3+)的特征红光发射;当y=0.2时,La_(1.6)MgTiO_6:0.2Bi~(3+),0.2Eu~(3+)的能量传递效率最大,为19.2%;能量传递机理为d-d相互作用。改变Eu~(3+)的浓度可以得到从蓝光到橙红光颜色可调的荧光粉。La_(1.6)MgTiO_6:0.2Bi~(3+),0.2Eu~(3+)的色坐标为(0.5385,0.2736)。