均匀磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流过渡区的设计

本文叙述均匀磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流过渡区设计的一种方法,指出对于阳极电位与慢波线电位不同的电子光学系统,以及这两个电位虽然相同,但导流系数大,阳极孔效应严重的电子光学系统,它们的过渡区的设计,必须采用非等位空间中的傍轴电子轨迹方程。并对用部分屏蔽流周期磁聚焦的电子光学系统,电子枪区中的电子轨迹与磁力线重合的问题提出一些看法。     

磁屏蔽理论和设计

本文在导出基于磁路的屏蔽效能计算公式的基础上，结合公式分析了在不同屏蔽条件下材料的选择原则，讨论了由于磁路的特殊性，而在设计中的需要注意的事项。     

用等效磁流子法分析带有狭隙的非理想导体板的屏蔽效能

利用等效磁流子法和流在非理想导体壁上的边界条件对带有狭隙的无限大非理想导体板建模，并用矩量法计算了频率及电导率对其总体屏蔽效能的影响。计算结果表明了电导率越大，对导体板总屏蔽效能的影响也越大；就同一种导体板而言，当期厚度接近于某一频率下导体的趋肤深度时，在该频率处电导率对总屏蔽效能的影响最大。同时，本文还给出了当导体板分别为理想导体，铜和铝时狭隙的远场方向性图，从图中可以看出电导率对狭隙方向性的影     

真空器件的磁屏蔽方法

真空器件在使用过程中必须要进行磁屏蔽。本文介绍了在低频磁场环境条件下所采取的磁屏蔽方法。     

低频高性能屏蔽装置的设计

为了合理评估磁屏蔽体对低频磁场的屏蔽效果,设计了一种磁屏蔽体并提出一种屏蔽方案,计算静磁场与交变磁场共同影响下,其屏蔽装置对其屏蔽性能的影响,并通过实验来论证该屏蔽体和设计方案在实践中的应用可行性。实验结果表明,设计的电磁屏蔽室,室内静磁场B≤200 n T,50 Hz交流磁场干扰<0.10μT;大于100 k Hz交流磁场屏蔽系数S≥1 000;满足磁传感器系统等相关仪器的实用要求,为实践屏蔽室屏效验收提供理论依据。     

TWT周期磁场分解合成软件的研制与应用

本文介绍TWT周期磁场分布到单环值的分解合成软件的研制和初步的应用。     

行波管电子枪改进及过渡区磁场设计的模拟计算

分析了行波管电子枪和过渡区磁场设计的基本原理和方法,结合互作用区分别对高面积压缩比、低导流系数电子枪及其后的过渡区磁场进行改进和设计：首先对加辅助阳极的原电子枪和过渡区的周期聚焦磁场进行优化,在考虑热初速的情况下,对电子枪和磁场再度优化。模拟结果表明：辅助阳极能有效改善高面积压缩比、低导流系数电子枪产生电子注的层流性;电子热初速对电子注质量影响较大;合理的过渡区磁场能为互作用区提供符合要求的电子注。运用此设计对一螺旋线行波管进行模拟计算,达到了良好的效果。     

行波管周期永磁聚焦系统的设计

论述了行波管周期永磁聚焦系统的基本原理及在此基础上利用现有的辅助设计软件包为行波管设计合适的磁聚焦系统的方法.利用该设计方法计算与模拟一个Ku波段小功率行波管的周期磁场,得到的结果与试验结果非常一致.这样就可以大大减少行波管磁聚焦系统的设计与调整周期.     

均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法

本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1％的电子注。     

电子控制系统的屏蔽设计研究与应用

本文从电子控制系统电磁干扰源能量的"场"入手,分析了电子控制系统电磁干扰的多种形式,针对不同电子控制系统的电磁干扰类型,提出其解决办法与对策.并通过静电屏蔽、磁屏蔽、电磁屏蔽设计介绍了电子控制系统的屏蔽设计思路、方法与技巧.     

软磁薄膜材料对电力电缆的低频磁屏蔽效果

使用软磁薄膜材料对单路电力电缆和回路电力电缆进行屏蔽,测量屏蔽前后周围空间的磁场强度。结果表明,软磁薄膜材料作为单路电力电缆的屏蔽层并不具备磁屏蔽效果,而其在回路电力电缆中使用则具有明显的磁屏蔽效果。之后通过仿真计算的方法对实验结果进行验证,并结合仿真和实验结果进行理论分析。     

电磁聚焦移象系统中静电聚焦场的逆设计

本文对电磁聚焦移象系统中静电聚焦场的逆设计进行了研究,利用多电极系统静电场的电位迭加原理,建立了数学模型,用最优化方法对系统的静电聚焦场进行了设计计算。     

磁保持继电器屏蔽罩的研究与优化设计

对磁保持继电器屏蔽罩的分析与研究可以满足使用者对其空间抗干扰能力的要求，以某型号单相磁保持继电器为基础，运用有限元分析软件ANSYS建立了磁保持继电器电磁系统模型，仿真计算出静磁场干扰源对电磁系统的影响并设计出一种电磁屏蔽罩，使其具有良好的抗干扰能力.研究屏蔽罩上开槽对抗干扰能力的影响，在不降低其防护效果的前提下减轻重量，得到屏蔽罩开槽的优化方案，为其优化设计提供一定的参考依据.