铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果.铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提.从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程.结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴.     

环境扫描电镜对亲水高分子材料的原位观察

20世纪80年代发展起来的环境扫描电镜（environmental seanning eleclron microseope,ESEM）,可直接观察各类非导电材料，而不必对样品表面进行喷镀导电膜，ESEM更为重要的特点是可实现对含水、含油、放气等类样品的原位和动态观察，获得样品自然状态下的真实微观特征，或反应过程中的变化。     

非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Iα,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Iα的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Iα还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。     

看图说故事（续）

许多光镜画面所见到难以深入理解的异常现象，还可利用电镜的二次电子（SE）或反弹散射电子（BSE），能够穿透深入分析待检品的较深表层，再向内部探讨的手法进一步观察。     

强介陶瓷低压扫描电子显微术

扫描电镜，从分辨能力的观点看，适当高的加速电压有高的分辨能力。然而，提高加速电压，有如下不可忽视的缺点：（１）样品表面微细结构信息被削弱或被遮盖；（２）明显的边缘效应；（３）导热性差的材料，在受电子束照射时易造成损伤；（４）对导电性差的样品，引起荷电...     

环境扫描电子显微镜在材料科学中的若干应用

本文简单介绍了构成环境扫描电镜（ESEM）的多级真空系统和气体二次电子探测器，描述了ESEM的基本工作原理。指出环境扫描电镜在材料科学研究中的独特作用、适用领域，并列举了若干应用实例。     

在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀中气体成分对深度减小的影响

在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀（ＲＩＥ）中，发现氯化气体比氯化气体显然有较大的微－负载效应。为了解作气体效应，利用Ｃｌ２和ＳＦ６进行了模型实验。对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算，计算时既考虑了腐蚀剂（离子、自由基）的屏蔽效应，也考虑了其表面迁移。根据这些结果，弄清了引起微－负载效应的原因如下：①沟道底部的腐蚀剂的浓度随沟道深度的增加／或沟道宽度的减小而减少；②随着腐蚀剂浓度的改变，氟化气体中刻蚀速率的变化比氯化气体中的大。并且指出，采用较重的卤素作为腐蚀气体，可提供一种去除微－负载效应的方法，因为离子辅助腐蚀在较重的卤素的刻蚀中是占优势的。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

SMT生产中的静电防护技术

静电是一种电能，它存留于物体表面，是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果，是通过电子或离子的转换而形成的。静电现象是电荷在产生和消失过程中产生的电现象的总称。如摩擦起电、人体起电等现象。     

钼蓝青铜晶体结构的电子显微学研究

钼蓝青铜系列包括K0.3MoO3、Rb0.3MoO3、Tl0.3MoO3（基本结构一致）是一种准一维电荷密度波材料，具有准一维的电输运特性。伴随着电荷密度波（CDW）的产生，在180K左右时会发生从金属到半导体（绝缘体）的相变。运用X射线、中子衍射的手段，已经观察到低温下电荷密度波并确定了其矢量；也有人通过扫描隧道显微镜在实空间观察了其表面电荷密度波的形成情况；电子辐照对其物理性质和结构的影响的研究也取得进展；对电荷密度波（CDW）的动力学性质以及对钼蓝青铜的能带结构的研究也是热点之一。但是由于结构的复杂性，文献中关于其晶体学的描述经常出现错误，而且由于其对电子辐照的敏感性，其电子显微学的研究一直停滞不前。为此，我们对其进行了相关的基础研究。     

离子径迹电光学性质的太赫兹时域光谱

为了深入研究离子径迹的电光学性质,室温下用太赫兹时域光谱（THz-TDS）测量高能重离子辐照的聚苯乙烯（PS）和聚乙烯（PE）,获得了辐照样品的光学常数。研究发现,在离子沉积能量或离子剂量较高时,辐照PS和PE的吸收系数相比未辐照样品都有显著增加,这是由于辐照产生的碳团聚体对太赫兹波有吸收作用;对折射率而言,辐照PS的折射率增加而辐照PE的折射率降低,这与2种聚合物的结构有关。用有效介质理论提取出辐照聚合物中离子径迹的光学常数,并用Drude-Lorentz模型对其进行拟合,由拟合参数计算出了离子径迹的直流电导率。与常规接触测量法获得的离子径迹的电学参数进行比较,发现2种测量结果的差异是由于沿径迹方向能量沉积的不均匀性造成,THz-TDS测量结果更能反映高能量沉积区域物质的电学性质。     

泥页岩样品自然断面与氩离子抛光扫描电镜 制样方法的比较与应用

根据不同的研究目的,泥页岩的扫描电镜实验常用自然断面和氩离子抛光两种制样方法.自然断面的样品一般利用二次电子(SE)信号成像,反映样品表面原始形貌,图像立体感强,是最常用的制样方法.自然断面方法适合观察较大的孔隙结构,矿物及有机质形态特征,有机显微组分等.氩离子抛光样品一般利用背散射(BSE)信号成像,反映样品原子序数差异,容易区分有机质与矿物质.氩离子抛光样品表面光滑平整,适合观察泥页岩中纳米级孔隙,能直观地观察到矿物及有机质的颗粒大小及分布情况,但经过切割、研磨和抛光等一系列复杂的处理过程,样品原始形貌受到一定的破坏,会损失掉一些有用信息.本文详细比较了自然断面与氩离子抛光两种制样方法的特点及适用条件,指出如何根据样品特征及研究目的选择合适的制样方法.     

静电耗散标签在电子产业中的应用分析

一、静电对电子产业的负面影响 由于物体间的接触分离（摩擦、剥离、撕裂和碰撞等）或电场感应，会产生物体之间或物体内部带电粒子的扩散、转移或迁移，从而形成物体表面电荷堆积，即呈现带电现象。这种现象可能导致物体表面电荷对空气中带异性电荷的微粒子尘埃的吸引，造成电子敏感元器件绝缘性能的降低、结构腐蚀或破坏。[第一段]     

PVK/C_(60)组合薄膜荧光的光辐照效应

富勒烯分子具有较高的电子亲和势，因而易于接收电子，而一些有机材料及高分子材料分子则易于失去电子，当这两种材料组合在一起时，在其中可以产生激发传递及电行转移效应，通过吸收、荧光、光谱等测量，可以研究这种电行转移（D－A）体系的有关过程。我们采用物理喷束淀积（PJD）方法制备了纯C60纯PVK（聚乙烯咔唑）、PVK／C60的混合膜及多层膜。这种方法具有设备简单、成膜性能好及控制简易等优点，特别适宜于蒸镀量少的稀有样品。当激光照射在PJD法制备得的薄膜上时，可以探测到薄膜中分子所发射的荧光，而采用锁模皮秒激光及条…     

基于充电抑制膜的航天器不等量电位控制方法

航天器在空间环境中飞行时,其表面的不同介质材料表面与等离子体环境相互作用后形成的不等量充电电位达到放电阈值（107 V/m）后,将有可能发生静电放电（ESD）。充电抑制膜是一种基于不等量电位梯度场发射原理的防护材料,当其上下表面电位差达到发射阈值后,充电抑制膜将发射电子从而对航天器结构不等量电位起到减缓作用。文章介绍了真空条件下充电抑制膜场电流发射特性,分析了充电抑制膜场电子发射对航天器表面不等量电位的控制效果,为航天器表面电位控制及减缓提供方法和依据。     

不同初始分布向列相液晶电容特性的相场法研究

液晶盒内的液晶分子在不同的外加电场作用下重新排布,其极化指向发生改变,从而影响液晶盒整体的电学特性。本文考虑液晶材料的挠曲电效应,分析液晶盒的整体自由能表达式,包含弹性形变自由能密度、介电自由能密度和挠曲电自由能密度。基于液晶弹性理论和相场方法,构建描述液晶核指向矢分布及演化的相场方程,并运用离散方法推导出液晶盒约化电容的表达式。讨论边界强锚定的混合液晶盒(HAN)和平行液晶盒(PAN)表面电荷密度对液晶核指向矢偏转角的影响。进一步分析了挠曲电系数、表面电荷密度以及液晶盒厚度对两种不同初始指向分布液晶盒电容性能的影响。数值分析结果表明,表面电荷密度越大、挠曲电系数越小,液晶核指向矢偏角越大。在混合液晶盒中,约化电容随着表面电荷或液晶厚度的增加而增加,最终趋于饱和;而在平行液晶盒中,当表面电荷密度或液晶盒厚度达到某个临界值时,液晶核的指向矢才发生改变,液晶的约化电容才有明显的变化。随着表面电荷密度增加,液晶核指向矢发生偏转的临界厚度减小。     

金刚石薄膜衬底表面不同预处理对薄膜表面形貌的影响

用微波等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）设备，在经过不同粒度的ＳｉＣ研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜，分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、光学显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）以及Ｒａｍａｎ光谱对样品进行了分析测试，并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在我们的实验范围内，对钼衬底研磨预处理所用的ＳｉＣ研磨粉的粒度越大，其上沉积出的金刚石薄膜样品的表面越粗糙；而金刚石薄膜的表面越粗糙，其场致发射的效果也越好。     

低剂量率下MOS器件的辐照效应

对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明，偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场，增强了辐照产生电子-空穴对的分离，同时，影响了正电荷（包括空穴和氢离子）的运动状态；此外，偏置对退火同样有促进作用。     

ECR等离子体沉积系统中等离子体特性的模拟

本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电荷准中性条件，采用蒙特卡罗方法可计算出自恰的等离子体电位及离子密度分布。从而分析了磁场形态和气压对等离子体密度空间分布，入射到衬底上的离子通量和平均能量的影响，结果表明：磁场形态和气压都可用来独立控制等离子体流的性能，这对于使用该种等离子体源进行薄膜沉积和刻蚀有一定的理论指导意义。     

《双离子减薄仪在电镜制样中的应用》

在透射电镜显微分析中,制样工作是十分重要的。目前主要有两种制样手段:电化学减薄(又称双喷化学减薄)和离子减薄(又称双离子减薄)。前者速度高,但不易把握减薄的程度,因而样品报废率较高,且只适用于易化学腐蚀的金属类材质。后者,是以离子束流为减薄“工具”,凭借离子的“刻蚀”作用从两侧(或一侧)减薄样品。为了使薄化区更宽阔一些,并且减薄速度可调,没计了样品自转和样品表面可绕支架轴旋转,以改变离子束相对试样表面的入射角等功能。在IE—20型双离子减薄仪上,虽然规定以Ar作为离子源气体,但我们在实际工作中,用空气作源气体亦成功地减薄了各种材质的样品。